略平坦な上面を露出させるように設けられた封止材(10)とを備える。備える電力変換装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。)と、IGBTに電気的に接続されるリードフレームと、IGBTとリードフレームとを内部に含むように設けられるモールド樹脂とを備える半導体装置(電力変換装置)が開示されている。この半導体装置では、外部との電気的な接続が可能なように、リードフレームがモールド樹脂の側面から突出してはみ出すように形成されている。特開2008-103623号公報しかしながら、上記特許文献1に記載の半導体装置では、半導体装置と外部の配線とを接続するために、リードフレームがモールド樹脂の側面からはみ出しているので、その分半導体装置が大きくなり、その結果、小型化を図ることが困難であるという問題点がある。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、小型化を図ることが可能な電力変換装置を提供することである。上面において電極接続用導体部の略平坦な上面を露出させるように構成されている。側面からはみ出させる場合と異なり、電力変換装置が大きくなるのを抑制することができる。小型化を図ることができる。発生する熱を上方へ放熱する際の放熱量をより増加させることができる。電極のうち、同電位の複数の電極同士を電気的に接続する電極接続用導体部を設けることによって、同電位の複数の電極に個別に接続された複数の導体部を個別に外部と電気的に接続する構造に比べて、構造を簡素化しながら容易に外部と電気的に接続することができる。本発明の第1実施形態によるパワーモジュールの断面図である。本発明の第1実施形態によるパワーモジュール本体部の平面図である。図2の1000-1000線に沿った断面図である。図2の1100-1100線に沿った断面図である。本発明の第1実施形態によるパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第1実施形態によるパワーモジュール本体部の裏面側から見た斜視図である。本発明の第1実施形態によるパワーモジュール本体部の回路図である。本発明の第2実施形態による樹脂材が形成されていない状態のパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第2実施形態によるパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第2実施形態によるパワーモジュール本体部の裏面側から見た斜視図である。本発明の第2実施形態によるパワーモジュール本体部の回路図である。本発明の第3実施形態による樹脂材が形成されていない状態のパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第3実施形態によるパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第3実施形態によるパワーモジュール本体部の回路図である。本発明の第4実施形態による樹脂材が形成されていない状態のパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第4実施形態によるパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第4実施形態によるパワーモジュール本体部の回路図である。本発明の第5実施形態による樹脂材が形成されていない状態のパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第5実施形態によるパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第5実施形態によるパワーモジュール本体部の回路図である。本発明の第6実施形態による樹脂材が形成されていない状態のパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第6実施形態によるパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第6実施形態によるパワーモジュール本体部の回路図である。本発明の第7実施形態による樹脂材が形成されていない状態のパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第7実施形態によるパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第7実施形態によるパワーモジュール本体部の回路図である。本発明の第8実施形態による樹脂材が形成されていない状態のパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第8実施形態によるパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第8実施形態によるパワーモジュール本体部の回路図である。本発明の第9実施形態による樹脂材が形成されていない状態のパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第9実施形態によるパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第9実施形態によるパワーモジュール本体部の回路図である。本発明の第10実施形態による樹脂材が形成されていない状態のパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。本発明の第10実施形態によるパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。図34の1200-1200線に沿った断面図である。本発明の第11実施形態による樹脂材が形成されていない状態のパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。図36の1300-1300線に沿った断面図である。本発明の第11実施形態による接続用電極の斜視図である。本発明の第12実施形態による樹脂材が形成されていない状態のパワーモジュール本体部の表面側から見た斜視図である。図39の1400-1400線に沿った断面図である。図40の拡大断面図である。本発明の第12実施形態による接続用電極の斜視図である。本発明の第11実施形態の変形例による接続用電極の斜視図である。本発明の第12実施形態の変形例による接続用電極の斜視図である。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。(第1実施形態)まず、図1~図7を参照して、本発明の第1実施形態によるパワーモジュール100の構成について説明する。第1実施形態では、本発明の電力変換装置をパワーモジュール100に適用する場合について説明する。図1に示すように、本発明の第1実施形態によるパワーモジュール100は、配線基板21と、2つのパワーモジュール本体部100aおよび100bとから構成されている。図1を参照して、配線基板21の詳細な構成について説明する。配線基板21は、ガラスエポキシ、セラミクス、ポリイミドなどからなる。配線基板21の下面には、P側ゲートドライバIC22と、N側ゲートドライバIC23とが実装されている。パワーモジュール100は、3相インバータ回路を構成している。パワーモジュール本体部100aは、3相インバータ回路の上側アームとして機能する。パワーモジュール本体部100bは、3相インバータ回路の下側アームとして機能する。パワーモジュール本体部100aは、P側ゲート金属端子24、P側ソース金属端子25、P側ドレイン金属端子26およびP側アノード金属端子27を介して、配線基板21に取り付けられている。P側ゲート金属端子24、P側ソース金属端子25、P側ドレイン金属端子26およびP側アノード金属端子27は、ピン状(円柱形状)に形成されている。後述する樹脂材10の表面から露出するゲート端子4(ソース端子5、ドレイン・カソード端子6、アノード端子7)の略平坦な上面4a(上面5a、上面6a、上面7a)(図2参照)は、P側ゲート金属端子24(P側ソース金属端子25、P側ドレイン金属端子26、P側アノード金属端子27)を介して配線基板21に電気的に接続されている。パワーモジュール本体部100bは、N側ゲート金属端子28、N側ソース金属端子29、N側ドレイン金属端子30およびN側アノード金属端子31を介して、配線基板21に取り付けられている。N側ゲート金属端子28、N側ソース金属端子29、N側ドレイン金属端子30およびN側アノード金属端子31は、ピン状(円柱形状)に形成されている。後述する樹脂材10の表面から露出するゲート端子4(ソース端子5、ドレイン・カソード端子6、アノード端子7)の略平坦な上面4a(上面5a、上面6a、上面7a)(図2参照)は、N側ゲート金属端子28(N側ソース金属端子29、N側ドレイン金属端子30、N側アノード金属端子31)を介して配線基板21に電気的に接続されている。配線基板21の一方端側には、P側金属端子32およびN側金属端子33が設けられている。P側金属端子32は、配線基板21の内部に設けられる導電性金属板からなるバスバー状の配線34を介して、パワーモジュール本体部100aのP側ドレイン金属端子26に接続されている。パワーモジュール本体部100aのP側ソース金属端子25とP側アノード金属端子27とは、配線基板21の内部に設けられる配線34を介して、パワーモジュール本体部100bのN側ドレイン金属端子30に接続されている。パワーモジュール本体部100bのN側ソース金属端子29およびN側アノード金属端子31は、配線基板21の内部に設けられる配線34を介して、配線基板21の一方端側に設けられるN側金属端子33に接続されている。P側ゲートドライバIC22は、パワーモジュール本体部100aのP側ゲート金属端子24近傍で、かつ、配線基板21とパワーモジュール本体部100aとの間に配置されている。配線基板21とパワーモジュール本体部100aとの間の間隔は、P側ゲートドライバIC22の厚みよりも大きくなるように構成されている。P側ゲートドライバIC22は、配線基板21の一方端側に設けられるP側制御信号端子35に接続されている。N側ゲートドライバIC23は、パワーモジュール本体部100bのN側ゲート金属端子28近傍で、かつ、配線基板21とパワーモジュール本体部100bとの間に配置されている。配線基板21とパワーモジュール本体部100bとの間の間隔は、N側ゲートドライバIC23の厚みよりも大きくなるように構成されている。N側ゲートドライバIC23は、配線基板21の一方端側に設けられるN側制御信号端子36に接続されている。P側ゲートドライバIC22およびN側ゲートドライバIC23を、それぞれ、パワーモジュール本体部100aおよびパワーモジュール本体部100bの金属端子近傍に配置することにより、配線インダクタンスを小さくすることができるので、ノイズなどの外乱に対する耐量が増し、また、後述する複数の半導体素子52a、52b、53a、53b(図12、図15、図18、図27、図30参照)を、ばらつきを抑えてほぼ同じタイミングでスイッチング動作させることが容易になる。配線基板21と、パワーモジュール本体部100aおよびパワーモジュール本体部100bとは、所定の距離(空間)を隔てて配置されている。配線基板21と、パワーモジュール本体部100aおよびパワーモジュール本体部100bとの間の空間を埋めるように、封止機能を有する絶縁性の樹脂材37が充填されている。これにより、配線基板21と、パワーモジュール本体部100aおよびパワーモジュール本体部100bとが固定される。配線基板21と、パワーモジュール本体部100aおよびパワーモジュール本体部100bとを接続しているP側ゲート金属端子24、P側ソース金属端子25、P側ドレイン金属端子26、P側アノード金属端子27、N側ゲート金属端子28、N側ソース金属端子29、N側ドレイン金属端子30およびN側アノード金属端子31が腐食するのを抑制することが可能となる。絶縁性の樹脂材37の材質は、半導体素子2および半導体素子3の発熱温度等に応じて適切なものが選択される。次に、図2~図7を参照して、パワーモジュール本体部100a(100b)の詳細な構成について説明する。図2~図4に示すように、パワーモジュール本体部100a(100b)には、ドレイン・カソード電極放熱板1と、半導体素子2と、半導体素子3と、ゲート端子4と、ソース端子5と、ドレイン・カソード端子6と、アノード端子7とが設けられている。ドレイン・カソード電極放熱板1、ゲート端子4、ソース端子5、ドレイン・カソード端子6およびアノード端子7は、絶縁物を含まない銅(Cu)、銅モリブデン(CuMo)などの金属からなる。ドレイン・カソード電極放熱板1は、金属板からなる。ここで、第1実施形態では、半導体素子2は、Si系半導体より高温動作が可能なシリコンカーバイド(SiC)のFET(電界効果トランジスタ)である。半導体素子2は、図3に示すように、半導体素子2の主表面に設けられる制御電極2aおよびソース電極2bと、裏面に設けられるドレイン電極2cとを有する。「電圧駆動型トランジスタ素子」の一例である。ソース電極2bは、本発明の「第1電極」の一例である。ドレイン電極2cは、本発明の「第2電極」の一例である。ドレイン・カソード電極放熱板1は、本発明の「第2電極用導体」および「第2金属板」の一例である。半導体素子3は、Si系半導体より高温動作が可能なシリコンカーバイド(SiC)のファーストリカバリーダイオード(FRD)からなり、アノード電極3aとカソード電極3bとを有する。半導体素子3のカソード電極3bは、半導体素子2のドレイン電極2cと電気的に接続されており、半導体素子3は、還流ダイオード(図7参照)としての機能を有する。アノード電極3aは、本発明の「第1ダイオード電極」の一例である。カソード電極3bは、本発明の「第2ダイオード電極」の一例である。「還流ダイオード素子」の一例である。図3に示すように、半導体素子2と、半導体素子3とは、それぞれ、半田からなる接合材8を介してドレイン・カソード電極放熱板1の表面上に接合されている。半導体素子2のドレイン電極2cがドレイン・カソード電極放熱板1に電気的に接続されている。半導体素子3のカソード電極3bがドレイン・カソード電極放熱板1に電気的に接続されている。第1実施形態では、ドレイン・カソード電極放熱板1は、同電位である半導体素子2の裏面のドレイン電極2cと半導体素子3の裏面のカソード電極3bとを接続するように構成されている。この種の半導体素子を用いた場合では、接合箇所の温度が約250°C近くまで上昇する。これにより、接合材8は、耐熱性の高いAu-20Sn、Zn-30Sn、Pb-5Snなどの半田から形成されている。接合箇所の温度が約400°C近くまで上昇する場合には、接合材8は、さらに耐熱性の高い有機層被覆ナノAg粒子などから形成される。ゲート端子4は、接合材8を介して半導体素子2の表面上(ゲート電極2a上)に接合されている。第1実施形態では、ゲート端子4は、柱形状を有しており、半導体素子2の表面(上面)上からパワーモジュール本体部100a(100b)の上方(矢印Z1方向)に向かって延びるように形成されている。ゲート端子4は、パワーモジュール本体部100a(100b)の外側(矢印X1方向)に向かって延びるように形成されている。ゲート端子4の上面4aは、略平坦で、かつ、平面的に見て、略矩形形状(図2参照)を有する。ゲート端子4は、半導体素子2が発生する熱を上面4aから放熱する機能を有する。「第1電極用導体」の一例である。ソース端子5は、接合材8を介して半導体素子2の表面上(ソース電極2b上)に接合されている。第1実施形態では、ソース端子5は、柱形状を有しており、半導体素子2の表面上からパワーモジュール本体部100a(100b)の上方(矢印Z1方向)に向かって延びるように形成されている。ソース端子5の上面5aは、略平坦で、かつ、平面的に見て、略矩形形状(図2参照)を有する。ソース端子5は、半導体素子2が発生する熱を上面5aから放熱する機能を有する。1電極用導体」および「トランジスタ電極用導体」の一例である。ドレイン・カソード端子6は、接合材8を介して、ドレイン・カソード電極放熱板1の表面上に接合されている。第1実施形態では、ドレイン・カソード端子6は、柱形状を有しており、ドレイン・カソード端子6は、半導体素子2および半導体素子3から離間した位置に配置されている。ドレイン・カソード端子6は、パワーモジュール本体部100a(100b)の端部近傍(図2参照)に沿って所定の間隔で6つ配置されている。ドレイン・カソード端子6は、半導体素子2および半導体素子3よりも上方に延びるように配置されている。ドレイン・カソード端子6の上面6aは、略平坦で、かつ、平面的に見て、略矩形形状(図2参照)を有する。ドレイン・カソード端子6は、半導体素子2が発生する熱を上面6aから放熱する機能を有する。6つのドレイン・カソード端子6の上面6aの高さは、それぞれ、略同じである。「第2接続用導体」の一例である。アノード端子7は、接合材8を介して半導体素子3の表面上(アノード電極3a上)に接合されている。第1実施形態では、アノード端子7は、柱形状を有しており、半導体素子3の表面上からパワーモジュール本体部100a(100b)の上方(矢印Z1方向)に向かって延びるように形成されている。アノード端子7の上面7aは、略平坦で、かつ、平面的に見て、略矩形形状(図2参照)を有する。アノード端子7は、半導体素子3が発生する熱を上面7aから放熱する機能を有する。1電極用導体」および「ダイオード電極用導体」の一例である。ゲート端子4の上面4a、ソース端子5の上面5a、ドレイン・カソード端子6の上面6a、およびアノード端子7の上面7aは、略同じ高さを有するように形成されている。一般的なパワーモジュールでは、半導体素子と電極との間の接合は、DBCなど絶縁回路基板上の導体部分とワイヤボンディングを介して配線されている。このような配線方法では、配線インダクタンスが比較的大きくなるため、パワーモジュールを高周波でスイッチングした場合、スイッチングロスが増加する。高温でスイッチングさせた場合、電気抵抗の増加による発熱が生じる。第1実施形態のゲート端子4、ソース端子5、ドレイン・カソード端子6(アノード端子7)は、接合材8を介して半導体素子2(半導体素子3)に直接接合されることにより、ワイヤボンディングを用いる場合に比べて配線の面積が増加し、配線インダクタンスが小さくなる。よってパワーモジュール本体部100a(100b)を高周波でスイッチングさせても電気抵抗の増加による発熱および電力ロスの低減が可能となる。図2~図4に示すように、半導体素子2、半導体素子3、ゲート端子4、ソース端子5、ドレイン・カソード端子6、アノード端子7およびドレイン・カソード電極放熱板1の側面を取り囲むように覆うように、シリコンゲルなどからなる絶縁性の樹脂材10が設けられている。これにより、樹脂材10は、パワーモジュール本体部100a(100b)の外形面を形成する。この樹脂材10は、半導体素子2、半導体素子3、ゲート端子4、ソース端子5、ドレイン・カソード端子6、アノード端子7間の絶縁を行う絶縁体としての機能と、半導体素子2および半導体素子3への水分などの浸入を防止する封止材としての機能とを有する。樹脂材10は、本発明の「封止材」の一例である。図5に示すように、樹脂材10は、ゲート端子4の上面4a、ソース端子5の上面5a、ドレイン・カソード端子6の上面6aおよびアノード端子7の上面7aが、上面から露出するように設けられる。樹脂材10の上面は、ゲート端子4の上面4a、ソース端子5の上面5a、ドレイン・カソード端子6の上面6aおよびアノード端子7の上面7aと略同じ高さを有する。樹脂材10(パワーモジュール本体部100a、100b)から露出したゲート端子4の上面4a、ソース端子5の上面5a、ドレイン・カソード端子6の上面6aおよびアノード端子7の上面7aにおいて、外部との電気的接続が行われるように構成されている。図6に示すように、ドレイン・カソード電極放熱板1は、樹脂材10の裏面から露出している。第1実施形態では、上記のように、パワーモジュール本体部100a(100b)の上面において露出したゲート端子4(ソース端子5、ドレイン・カソード端子6、アノード端子7)の上面4a(上面5a、上面6a、上面7a)において外部との電気的接続を行うことによって、パワーモジュール本体部100a(100b)と外部の配線とを接続するために電極をパワーモジュール本体部100a(100b)の側面からはみ出させる場合と異なり、パワーモジュール本体部100a(100b)が大きくなるのを抑制することができる。その結果、パワーモジュール本体部100a(100b)の小型化を図ることができる。同電位の複数の電極同士を電気的に接続するドレイン・カソード電極放熱板1(ドレイン・カソード端子6)の略平坦な上面(上面6a)を露出させることによって、同電位の複数の電極同士を接続する比較的平面積の大きいドレイン・カソード電極放熱板1(ドレイン・カソード端子6)の上面(上面6a)により、半導体素子2および3から発生する熱を上方へ放熱する際の放熱量をより増加させることができる。同電位である半導体素子2のドレイン電極2cと半導体素子3のカソード電極3bとを接続するようにドレイン・カソード電極放熱板1を構成する。これにより、同電位の複数の電極に個別に接続された複数の導体部を個別に外部と電気的に接続する構造に比べて、構造を簡素化しながら容易に外部と電気的に接続することができるまた、第1実施形態では、上記のように、ゲート端子4、ソース端子5、ドレイン・カソード端子6およびアノード端子7が、上方に延びる柱形状を有する。ゲート端子4の上面4a、ソース端子5の上面5a、ドレイン・カソード端子6の上面6aおよびアノード端子7の上面7aが略平坦に形成されている。これにより、ゲート端子4、ソース端子5、ドレイン・カソード端子6およびアノード端子7が柱形状を有しているので、ゲート端子4、ソース端子5、ドレイン・カソード端子6およびアノード端子7がたとえば細いワイヤー状である場合と異なり、配線インダクタンスを小さくすることができる。その結果、配線インダクタンスが大きいことに起因して、半導体素子2および3が高速に動作できなくなるのを抑制することができる。柱形状のゲート端子4、ソース端子5、ドレイン・カソード端子6およびアノード端子7により、細いワイヤー状の電極用導体を用いる場合よりも放熱量を増加させることができるので、放熱性を向上させることができる。第1実施形態では、上記のように、ドレイン・カソード端子6を、パワーモジュール本体部100a(100b)の端部近傍に配置することによって、ゲート端子4およびソース端子5をパワーモジュール100a(100b)の中央部に配置することにより、ドレイン・カソード端子6と、ゲート端子4およびソース端子5と、の間の距離を大きくすることができるので、ドレイン・カソード端子6と、ゲート端子4およびソース端子5と、が短絡するのを抑制することができる。第1実施形態では、樹脂材10を、パワーモジュール100a(100b)の外形面を構成するように設けることによって、半導体素子2、半導体素子3、ゲート端子4、ソース端子5、ドレイン・カソード端子6およびアノード端子7が樹脂材10の内部に含まれるので、外部からの衝撃に起因して半導体素子2および3が破損するのを抑制することができる。ゲート端子4、ソース端子5、ドレイン・カソード端子6およびアノード端子7が短絡するのを抑制することができる。第1実施形態では、上記のように、半導体素子2および3を、SiCからなる半導体にすることによって、Siからなる半導体の場合より高温に動作させることができる。第1実施形態では、上記のように、樹脂材10の上面から露出されたゲート端子4(ソース端子5、ドレイン・カソード端子6、アノード端子7)の略平坦な上面4a(上面5a、上面6a、上面7a)に電気的に接続される配線基板21を設けることによって、容易に、配線基板21を介してゲート端子4(ソース端子5、ドレイン・カソード端子6、アノード端子7)に電力を供給することができる。(第2実施形態)次に、図8~図11を参照して、第2実施形態について説明する。この第2実施形態では、上記第1実施形態のソース端子5の上面5aとアノード端子7の上面7aとが電気的に接続されている。図8に示すように、パワーモジュール本体部100cでは、同電位であるソース端子5の上面5aとアノード端子7の上面7aとが、接続用金属板11によって接続されている。これにより、ソース端子5とアノード端子7とが電気的に接続(図11参照)される。ソース端子5の上面5aとアノード端子7の上面7aとは、半田からなる接合材8を介して接続用金属板11に接続されている。接続用金属板11は、ソース端子5の略平坦な上面5aとアノード端子7の略平坦な上面7aとに跨るように配置されている。接続用金属板11の上面11aは、略平坦に形成されている。同電位である半導体素子2の裏面のドレイン電極2cと半導体素子3の裏面のカソード電極3bとを接続するようにドレイン・カソード電極放熱板1が設けられている。ドレイン・カソード電極放熱板1の表面上には、半導体素子2および半導体素子3から離間するように、ドレイン・カソード電極放熱板1の端部近傍に6つのドレイン・カソード端子6が配置されている。ゲート端子4の上面4aと、接続用金属板11の上面11aと、6つのドレイン・カソード端子6の上面6aとは、互いに略同じ高さを有する。接続用金属板11は、本発明の「第1接続用導体」および「第1金属板」の一例である。図9に示すように、半導体素子2、半導体素子3、ゲート端子4、接続用金属板11、ドレイン・カソード端子6、およびドレイン・カソード電極放熱板1の側面を取り囲むように覆うように、シリコンゲルなどからなる絶縁性の樹脂材10aが設けられている。これにより、樹脂材10aは、パワーモジュール本体部100cの外形面を形成する。樹脂材10aは、本発明の「封止材」の一例である。樹脂材10aは、ゲート端子4の上面4a、接続用金属板11の上面11a、および、ドレイン・カソード端子6の上面6aが、上面から露出するように設けられる。樹脂材10aの上面は、ゲート端子4の上面4a、接続用金属板11の上面11a、および、ドレイン・カソード端子6の上面6aと略同じ高さを有する。樹脂材10aから露出したゲート端子4の上面4a、接続用金属板11の上面11a、および、ドレイン・カソード端子6の上面6aにおいて、外部との電気的接続が行われるように構成されている。図10に示すように、ドレイン・カソード電極放熱板1は、樹脂材10aの裏面から露出している。第2実施形態では、上記のように、同電位であるソース端子5の上面5aとアノード端子7の上面7aとを接続用金属板11によって接続する。これにより、ソース端子5の上面5aとアノード端子7の上面7aとが接続用金属板11により接続されていない場合と比べて、パワーモジュール本体部100cの下面側の金属部分(ドレイン・カソード電極放熱板1)と、上面側の金属部分(ゲート端子4の上面4a、接続用金属板11の上面11aおよびドレイン・カソード端子6の上面6a)との面積の差が小さくなる。その結果、パワーモジュール本体部100cの下面側と上面側とで、金属部分の熱膨張の差が小さくなる。これにより、金属部分の熱膨張の差に起因して、パワーモジュール本体部100cの各接合部におけるクラックの発生を抑制することができる。同電位であるソース端子5の上面5aとアノード端子7の上面7aとを接続用金属板11によって接続することによって、ソース端子5の上面5aとアノード端子7の上面7aとが接続用金属板11により接続されていない場合と比べて、上面からの放熱面積を増加させることができるので、放熱量を増加させることができる。第2実施形態では、上記のように、ソース端子5の略平坦な上面5aとアノード端子7の略平坦な上面7aとに跨るように接続用金属板11を配置する。これにより、容易に、ソース端子5とアノード端子7とを電気的に接続することができる。第2実施形態では、上記のように、ゲート端子4の上面4a、接続用金属板11の上面11a、および、ドレイン・カソード端子6の上面6aが、上面から露出するように樹脂材10aを設ける。これにより、ゲート端子4、接続用金属板11、および、ドレイン・カソード端子6が、樹脂材10aに覆われている場合と異なり、半導体素子2および半導体素子3から発熱された熱をゲート端子4の上面4a、接続用金属板11の上面11a、および、ドレイン・カソード端子6の上面6aから上方へ放熱する際の放熱量を増加させることができる。ゲート端子4の上面4a、接続用金属板11の上面11a、および、ドレイン・カソード端子6の上面6aを樹脂材10aの上面において露出させることにより、樹脂材10aの上面において外部との電気的な接続を容易に行うことができる。第2実施形態では、上記のように、ゲート端子4の上面4aと、接続用金属板11の上面11aと、6つのドレイン・カソード端子6の上面6aとを、互いに略同じ高さを有するように構成する。これにより、ゲート端子4、接続用金属板11およびドレイン・カソード端子6の上面において外部との電気的な接続を行う際に、配線基板や電極などを容易に配置することができる。その結果、外部との電気的な接続を容易に行うことができる。(第3実施形態)次に、図12~図14を参照して、第3実施形態について説明する。この第3実施形態では、上記半導体素子2と半導体素子3とが1つずつ設けられる第1実施形態と異なり、半導体素子2と半導体素子3とが、それぞれ、複数設けられている。図12に示すように、パワーモジュール本体部100dでは、2つの半導体素子52aおよび52bと、2つの半導体素子53aおよび53bとが、それぞれ、半田からなる接合材8を介してドレイン・カソード電極放熱板1の表面上に接合されている。半導体素子52aおよび52bは、Si系半導体より高温動作可能なシリコンカーバイトのFET(電界効果トランジスタ)である。半導体素子53aおよび53bは、Si系半導体より高温動作が可能なシリコンカーバイド(SiC)で還流ダイオードとして機能するファーストリカバリーダイオード(FRD)からなる。半導体素子52aおよび52bのドレイン電極がドレイン・カソード電極放熱板1(ドレイン・カソード端子6)に電気的に接続(図14参照)されている。半導体素子53aおよび53bのカソード電極がドレイン・カソード電極放熱板1(ドレイン・カソード端子6)に電気的に接続(図14参照)されている。半導体素子52aおよび52bの上面には、それぞれ、ゲート端子54aおよび54bが接続されている。半導体素子52aおよび52bの上面には、それぞれ、ソース端子55aおよび55bが接続されている。半導体素子53aおよび53bの上面には、それぞれ、アノード端子57aおよび57bが接続されている。「電圧駆動型トランジスタ素子」の一例である。「還流ダイオード素子」の一例である。図13に示すように、半導体素子52aおよび52b、半導体素子53aおよび53b、ゲート端子54aおよび54b、ソース端子55aおよび55b、ドレイン・カソード端子6、アノード端子57aおよび57b、ドレイン・カソード電極放熱板1の側面を取り囲むように覆うように、シリコンゲルなどからなる絶縁性の樹脂材10bが設けられている。これにより、樹脂材10bは、パワーモジュール本体部100dの外形面を形成する。樹脂材10bは、本発明の「封止材」の一例である。図13に示すように、樹脂材10bは、ゲート端子54aの上面541a、ゲート端子54bの上面541b、ソース端子55aの上面551a、ソース端子55bの上面551b、ドレイン・カソード端子6の上面6a、アノード端子57aの上面571a、アノード端子57bの上面571bが、上面から露出するように設けられる。第3実施形態では、上記のように、パワーモジュール本体部100dに、2つの半導体素子52aおよび52bと、2つの半導体素子53aおよび53bとを設ける。これにより半導体素子の並列数が多くなるので大電流を流すことができる。第3実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。(第4実施形態)次に、図15~図17を参照して、第4実施形態について説明する。この第4実施形態では、上記第3実施形態の2つの半導体素子52aおよび52bのソース端子55aおよび55b同士を電気的に接続している。上記第3実施形態の2つの半導体素子53aおよび53bのアノード端子57aおよび57b同士を電気的に接続している。図15に示すように、パワーモジュール本体部100eでは、2つの半導体素子52aおよび52bのソース端子55aおよび55b同士が、半田からなる接合材8を介して接続用金属板12により接続されている。これにより、2つの半導体素子52aおよび52bが並列接続(図17参照)される。2つの半導体素子53aおよび53bのアノード端子57aおよび57b同士が、半田からなる接合材8を介して接続用金属板13により接続されている。これにより、2つの半導体素子53aおよび53bが並列接続(図17参照)される。図16に示すように、樹脂材10cは、ゲート端子54aの上面541a、ゲート端子54bの上面541b、接続用金属板12の上面12a、接続用金属板13の上面13a、および、ドレイン・カソード端子6の上面6aが、上面から露出するように設けられる。樹脂材10cは、本発明の「封止材」の一例である。第4実施形態では、上記のように、2つの半導体素子52aおよび52bのソース端子55aおよび55b同士を接続用金属板12により接続する。2つの半導体素子53aおよび53bのアノード端子57aおよび57b同士を接続用金属板13により接続する。これにより、上記第2実施形態と比べて、パワーモジュール本体部100eの下面側の金属部分(ドレイン・カソード電極放熱板1)と、上面側の金属部分(ゲート端子4の上面4a、接続用金属板12の上面12a、接続用金属板13の上面13aおよびドレイン・カソード端子6の上面6a)との面積の差がより小さくなる。その結果、パワーモジュール本体部100eの下面側と上面側とで、金属部分の熱膨張の差がより小さくなる。これにより、金属部分の熱膨張の差に起因して、パワーモジュール本体部100eの各接合部におけるクラックの発生をより抑制することができる。ソース端子55aおよび55b(アノード端子57aおよび57b)同士を接続用金属板12(13)により接続することによって、ソース端子55aおよび55b(アノード端子57aおよび57b)が接続用金属板12(13)により接続されていない場合と比べて、上面からの放熱面積を増加させることができるので、放熱量を増加させることができる。第4実施形態のその他の効果は、上記第2および第3実施形態と同様である。(第5実施形態)次に、図18~図20を参照して、第5実施形態について説明する。この第5実施形態では、上記第3実施形態の半導体素子52aのソース端子55a、半導体素子52bのソース端子55b、半導体素子53aのアノード端子57a、および、半導体素子53bのアノード端子57bを電気的に接続している。図18に示すように、パワーモジュール本体部100fでは、半導体素子52aのソース端子55a、半導体素子52bのソース端子55b、半導体素子53aのアノード端子57a、および、半導体素子53bのアノード端子57bが、半田からなる接合材8を介して接続用金属板14により接続されている。これにより、4つの半導体素子53aおよび53b、半導体素子52aおよび52bが並列接続(図20参照)される。図19に示すように、樹脂材10dは、ゲート端子54aの上面541a、ゲート端子54bの上面541b、接続用金属板14の上面14a、および、ドレイン・カソード端子6の上面6aが、上面から露出するように設けられる。樹脂材10dは、本発明の「封止材」の一例である。第5実施形態では、上記のように、半導体素子52aのソース端子55a、半導体素子52bのソース端子55b、半導体素子53aのアノード端子57a、および、半導体素子53bのアノード端子57bを接続用金属板14により接続する。これにより、上記第4実施形態と比べて、パワーモジュール本体部100fの下面側の金属部分(ドレイン・カソード電極放熱板1)と、上面側の金属部分(ゲート端子4の上面4a、接続用金属板14の上面14aおよびドレイン・カソード端子6の上面6a)との面積の差がさらに小さくなる。その結果、パワーモジュール本体部100fの下面側と上面側とで、金属部分の熱膨張の差がさらに小さくなる。これにより、金属部分の熱膨張の差に起因して、パワーモジュール本体部100fの各接合部におけるクラックの発生をさらに抑制することができる。ソース端子55a、ソース端子55b、アノード端子57a、および、アノード端子57bを接続用金属板14により接続することによって、ソース端子55a、ソース端子55b、アノード端子57a、および、アノード端子57bが接続用金属板14により接続されていない場合と比べて、上面からの放熱面積を増加させることができるので、放熱量を増加させることができる。第5実施形態のその他の効果は、上記第2および第3実施形態と同様である。(第6実施形態)次に、図21~図23を参照して、第6実施形態について説明する。この第6実施形態では、ドレイン・カソード端子6が柱形状に形成されている上記第1~第5実施形態と異なり、ドレイン・カソード端子61がケース状(枠状)に形成されている。図21に示すように、パワーモジュール本体部100gでは、半導体素子2と、半導体素子3とは、それぞれ、半田からなる接合材8を介してドレイン・カソード電極放熱板1aの表面上に接合されている。ゲート端子4とソース端子5とが、接合材8を介して半導体素子2の表面上に接合されている。アノード端子7が、接合材8を介して半導体素子3の表面上に接合されている。ドレイン・カソード電極放熱板1aは、本発明の「第2電極用導体」および「第2金属板」の一例である。ここで、第6実施形態では、半導体素子2および半導体素子3をそれぞれ取り囲むように、ケース状(枠状)のドレイン・カソード端子61が接合材8または還元法によりドレイン・カソード電極放熱板1aの表面上に接合されている。還元法とは、たとえば銅(Cu)からなるドレイン・カソード端子61とドレイン・カソード電極放熱板1aとを熱することにより、ドレイン・カソード端子61とドレイン・カソード電極放熱板1aとの表面に形成される酸化銅から酸素を解離(還元)させた後、ドレイン・カソード端子61とドレイン・カソード電極放熱板1aとを接合する方法である。ドレイン・カソード端子61には、2つの開口部61aおよび61bが設けられている。開口部61aと61bとの間には、仕切り壁61cが設けられている。半導体素子2は、開口部61aの内部に配置されている。半導体素子3は、開口部61bの内部に配置されている。半導体素子2のドレイン電極と、半導体素子3のカソード電極と、ドレイン・カソード端子61とが同電位(図23参照)になる。2接続用導体」、および、「ケース部」の一例である。図22に示すように、ドレイン・カソード端子61の開口部61aおよび61bの内部には、シリコンゲルなどからなる絶縁性の樹脂材10eが充填されている。樹脂材10eは、ゲート端子4の上面4a、ソース端子5の上面5aおよびアノード端子7の上面7aが、上面から露出するように設けられる。樹脂材10eは、本発明の「封止材」の一例である。第6実施形態では、上記のように、半導体素子2および半導体素子3をそれぞれ取り囲むように、ドレイン・カソード電極放熱板1aの表面上に接合されたケース状(枠状)のドレイン・カソード端子61を設ける。これにより、ドレイン・カソード端子が柱形状に形成されている場合と比べて、表面積が大きくなる分、半導体素子2および半導体素子3から発熱された熱をより上方へ放熱させることができる。第6実施形態では、上記のように、樹脂材10eをドレイン・カソード端子61の開口部61aおよび61bの内部に充填する。これにより、樹脂材10eがパワーモジュール本体部100gからはみ出すのを容易に抑制することができる。(第7実施形態)次に、図24~図26を参照して、第7実施形態について説明する。この第7実施形態では、上記第6実施形態のソース端子5の上面5aとアノード端子7の上面7aとが電気的に接続されている。図24に示すように、パワーモジュール本体部100hでは、同電位であるソース端子5の上面5aとアノード端子7の上面7aとが、接続用金属板11によって接続されている。これにより、ソース端子5とアノード端子7とが電気的に接続(図26参照)される。半導体素子2および半導体素子3をそれぞれ取り囲むように、ケース状のドレイン・カソード端子62が接合材8を介してドレイン・カソード電極放熱板1aの表面上に接合されている。ドレイン・カソード端子62には、1つの開口部62aが設けられている。半導体素子2および半導体素子3は、1つの開口部62aの内部に配置されている。2接続用導体」および「ケース部」の一例である。図25に示すように、ドレイン・カソード端子62の開口部62aの内部には、シリコンゲルなどからなる絶縁性の樹脂材10fが充填されている。樹脂材10fは、ゲート端子4の上面4aおよび接続用金属板11の上面11aが、上面から露出するように設けられている。樹脂材10fは、本発明の「封止材」の一例である。第7実施形態の効果は、上記第2および第6実施形態と同様である。(第8実施形態)次に、図27~図29を参照して、第8実施形態について説明する。この第8実施形態では、上記第4実施形態の柱形状のドレイン・カソード端子6の代わりに、上記第6実施形態のケース状(枠状)のドレイン・カソード端子61が用いられている。図27に示すように、パワーモジュール本体部100iでは、2つの半導体素子52aおよび52bのソース端子55aおよび55b同士が、接続用金属板12により接続されている。これにより、2つの半導体素子52aおよび52bが並列接続(図29参照)される。2つの半導体素子53aおよび53bのアノード端子57aおよび57b同士が、接続用金属板13により接続されている。これにより、2つの半導体素子53aおよび53bが並列接続(図29参照)される。半導体素子2および半導体素子3をそれぞれ取り囲むように、ケース状のドレイン・カソード端子61が接合材8を介してドレイン・カソード電極放熱板1aの表面上に接合されている。図28に示すように、ドレイン・カソード端子61の2つの開口部61aおよび61bの内部には、シリコンゲルなどからなる絶縁性の樹脂材10gが充填されている。樹脂材10gは、ゲート端子4の上面4a、接続用金属板12の上面12aおよび接続用金属板13の上面13aが、上面から露出するように設けられる。樹脂材10gは、本発明の「封止材」の一例である。第8実施形態の効果は、上記第4および第6実施形態と同様である。(第9実施形態)次に、図30~図32を参照して、第9実施形態について説明する。この第9実施形態では、上記第5実施形態の四角柱形状のドレイン・カソード端子6の代わりに、上記第7実施形態のケース状(枠状)のドレイン・カソード端子62が用いられている。図30に示すように、パワーモジュール本体部100jでは、半導体素子52aのソース端子55aと、半導体素子52bのソース端子55bと、半導体素子53aのアノード端子57a、半導体素子53bのアノード端子57bとが、半田からなる接合材8を介して接続用金属板14により接続されている。これにより、4つの半導体素子52aおよび52b、半導体素子53aおよび53bが並列接続(図32参照)される。半導体素子2および半導体素子3をそれぞれ取り囲むように、ケース状のドレイン・カソード端子62が接合材8を介してドレイン・カソード電極放熱板1aの表面上に接合されている。ドレイン・カソード端子62の開口部62aの内部には、シリコンゲルなどからなる絶縁性の樹脂材10hが充填されている。樹脂材10hは、ゲート端子4の上面4aおよび接続用金属板14の上面14aが、上面から露出するように設けられる。樹脂材10hは、本発明の「封止材」の一例である。第9実施形態の効果は、上記第5および第7実施形態と同様である。(第10実施形態)次に、図33~図35を参照して、第10実施形態について説明する。この第10実施形態では、上記第6実施形態のドレイン・カソード端子61に、段差部64aおよび64bが設けられている。図33に示すように、パワーモジュール本体部100kでは、半導体素子2および半導体素子3をそれぞれ取り囲むように、ケース状(枠状)のドレイン・カソード端子63が接合材8を介してドレイン・カソード電極放熱板1aの表面上に接合されている。ドレイン・カソード端子63には、開口部63aおよび63bが設けられている。半導体素子2は、開口部63aの内部に配置されている。半導体素子3は、開口部63bの内部に配置されている。「第2電極用導体」の一例である。「第2接続用導体」の一例である。ここで、第10実施形態では、ドレイン・カソード端子63の開口部63aのソース端子5(突出部5b)に対向する部分には、周状に段差部64aが形成されている。図35に示すように、段差部64aの深さD1は、ソース端子5の上部の突出部5bの厚みt1よりも大きくなる(D1>t1)ように形成されている。突出部5bのX方向側の端部と、ドレイン・カソード端子63のX方向側の内側面との間の幅W1は、パワーモジュール本体部100kで使用する電圧に応じて必要な絶縁距離を確保するように設定される。突出部5bのX方向側の端部と、段差部64aのX方向側の内側面との間の幅W2は、シリコンゲルなどからなる絶縁性の樹脂材10i(図34参照)が流動できる程度の寸法を考慮して設定される。ドレイン・カソード端子63の開口部63bのソース端子5(突出部5b)に対向する部分にも、同様に、周状に段差部64bが形成されている。第10実施形態では、上記のように、ドレイン・カソード端子63のソース端子5に対向する部分に段差部64aおよび64bを設ける。これにより、ソース端子5(アノード端子7)とドレイン・カソード端子63との間の絶縁距離を保ちながら、シリコンゲルなどからなる絶縁性の樹脂材10iを流動させることができる。第10実施形態のその他の効果は、上記第6実施形態と同様である。(第11実施形態)次に、図36~図38を参照して、第11実施形態について説明する。この第11実施形態では、上記パワーモジュール本体部が、ピン状(円柱形状)に形成されている金属端子を介して配線基板に取り付けられている第1実施形態と異なり、パワーモジュール本体部100lが弾性変形可能な接続用電極71を介して配線基板21aに取り付けられている。図36および図37に示すように、パワーモジュール101は、パワーモジュール本体部100lと、配線基板21aと、パワーモジュール本体部100lおよび配線基板21aを接続する接続用電極71とによって構成されている。接続用電極71は、本発明の「接続部材」の一例である。パワーモジュール本体部100lでは、金属板からなるドレイン・カソード電極放熱板111の表面上に、複数の半導体素子112が接合材113を介して接合されている。ドレイン・カソード電極放熱板111は、本発明の「第2電極用導体」および「第2金属板」の一例である。ドレイン・カソード電極放熱板111は、同電位である複数の半導体素子112の裏面の電極同士を接続するように構成されている。半導体素子112は、Si系半導体より高温動作可能なシリコンカーバイトのFET(電界効果トランジスタ)および還流ダイオードとして機能するファーストリカバリーダイオード(FRD)を含む。トランジスタ素子」および「還流ダイオード素子」の一例である。半導体素子112の表面上には、接合材113を介して略平坦な上面を有する半導体用端子114が接続されている。半導体用端子114は、ゲート端子、ソース端子、アノード端子などとして機能する。1電極用導体」、「トランジスタ電極用導体」、および、「ダイオード電極用導体」の一例である。ドレイン・カソード電極放熱板111の表面上には、略平坦な上面を有するケース状(枠状)のドレイン・カソード端子115が接合されている。ドレイン・カソード端子115は、ドレイン端子およびカソード端子として機能する。ケース状のドレイン・カソード端子115には、開口部115aおよび115bが設けられており、複数の半導体素子112は、開口部115aおよび115bの内部に配置されている。開口部115aおよび115bの内部には、図示しないシリコンゲルなどからなる絶縁性の樹脂材が充填される。ドレイン・カソード端子115は、本発明の「第2接続用導体」および「ケース部」の一例である。図37に示すように、半導体用端子114の表面上に接合材113を介して接続用電極71が接合されている。ケース状のドレイン・カソード端子115の表面上に接合材113を介して接続用電極71が接合されている。接続用電極71の表面上に接合材113を介して配線基板21aが接合されている。図38に示すように、接続用電極71は、金属板72と、金属板73と、複数のワイヤー状金属74とから構成されている。金属板72と金属板73とは、それぞれ、凸部72aと凸部73aとを有している。金属板72と金属板73とは、凸部72aと凸部73aとが対向するように配置されている。ワイヤー状金属74は、略楕円形状を有しており、凸部72aの側面と凸部73aの側面とにロウ付けや還元法などにより接合されている。ワイヤー状金属74は、銅やアルミニウムなどにより形成されている。金属板72と、金属板73とは、それぞれ、本発明の「第2接続金属板」および「第1接続金属板」の一例である。第11実施形態では、上記のように、半導体用端子114(ドレイン・カソード端子115)の略平坦な上面を、弾性変形可能な接続用電極71を介して配線基板21aと電気的に接続する。配線基板21aと半導体用端子114(ドレイン・カソード端子115)との熱膨張率は、一般的には異なるので、配線基板21aと半導体用端子114(ドレイン・カソード端子115)との間に熱応力が発生する。配線基板21aがパワーモジュール本体部100lに対して傾く場合もある。そこで、弾性変形可能な接続用電極71を介して半導体用端子114(ドレイン・カソード端子115)と配線基板21aとを接続することにより、熱応力や傾きが弾性変形可能な接続用電極71により吸収される。その結果、パワーモジュール本体部100lに応力が過度に付加されるのが抑制されるので、パワーモジュール本体部100lの信頼性を向上させることができる。パワーモジュール本体部100lと配線基板21aとの間の上下方向やねじれ方向の寸法誤差を、弾性変形可能な接続用電極71により吸収することができる。第11実施形態では、上記のように、接続用電極71が弾性変形可能なワイヤー状金属74を含む。これにより、容易に、接続用電極71を上下方向やねじれ方向に弾性変形させることができる。(第12実施形態)次に、図39~図42を参照して、第12実施形態について説明する。この第12実施形態では、上記一対の金属板の凸部にワイヤー状金属が接続されている第11実施形態と異なり、平板状の一対の金属板76および77に略U字形状に形成されたワイヤー状金属78が接合されている。図39~図41に示すように、パワーモジュール102は、パワーモジュール本体部100mと、配線基板21aと、パワーモジュール本体部100mおよび配線基板21aを接続する接続用電極75とによって構成されている。接続用電極75は、本発明の「接続部材」の一例である。パワーモジュール本体部100mは、上記第11実施形態のパワーモジュール本体部100l(図36参照)において、接続用電極71を接続用電極75に置き換えた構成になっている。パワーモジュール本体部100mのその他の構成は、上記第11実施形態のパワーモジュール本体部100l(図36参照)と同様である。図42に示すように、接続用電極75は、平板状の金属板76および金属板77と、4つのワイヤー状金属78とから構成されている。ワイヤー状金属78は、略U字形状に形成されている。ワイヤー状金属78は、ワイヤー状金属78の両端部側が、それぞれ、金属板76と金属板77とに接続されている。ワイヤー状金属78と、金属板76および金属板77とは、ロウ付けや還元法などにより接合されている。ワイヤー状金属78は、銅やアルミニウムなどにより形成されている。金属板76と、金属板77とは、それぞれ、本発明の「第2接続金属板」および「第1接続金属板」の一例である。第12実施形態の効果は、第11実施形態と同様である。今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。上記第1~第12実施形態では、半導体素子として、Si系半導体より高温動作可能なシリコンカーバイトのFET(電界効果トランジスタ)およびファーストリカバリーダイオード(FRD)を用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。半導体素子として、窒化ガリウム(GaN)を用いてもよい。トランジスタ)を用いてもよい。半導体素子として、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を用いてもよい。上記第1~第12実施形態では、還流ダイオードとして、ファーストリカバリーダイオード(FRD)を用いる例を示したが、本発明はこれに限られない。半導体素子として、ショットキーバリアダイオード(SBD)を用いてもよい。還流ダイオードであれば、その他のダイオードでもよい。上記第1~第12実施形態では、接合材が、Au-20Sn、Zn-30Sn、Pb-5Sn、有機層被覆ナノAg粒子などからなる例を示したが、本発明はこれに限られない。接合材として、半田箔やクリーム半田を用いてもよい。上記第1~第12実施形態では、ゲート端子、ソース端子、ドレイン端子およびアノード端子が柱形状を有する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、ゲート端子、ソース端子、ドレイン端子およびアノード端子が柱形状以外の形状を有していてもよい。上記第11実施形態では、パワーモジュール本体部と配線基板とを弾性変形可能な接続用電極を介して接続する例を示したが、本発明はこれに限られない。2つの配線基板を弾性変形可能な接続用電極を介して接続してもよい。上記第11実施形態では、弾性変形可能な接続用電極71に片側に4つずつのワイヤー状金属74が配置される(図38参照)例を示したが、本発明はこれに限られない。図43に示すように、金属板79および80のX方向の長さを大きくして、弾性変形可能な接続用電極71aに片側にたとえば7つずつのワイヤー状金属74を配置してもよい。金属板79と、金属板80とは、それぞれ、本発明の「第2接続金属板」および「第1接続金属板」の一例である。上記12実施形態では、略U字形状を有するワイヤー状金属78が用いられる例を示したが、本発明はこれに限られない。図44に示すように、一対の平板状の金属板81および82間に、コイルバネ状に形成されたワイヤー状金属83を配置してもよい。金属板81と、金属板82とは、それぞれ、本発明の「第2接続金属板」および「第1接続金属板」の一例である。前記第2接続金属板は、前記配線基板に電気的に接続される、請求項23に記載の電力変換装置。