PagePowerMOSFETとIGBTの棲み分けインバータ制御用にパワーデバイスの勉強をしています。縦軸:電流容量の観点で、PowerMOSFETとIGBTのカバーエリアを表記といった図表を目にしましたが、この2つの表記方法がこの世界では一般的なのでしょうか?どなたかご存知の方いらっしゃいましたら、ご教示お願い致します。22:16ご質問の件、世界標準は、2(縦軸:耐圧、横軸:電流)ですが、パワーMOSFETとIGBTの違いは、動作周波数と耐圧ですので、横軸:耐圧、縦軸:動作周波数で示せば、良く棲み分けができると思います。ご存知の通り、MOSFETは、数百KHz(縦型構造)~数MHz以上(横型)の動作が、可能ですが、IGBTは、現時点では、100KHz以下が適当な用途と理解してます。加えてIGBTは、高耐圧・大電流デバイスのためインバータ用途の600V\,1200Vでは最適といえます。(低耐圧ではトレンチMOSに比べ劣りますが)IGBTも昨今、MOSFETと同様に用途別に、最適化されているシリーズが製品化されていると思います。インバータ用であれば、一般的には、動作周波数fは、数十KHzであるため、低VCE(sat)で高負荷短絡耐量のデバイスを選定した方が宜しいかと思います。電源用PFC回路のように効率優先の用途では、多少VCE(sat)は犠牲にしても、スイッチング速度の速い製品を選択すべきでしょう。低VCE(sat)は、トレイドオフ関係になります。22:28ごめんなさい、世界標準は、2(縦軸:耐圧、横軸:電流)は、縦軸:電流Id\,Ic、横軸:耐圧VDS\,VCEでした。縦軸:電流はオン抵抗RonやVCE(sat)の指標、横軸:耐圧は、用途Application・動作条件から選定される指標になります。京にはるばるのぼり行く』ご回答の御礼に一曲歌わせて頂きました。