ゲート電極4及びドレイン電極9は接続されている。ソース電極11はアース3されている。G流i特性をn?チャンネル飽和ドレイン電流iで規格化して示す。T電極2に過大な電圧が印加されるのを防止することができた。十分に飽和電流まで駆動でき,且つ,飽和電流を与えるゲート1電圧以上ではゲート回路の入力インピダンスは急激に減少する。この様に保護トランジスタの接続段数は必要に応じて増減すれば良い。第5図は本発明の第2の実施例の装置,即ちa・SiTFTによりX・Yマトリックス駆動液晶表示装置を製作した例の回路図を示す。本装置のトランジスタアレーは次のようにして製作した。ガラス基板上に透明電導膜(酸化インジューム・錫)を蒸着しこれを所望の絵90素パターンに形成する。次にMoを蒸着し,これより各要素トランジスタのゲート電極及びゲートバスラインを形成した。次にゲート絶縁膜として窒化シリコンを,半導体薄膜としてa・SiをプラズマCVD法により連続してそれぞれ400nm及び500nm堆積し,その後a・Si膜を所望部位を除きフォトエッチング法により除去した。窒化シリコン膜の一部を同じく除去し,コンタクトウインドゥを形成した。着膜のパタニングにより形成することにより,保護トランジスタ21,22,23を有するTFTアレーが完成する。このTFTアレーの付設されたガラス基板と,対向する透明電極を付着させたガラス基板との間に液晶を挟持して,マトリックス駆動液晶表示パネルが完成する。・・・このトランジスタのゲートを第5図に示したように,ドレイン(第5図の信号バスラインをソース・バスと呼んだので便宜上,このように定義する。)に接続した形で構成される保護トランジスタ21,22,23を各ゲートバス51,52,53に接続した場合,ゲートバスラインに印加された負の電圧は第6図のn?チャンネル電導特性により減衰し,過大負電圧から各要素トランジスタを保護する。ゲートバスに加えられた正電圧が特に高くない場合(0<V<G20?30V)保護トランジスタのpチャンネル電導は顕著でなく,ゲートバス51,52,53に加えられたゲート電圧は減衰することなく各要素トランジスタ(31,32,41,42等)のゲートに印加され,各要素トランジスタを十分にオンすることができる。導が動き,要素トランジスタのゲート電圧を低下させることができる。以上説明したように本発明では,保護トランジスタの作製は各要素トランジスタの製作工程と全く同じ工程で同時に可能であり,且つ各要素91トランジスタの過大ゲート電圧が印加されるのを防止できた。作することが可能となった。〔実施例1〕)に係るTFTの概略平面図であり,ゲート電極4は,ソース又はドレインとなる電極9,10と,ゲート電極3は,ソース又はドレインとなる電極10,11と,それぞれ平面的にその両側が重なっていることが示されている。ガラス基板1上に,ゲート電極2,絶縁膜15,半導体薄膜6が連続して堆積し,半導体薄膜6の上面には,ソース又はドレインとなる電極7,8が設けられて形成されていること,ゲート電極2,3,4はいずれも同一平面上に位置し,ソース電極又はドレインとなる電極7,8,9,10,11はいずれも同一平面上に位置していることが示されている。3のソース電極11は,アースに接続していることが示されている。置されていること,及び絵素マトリックスの外部には,各々保護トランジスタ21,22,23が配置され,各保護トランジスタは,ソースがゲートバスライン51,52,53に接続されると共に,ゲートとドレインとが接続されて,アースされていることが示されている。成することを前提としたものであるから,外部取り出し端子である入力端aを複数個有する半導体装置であることは明らかである。畳するように設けられているといえる。載された乙1発明は,以下のとおりのものと認められる。本件発明は,前記争いのない事実等で判示したとおりであり,これと乙1発明とを,以下,対比する。極」に,それぞれ相当することは明らかである。乙1発明の「ゲート電極3,4」は本件発明の「付加ゲート電極」に,乙1発明の保護用トランジスタを構成する「絶縁膜5」は本件発明の「付加ゲート絶縁膜」に,「ソース又はドレインとなる電極9,10,11」は本件発明の「第1主電極,第2主電極」に,それぞれ相当することは明らかである。通じて,外部に逃がすためのものであることが認められ23る。記半導体薄膜と同時に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ装置」である点で共通し,以下の点で相違する。乙2文献には,以下のとおりの記載がある(乙2)。続され,前記2個のMOS型トランジスタのうちYラインに遠い方のMOS型トランジスタのゲートは,前記一つの配線に接続される保護回路を持つことを特徴とする半導体装置」(特許請求の範囲?@)(イ)「本発明はTFT(ThinFilmTrs)などで構成されるアクテイブマトリツクス7において,静電気などによる前記マトリツクスを構成する素子の破壊を防止するための保護回路に関する。97TFTは絶縁基板上にトランジスタが形成されるため,静電気やノイズなどによる素子破壊を防止する保護回路を,前記絶縁基板上にモノリシックに形成することが困難である。この理由は,TFTで構成される回路の端子から静電気などが入った時,電流を吸わすべき共通の基板がないことによる。単結晶シリコン基板上に形成される通常のICやLSIで採用され,技術的に完成度が高く,実績もある保護回路がTFTでは採用出来ないことも理由の1つである。従って本発明の目的は,絶縁基板上に形成されるTFTなどで構成されるアクテイブマトリツクスを,静電気などによる破壊から守る保護回路を提供することである。」(1頁右欄11行ないし2頁左上欄9行)(ウ)「Xラインに接続される2個のMOS型トランジスタのうち,Xラインに近い方のMOS型トランジスタ(TX11,TX21,・・・TXn1)のゲートは各Xラインに接続され,同様にYラインに接続される2個のMOS型トランジスタのうち,Yラインに近い方のMOS型トランジスタ(TY11,TY21,・・・TYm1)のゲートは各Yラインに接続されている。Xライン及びYラインから遠い方に接続されているMOS型トランジスタ(TX12,・・・TXn2,TY12,・・・TYm2)のゲートはアクテイブマトリツクスの外側に設けられた配線Aに接続されている。従って本発明による保護回路は,第2図に示すように配線Aと,該配線AとX乃至Yラインの間に挿入された2個のMOS型トランジスタから成っている。」(2頁左下欄11行ないし右下欄5行)(エ)「第2図のアクテイブマトリツクスが組立工程の途上にある時は,配線Aはフローテイングとなっている。従って前記静電気が配線Aに流れる割合は,配線Aのフローテイング電位と該配線の容量によって決まる。」(2頁右下欄16行ないし3頁左上欄1行)98(オ)「配線Aの容量は大きい方が静電気による破壊防止の効果が大きい。具体的には配線Aの配線巾を大きくしたり,第2図に示した配線Aはアクテイブマトリツクスの外周1/2に配線されているが,全外周に配線することなどにより,配線Aの面積をより大きくするとよい。左欄2行ないし7行)(カ)「アクテイブマトリツクスが周辺回路などに接続されて組み立てが完了した時は,配線AもGND電位に接続するとよい。線Aと各Xライン及び各Yラインとの間に,それぞれ2個のMOS型トランジスタが接続されている様子が示されている。同図では,上記のMOS型トランジスタのうち,Xラインに接続されるMOS型トランジスタは,Xラインに近い方のMOS型トランジスタのゲートが,同トランジスタの1つの電極と短絡してXラインに接続し,もう一方の電極がXラインに遠い方のMOS型トランジスタの電極と直列で接続し,Xラインに遠い方のMOS型トランジスタのゲートが,同トランジスタのもう一方の電極と短絡して配線Aに接続しており,Yラインに接続しているMOS型トランジスタも上記と同様の接続態様となっている。第3図は,第2図のうちの左隅の部分(Xライン,Yライン,配線A,アクティブマトリックスを構成するTFT,Xラインと配線Aに接続した2個のMOS型トランジスタ,Yラインと配線Aに接続した2個のMOS型トランジスタが記載されている。)を拡大して表示し,Xライン99及びYラインに,抵抗が挿入された図である。イ相違点1について(ア)前記(1)イで判示した乙1発明の内容及び前記(1)アで認定した乙1文献の記載からすれば,乙1発明は,TFTで構成されるマトリックス駆動液晶表示装置において,静電気等により設計値以上の電圧が印加された場合に,TFTのゲート絶縁膜の破壊を防ぐために,上記の構成を採用したことが認められる。向接続態様で直列に接続された2個のMOS型トランジスタを介してフローティング電位である1つの共通の配線に接続されるという構造を有する保護回路を備える発明であると認められる。基板上に形成されるTFTを保護するために,XラインないしYラインに生じた静電気を保護回路を介して他の電極に逃がすというものであり,乙1発明とは,技術分野のみならず,技術課題及びそれを解決するために保護回路を設けるという手段を採用した点で共通しており,保護回路の具体的構成が,静電気を逃がす先を,アースとするか,共通浮遊電極とするかの点及び保護用トランジスタの接続態様の点で相違しているだけである。極とソース電極ないしドレイン電極によって接続された保護用トランジ100スタのもう一方の電極が接続される対象をアースとする構成に換えて,乙2発明の,上記の接続対象を共通浮遊電極である配線Aとする構成とすることは,当業者が容易に推考できると解するのが相当である。(イ)なお,前記ア(カ)のとおり,乙2文献には,「アクティブマトリックスが周辺回路などに接続されて組み立てが完了した時は,配線AもGND電位に接続するとよい。この場合は静電気だけでなく,周辺回路を通して入力するサージに対しても本発明の保護回路は役立つ。献には,現に,配線Aがフローティングの状態の構成が開示されていること,組立てが完了した後に配線Aの接地を推奨する上記記載も,組立て完了後の接地を推奨するだけであって,接地を必須の構成とするものではないこと,乙2文献の上記記載は,配線AをGND電位に接続すると,組立て途中に発生する静電気だけでなく,組立て完了後に発生するサージからも,トランジスタを保護することができるという趣旨であると解されるが,サージからのトランジスタの保護のためには,周辺回路におけるサージ保護回路を採用するなどの方法により,十分対処できるのであり,必ずしも,配線AをGND電位に接続する必要はないこと,組立て完了後に,保護用トランジスタの一方の接続先として配線AをGND電位に接続するために要する費用と時間を考慮すると,当業者としては,組立て完了後も,上記接続のための設計変更をせずに,保護用トランジスタの接続先をフローティングの状態のままとすることも十分考えられるところである。立て完了後も,配線Aを接地せずに,フローティングの状態のままとする構成を維持することを,容易に想到できるというべきである。構成(接続対象を共通浮遊電極である配線Aとする構成)を適用することはできない旨主張する。この原告主張の要旨は,分散放電の技術思想がない場合は,アースに換えて共通浮遊電極を設置するという発想が生じないというものであると解される。判示したとおり,乙2文献には,「第2図のアクティブマトリックスが組立工程の途上にある時は,配線Aはフローティングになっている。従って前記静電気が配線Aに流れる割合は,配線Aのフローティング電位と該配線の容量によって決まる。」,「配線Aの容量は大きい方が静電気による破壊防止の効果が大きい。具体的には配線Aの配線巾を大きくしたり,第2図に示した配線Aはアクテイブマトリックスの外周1/2に配線されているが,全外周に配線することなどにより,配線Aの面積をより大きくするとよい。路において,配線Aは,静電気等の放出先として設置されたものであり,同配線Aを通じて,XラインないしYラインに生じた静電気等を他のXラインないしYラインに分散することまでも目的として設けられたものではないと認められる。線と他の端子との間に保護用トランジスタを接続するというものであり,技術分野及び解決すべき課題が共通している。立て完了後も,保護用トランジスタの接続先をフローティングの状態のまま維持することも十分考えられるというべきである。留まり良く製作することが可能となった。」(3頁左下欄20行ないし右下欄5行)との記載にあるように,乙1発明は,製作中のトランジスタの破損防止を目的としているから,当業者にとって,乙1発明のアースを,乙2文献で記載されているフローティングの状態である配線Aと103することの,動機付けが認められるというべきである。線Aとする乙2発明の構成を適用することの動機付けが認められ,原告の上記主張は理由がない。(エ)また,原告は,乙2文献には,1つのXラインに印加された静電気を他のXラインに放電するという本件発明の技術思想が記載されているとはいえないから,乙1発明に乙2発明に開示された保護回路の構成を適用しても,両発明には,本件発明の分散放電の技術思想が開示されておらず,本件発明を想到することはできないと主張する。判断が左右されるものではない。その審決取消訴訟における発明の要旨認定の場合と同じ認定手法によるのが相当と認められる。したがって,上記権利行使の制限の主張が行われた場合の発明の要旨認定は,原則として,特許請求の範囲の記載に基づいて行われ,明細書の発明の詳細な説明の記載や図面が参酌されるのは,特許請求の範囲の記載の技術的意義が一義的に明確に理解することができないとか,あるいは,一見してその記載が誤記であることが明細書の発明の詳細な説明の記載に照らして明らかであるなどの特段の事情がある場合に限られると解すべきである。ところで,本件明細書(甲10添付)には,発明の詳細な説明の欄において,「共通浮遊電極を設けた場合には,静電気は2端子素子から共通浮遊電極さらに2端子素子を通して他の複数の端子に放電されるので,さらに印加電圧を低くすることができる。」,「第6図は,さらに第5図の例において遮光膜を第1主電極延在部27として第1主電極106に接続した例で,両方向に電流を流しやすい構造を有している。介して他の外部取り出し端子に流れる方向には流れにくくなっているものと認められる。すると,本件特許の特許請求の範囲の記載からみて,分散放電の105技術思想ないしそれを実現する構成は,本件発明の必須の内容とはされていないというべきである。したがって,原告の上記主張は理由がない。b仮に,原告の主張に係る分散放電を,本件発明の構成でも実現できる程度のものと解した場合でも,以下のとおり,原告の上記主張には理由がない。放電と本件発明の構成によって実現できる分散放電との差は,程度の差にすぎないというべきである。能という程度にすぎず,この程度のものであれば,当業者は,通常,保護用トランジスタの接続先を共通浮遊電極とする構成を採用することにより,当然に,実現できるものであると予測するものと解される。この点,乙8文献にも,「この時列電極線3は基板周辺において,106第2図のA,Dで示される様に互いに短絡して構成するとともに,さらに,E,F,G,Hで示される様に周辺で行電極線ともコンタクトを取り,すべての行電極線と列電極線が同電位となる様にする。降の工程において,いかなる静電気にさらされても,基板内は常に同電位に保たれるので,静電気に対し,非常に強くなる。体は,本件出願時に公知のものといえる。示されていないとしても,そのことのみを理由として,本件発明に進歩性が認められるものではないと解するのが相当である。したがって,原告の上記主張は理由がない。散放電の効果を実現できることになる。107したがって,この観点からも,原告の上記主張は理由がない。極の間にオフセット領域を設定することも可能である。電圧より高く,破壊電圧より低い電圧で電流が流れる様,寸法,構造が選ばれている。」(同3頁20行ないし21行),「第4図は第3図aの2端子素子の付加ゲート電極12と第2主電極106を短絡した例で,第2主電極106に電圧が印加されたときTFTのVとほぼ同じ値THで電流が流れる。そのため静電気保護素子と用いるときには,TFTよりチャンネル長を長く,またはチャンネル幅を狭くすることが望ましい。第2主電極106を共通浮遊電極に接続することが好ましい。第5図は,第4図の例において付加ゲート電極12と第1主電極105の間に平面的重畳をなくし,いわゆるオフセットを設け,見かけ上VTHを高くした例である。法等によっても調整できるものと認められ,当業者としても,そのような認識を有しているものと推測される。DS108格化して示す。Dはほぼ飽和電流に達する。T下し,ゲート電極2に過大な電圧が印加されるのを防止することができた。十分に飽和電流まで駆動でき,且つ,飽和電流を与えるゲ1ート電圧以上ではゲート回路の入力インピダンスは急激に減少する。この様に保護トランジスタの接続段数は必要に応じて増減すれば良い。」(2頁左下欄14行ないし右下欄11行)との記載があり,同記載からすれば,乙1発明において,設置すべき保護用トランジスタの個数は,適宜増減できることが開示されているものと認められる。駆動に支障が生じ,消1費電力も増加するという問題が生じる旨主張し,また,上記の問題が生じることを避けるために,乙1発明においては,保護用トランジスタを2個直列に接続させた旨主張する。少させることは,同トランジスタを1個とすることを意味する。記しているのは,このことを前提にしたものであると解するのが相当である。提に考えれば(アースを共通浮遊電極に換えた構成を前提とすれば),原告が指摘する上記の問題は生じないこととなる。したがって,原告の上記主張は理由がない。(ウ)以上のとおり,乙1発明における,順方向接続態様で直列に接続した2個の保護用トランジスタを,順方向接続態様の1個の保護用トランジスタとすることは,当業者が適宜選択できる設計事項にすぎないというべきであり,相違点2に係る本件発明の構成は,当業者が容易に推考し得ることである。工程と全く同じ工程で同時に可能であり,且つ各要素トランジスタの過大ゲート電圧が印加されるのを防止できた。規模に集積したTFTアレーを歩留り良く製作することが可能となった。」(3頁左下欄16行ないし右下欄5行)と記載されており,また,110乙4文献には,「工程数の増加は必然的にコストの上昇と歩留りの低下に反映するので工程数の増加を防ぎつつ保護ダイオードを内蔵させたMOSトランジスタを得ることは極めて重要である。」(3頁左上欄10行ないし14行)と記載されている。気から保護するためのトランジスタやダイオードの作製において,工程数を増やさないようにすることは周知の課題といえる。線を構成する時に同じに作り込めば良い。」(2頁右上欄5行ないし9行)と記載されているように,当業者が当然に採用する技術的手段にすぎないというべきである。したがって,相違点3に係る本件発明の構成は当業者が容易に推考し得ることである。オ以上によれば,本件発明は,乙1発明及び乙2発明の技術に基づいて,当業者が容易に発明をすることができたものであって,特許無効審判により無効にされるべきものと認められる。2したがって,その余の点について判断するまでもなく,原告の請求は理由が111ない。