[0001]【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造に関する。108が接続されている。この薄膜トランジスタは、ゲート電極103,ゲート絶縁膜104,アモルファスシリコン105,ドープドアモルファスシリコン106,ソース・ドレイン電極107,およびソース・ドレイン電極107aよりなる。透明画素電極108の下部には、ゲート絶縁膜104を介して、ゲート電極103aに接続された透明電極102がある。108,ゲート絶縁膜104,および透明電極102により、蓄積容量が形成される。109が充填されている。この薄膜トランジスタを入射光から守るためと、光もれを防ぎ,コントラストを増加させるために、遮光膜110が対向ガラス基板112側に設けられている。m,2つの問題がある。112側にあるため、薄膜トランジスタを完全に入射光から保護し,かつ透明電極102周辺での光もれを防止するためには、遮光膜110を薄膜トランジスタおよび透明画素電極108の外側まで十分に広げる必要がある。101の位置決め精度として、10μm程度必要になる。透明電極102周辺での光もれを防止するのに、透明電極102と遮光膜110との重なりは、5μm程度必要である。これらの合計である15μmの重なりを設計で持たせなければならない。purposeμm必要となることから、画素寸法の一辺が50μmの場合、有効な画素部は20μm×20μmになってしまい、光の利用効率が低下していまう。lowered.【0006】第2の問題点は、蓄積容量が透明画素電極108および透明電極102を用いて形成されていることにある。透明対向電極111や透明画素電極108等の透明電極は、通常、ITO膜が用いられている。この場合の光の透過率は90%程度であるので、これら2枚の透明対向電極111と透明画素電極108とによって、透過率は80%に低下してしまう。透明電極102は導電率が低いために、ゲート電極103aと接続した低抵抗配線が必要となる。15μm×20μmと更に減少する。structure,微細化してゆくと、光の利用効率が著しく低下してしまい、明るい画像が得られないという問題点がある。electrodesに接続される画素側の透明電極が設けられ、上記透明電極と上記遮光膜とが上記容量絶縁膜を介して重なり合っている。このましくは、上記容量絶縁膜は遮光膜の陽極酸化膜または陽極酸化膜を含む多層膜または他の多層膜である。[0009]【作用】透明電極と遮光膜との重なり部分は、光もれを防止するために必要な領域であり、同時に、蓄積容量を形成する。陽極酸化膜あるいは多層膜は、必要な蓄積容量を確保するための高誘電率膜として機能する。蓄積容量を増加させるためには、重なり部分の下部に薄膜トランジスタのゲート容量を設ける。[0010]【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明する。invention.【0011】アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造の平面図である図1(a)と図1(a)の折線ABCでの断面図である図1(b)とを参照すると、本発明の第1の実施例は、以下のように構成されている。follows.【0012】石英基板1上には、ポリシリコン2,ゲート絶縁膜3,ゲート電極4,およびソース・ドレイン電極5,5aよりなるトップゲート型の薄膜トランジスタが設けられている。14に接続され、ゲート電極4はゲート線13に接続される。この薄膜トランジスタの上部には、層間膜6を介して、遮光膜7が形成される。遮光膜7としては、光の透過率の低いアルミニウムが適している。3からなる陽極酸化膜8が形成される。この陽極酸化膜7を誘電体として、その上に被着される透明画素電極9と遮光膜7との間に蓄積容量が形成される。100〜200nmが適している。この陽極酸化膜8は、低温で形成されるプラズマCVD膜やスパッタ膜に比べ、ピンホール等の欠陥が少ない。従って、大面積の容量を歩留り良く作成することができる。透明画素電極9とガラス基板12下面に被着された透明対向電極11との間に、液晶10が充填されている。filled.【0013】図1(a)の線分Dに示すように、遮光膜7と透明画素電極9との重なりは、4〜8μm程度必要になる。7を設けることができない。この部分では、ソース・ドレイン電極5aが遮光膜として用いられている。film.【0014】アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造の等価回路図である図2を参照すると、上記第1の実施例は、透明画素電極9に対し、液晶10と透明対向電極11とからなる容量と、陽極酸化膜8と遮光膜7とからなる容量とが並列に形成される。3からなる陽極酸化膜8と他の方法で形成した絶縁膜15との2層膜からなる。2層膜にすることにより、本実施例は上記第1の実施例に比べて、容量膜の欠陥を一層低減することが可能になる。3を100nm形成し、その上に絶縁膜15としてプラズマシリコン窒化膜を100nm形成する。thereon.【0016】容量膜の形成方法としては、陽極酸化法を用いない方法も勿論可能である。],あるいは2層の絶縁膜16,17〔図4(b)〕を用いても良い。単層膜の場合には、絶縁膜15としてプラズマCVD法によるシリコン窒化膜を例えば200nmの膜厚に形成する。2層膜では、絶縁膜16としてプラズマCVD法によるシリコン窒化膜を例えば100nmの膜厚に形成し、その上に絶縁膜17としてスパッタシリコン酸化膜を100nm形成する。これらはほんの一例であり、他の膜厚および成長法法および他の種類の絶縁膜でも良い。絶縁膜の膜厚は、欠陥および耐圧が許す限り薄い方が容量値を大きくでき有利である。inventionの第4の実施例は、アルミニウムからなる遮光膜7の上にタンタルからなる遮光膜18が被着された2層膜からなる遮光膜が用いられている。3からなる陽極酸化膜8が形成されている。従って、本実施例は、他の実施例に比べて、蓄積容量値を大幅に増大させることが可能となる。この場合、アルミニウムからなる遮光膜7は遮光性を高めるために用いる。(a)線での断面図である図6(b)とを参照すると、本発明の第5の実施例は、透明画素電極9と遮光膜7のとオーバーラップ部分の下部領域に、ポリシリコン2aとゲート絶縁膜3とゲート電極4aとからなる容量を有する。4a.このゲート電極4aはゲート線13aに接続される。その他の構成は、上記第1の実施例と同じである。このオーバーラップ部は光が透過しない無効領域であり、この部分に容量を形成しても、光の利用効率は減少しない。reduced.ポリシリコン2aはポリシリコン2と接続している。このポリシリコン2aは、石英基板1表面にポリシリコンを形成し、これをパターニングし、この表面にゲート絶縁膜3を形成した後、ゲート電極4aにより覆われる部分のポリシリコンにあらかじめイオン注入によりドーピングし、形成する。form.【0019】アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造の等価回路図である図7を参照すると、上記第5の実施例は、上記第1の実施例(図2参照)に比べて、透明画素電極9に並列に接続する容量として、ポリシリコン2aとゲート絶縁膜3とゲート電極4aとからなる容量(ゲート容量)が加わる。本実施例などで用いる薄膜トランジスタは、通常、1pAから0.1pA程度のリーク電流があるから、蓄積容量が大きい程、1画素のスキャンが行なわれる間、信号電圧を低下させることなく保持できる。従って、蓄積容量値を大きくすることは、高画質化にとって有利である。100pF程度しか確保できなくなる。薄膜トランジスタのリーク電流を考えると、100pF程度の値では十分と言えない。従って、このポリシリコン2aとゲート絶縁膜3とゲート電極4aとからなるゲート容量を追加する利点は極めて大きい。2のゲートとの間に接続される。[0020]【発明の効果】本発明のアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造は、透明画素電極の下に遮光膜を設け、遮光膜(例えばアルミニウム)の表面に設けた陽極酸化膜等を誘電体とする蓄積容量を、透明画素電極と遮光膜との間に形成する。これにより、以下の効果が得られる。obtained.【0021】第1に、遮光膜表面に設けた誘電体膜により、膜の欠陥密度が少なく,大きな容量値を有する蓄積容量が得られる。第2に、遮光膜が透明画素電極の下部にあるため、透明対向電極のエッジ部の横方向電解に起因する液晶の光もれを、光の透過効率(開口率)を犠牲にすることなく遮断させることができる。第3に、蓄積容量値の増大により、高画質化が有利になる。DRAWINGS【図1】本発明の第1の実施例の平面図,および断面図である。view.【図2】上記第1の実施例の等価回路図である。embodiment.【図3】本発明の第2の実施例の要部断面図である。invention.【図4】本発明の第3の実施例の要部断面図である。invention.【図5】本発明の第4の実施例の要部断面図である。invention.【図6】本発明の第5の実施例の平面図,および断面図である。view.【図7】上記第5の実施例の等価回路図である。embodiment.【図8】従来のアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造の断面図である。前記透明電極と前記容量絶縁膜と前記遮光膜とが、容量として用いられることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造。前記遮光膜がアルミニウムからなり、前記絶縁膜が前記アルミニウムの陽極酸化膜であることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造。tantalum,前記絶縁膜が前記タンタルの陽極酸化膜を含む膜であることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造。前記絶縁膜が少なくとも2種類の絶縁膜からなる積層膜であることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造。前記積層膜が前記遮光膜の陽極酸化膜を含むことを特徴とする請求項4記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造。extendingの容量を有することとを併せて特徴とする請求項1,請求項2,請求項3,請求項4,あるいは請求項5記載のアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造。