この判例には、下記の判例・審決が関連していると思われます。主文1原告の請求を棄却する。2訴訟費用は原告の負担とする。第1請求2被告は,原告に対して,金30億円及びこれに対する平成19年4月10日から支払済みまで年5分の割合による金員を支払え。本件は,薄膜トランジスタ装置に関する特許権を有していた原告が,被告に対して,被告が輸入,販売した別紙物件目録記載の製品(以下「被告製品」という。)が上記特許権に係る発明の技術的範囲に属し,上記特許権を侵害するとして,民法703条に基づき,不当利得103億円のうち30億円の返還及びこれに対する本訴状送達日の翌日である平成19年4月10日から支払済みに至るまで民法所定の年5分の割合による遅延損害金の支払を求めている事案である。1争いのない事実等(争いのない事実以外は,証拠を末尾に記載する。原告は,次の特許(以下「本件特許」という。本件特許の請求項1に係る発明を「本件発明」といい,本件発明に係る特許権を「本件特許権」という。前記半導体薄膜と同時に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。本件発明を構成要件に分説すると,次のとおりとなる。前記半導体薄膜と同時に形成されていることHを特徴とする薄膜トランジスタ装置。被告は,業として,被告製品を輸入し,販売した。(4)本件発明と被告製品との対比ア被告製品は,本件発明の構成要件A,F,Hを充足する。イ構成要件Bについて被告製品に使用されている回路保護用TFT素子は,外部取り出し端子と共通浮遊電極の間に存在する。極(本件発明の「第2主電極」に相当)を有しており,絶縁基板上に存在する。被告製品は,ゲート電極が薄膜半導体の基板側にある逆スタガー型である。エ構成要件Dについて被告製品に使用されている回路保護用TFT素子のゲート電極は,ソース電極(第1主電極)及びドレイン電極(第2主電極)と「平面的に重畳5するように」設けられている。図1の下側の素子,及び同図2の下側2つの素子に対応する素子は,ゲート電極及びドレイン電極(第2主電極)が「外部取り出し端子」に,ソース電極(第1主電極)が「共通浮遊電極」に,それぞれ接続している。素用TFTのゲート電極等と同時に形成されている。(5)本件特許の出願の経緯ア原告は,昭和59年9月26日,本件特許の出願(以下「本件出願」といい,その願書に添付した明細書を「当初明細書」という。件出願は,平成5年8月20日に出願公告されたが,公告時の特許請求の範囲請求項1は,別紙?@のとおりである。下「本件補正」という。)をし(甲19),異議決定,登録査定を経て,平成8年3月19日,本件特許の設定登録がされた。