この判例には、下記の判例・審決が関連していると思われます。原告の請求を棄却する。訴訟費用は原告の負担とする。特許庁が無効2011-800202号事件について平成24年7月20日にした審決を取り消す。(特許第3933592号)された(甲1。原告は,平成23年10月7日,本件特許について特許無効審判を請求し,特許庁に無効2011-800202号事件として係属した。下「本件訂正」という。正を認めた上,「本件審判の請求は,成り立たない。」との審決(以下「本件審決」という。)をし,同月30日,その謄本が原告に送達された。原告は,平成24年8月22日,本件審決の取消しを求める訴えを提起した。本件訂正前の請求項1及び5に係る特許請求の範囲の記載は次のとおりである。本件訂正後の請求項1及び5並びに請求項2ないし4及び6ないし8に係る特許請求の範囲の記載は次のとおりである(以下,各請求項に記載された発明を順に「本件発明1」などといい,併せて「本件発明」という。請求項1及)2び5の下線部は,本件訂正による訂正箇所である。知例は,以下のとおりである。周知例6:特開2002-84040号公報(甲8。周知例18:特開2002-334854号公報(甲23。周知例24:特開2002-289579号公報(甲29。本件審決が認定した引用発明並びに本件発明1と引用発明との一致点及び相違点は,次のとおりである。cm-2以下」であるのに対し,引用発明においては,前記GaN基板の前記n電極との界面近傍における転位密度は不明である点。本件審決の理由の要旨は,次のとおりである。本件訂正は,平成23年法律第63号による改正前の特許法(以下「法」という。)134条の2第1項ただし書各号に掲げる事項を目的とするものに該当し,同条5項において準用する法126条3項及び4項の規定に適合するものである。本件発明1は,引用例に記載された発明(以下「引用発明」という。)と同一であるとはいえず,引用発明及び周知例1ないし13,15,17,19ないし23,25ないし27に記載された周知技術に基づいて,当業者が容易に発明をすることができたものでもない。術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。発明は,引用発明と同一であるとはいえず,引用発明及び周知例1ない6し27に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。段が限定されておらず,機械研磨あるいは研磨の一種であるCMP(ケミカル・メカニカル・ポリッシング)まで含むものである。これに対し,本件明細書には,GaN基板の裏面側の加工により発生した結晶欠陥を含む層をエッチングで除去することしか記載されていない。件審決の判断は誤りである。【0058】)においては,機械研磨に起因して発生し,除去されるn型GaN基板の裏面近傍の領域に含まれる「結晶欠陥」が,「転位」を意味していることは明らかである。(所定の厚さになるまで裏面側が「7加工され)該加工により発生した転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域を,除去された」との構成は,本件明細書の記載から導き出すことができる事項である。第1半導体層へ減縮されることになるから,その訂正が特許請求の範囲の減縮を目的とするものであることは明らかである。したがって,原告の主張は,理由がない。新規性について本件審決は,本件発明1が引用発明と同一であるとはいえないと判断した。本件出願当時,1研磨前のGaN基板の転位密度は,1×106cm-2程度であったこと(甲3~9,以下「技術事項1」という。晶欠陥が生じること(甲10~48,以下「技術事項2」という。3電極形成前)に,「転位」(当業者がいう「ダメージ」等)の全て(少なくとも「大部分」。以下,この文脈で「全て」という場合には,この意味を含む。)をエッチングなどで除去すること(その結果,エッチング後の基板の転位密度が,元の転位密度に戻っていること)(甲10~48,以下「技術事項3」という。)は,いずれも周知技術であった。本件審決は,技術事項2及び3が周知技術であることを否定したが,甲10ないし48によれば,本件審決の認定が誤りであることは明らかである。甲12及び13甲12及び13には,研磨によってGaN基板に発生した結晶欠陥(表面歪み)を除去し,これにより本件発明1と同じく「n型電極のコンタクト抵抗が低減」す8ることが開示されており,さらに,「研磨によって鏡面出し」し,その下に発生している表面歪みをエッチングで除去したことが記載されている。去されたことを意味している。件明細書の開示と全く同じ内容であり,本件発明1と全く同じ動機付け(目的)の開示がある。甲14甲14には,n型窒化物半導体層の研磨によりダメージを受けた領域をRIE法にて1~2μm程度エッチングし,その後,露出したn型窒化物半導体層に電極を形成することが記載されている(【0054】。したがって,甲14では,本件明細)書にいう「転位の除去」が行われていることが明らかである。者に周知な「ダメージ層」などと同じ内容であり,甲16の写真について,これがSEM像でないことに異論はなく,本件発明1と同内容であると指摘している。したがって,当業者が「ダメージ層」を,本件発明1がいう「転位」と同義か,少なくともこれを含む広い意味で使用していることは明らかであるから,「結晶欠陥」ないし「転位」をエッチングなどで除去することは,周知慣用の技術であったことが明らかである。本件審決は,甲16,18,23及び29は,本件出願に係る優先権主張日より後に公開された特許公報であるから,本件の参考にならないとする。ここでの問題は,相違点についての判断の前提事項に関係する,当業者が本件出願前か9ら周知慣用技術として用いていた「機械研磨した際に発生する結晶欠陥をエッチングなどで除去する技術」の内容であり,当業者が「ダメージ層」とか「損傷層」などと呼んでいたものの内容であるから,そのための資料が優先権主張日後の資料であってはならないとする理由がないことは明らかである。械研磨すれば,その下にTEMで観察される結晶欠陥が発生することは,半導体の材質を問わない問題であるから,これらも本件出願時の技術水準を示す公知例となる。発明1に適用することはできないとする。准教授の意見書(甲37)にも示されているとおりである。-2よりも低かったこと,コンタクト抵抗が2×10-5Ωcm2であったことが記載されており,これらの内容が本件発明1と同内容であることは一見して明らかである。成前に「転位」を全てエッチングなどで除去しているのであり,これにより基板の転位密度は,研磨前の転位密度である1×106cm-2程度となっているものである。去」しか開示されていないことからしても,引用発明におけるコンタクト抵抗(1×10-5Ωcm2)が本件発明のコンタクト抵抗(0.05Ωcm2)より3桁も小さい値が得られた理由は,上記3にいう結晶欠陥の除去が行われているからであるとしかと考えられない。研磨によって発生した結晶欠陥の除去が必ず行われていることを明言している(甲33の1)。密度である1×106cm-2程度になっていることは被告も認めているというべきである。明とが同一とはいえないと判断した。実であり,しかも,被告も本件審決も,その外の要因があることを具体的に指摘できていない。用の技術である結晶欠陥の除去が行われていると認定されるべきは当然である。-2以下」を充たしているから,本件発明1は引用発明と同一のものである。仮に,転位密度が引用例に明記されていない点を相違点であると考えるにしても,引用発明に技術事項1ないし3を適用することに何の阻害事由もない。引用例には技,術事項1ないし3を組み合わせることの動機付けが開示されている。業者が容易に発明をすることができたものである。極との界面近傍における転位密度や,同基板裏面の転位密度とは異なるものであり,本件発明1で対象としている転位密度は示されていないとする。12しかし,甲3ないし9においても,研磨及びエッチングが行われていることは明らかであるから,基板の転位密度は当然元の基板の転位密度になるものであり,この点は,本件発明1でも同様である(甲1【0058】)から,甲3ないし9には,本件発明1で対象としている転位密度が示されている。記説示は完全な事実誤認である。おいて機械加工面をエッチングする際に,転位が伸びている深さまでエッチングを進めるとともに,どの程度の深さまでエッチングをするかの基準を,加工面における転位密度が特定の値以下になることを設定するという思想が,本件出願に係る優先権主張日前に公知であったことを示す証拠は提示されていないとする。減しているのであるから,これらの甲号証に,「表面のクラック等より更に深いところまで伸びている転位をエッチングにより除去することが明記されている」ことは明らかである。上記甲号証では,機械研磨した層に結晶欠陥が発生することがTEMによって観察されており,そのような層を「除去する」と記載があるのだから,このような公知例が,転位を含んだすべての結晶欠陥を除去していることは明らかであり,どの程度の深さまで進めるかについての設定基準が周知又は公知であったと認めることができないとの審決の認定は全くの事実誤認であり,意味不明である。本件審決は,上記のとおり転位を全て除去することが周知慣用の技術で13あったとしても,上記甲号証では,転位密度をパラメーターとしていない点を問題としているようであるが,これは従来から行われたことを別の表現で規定したにすぎず,そのような別の表現をしたことに対して特許発明が成立する余地はないから,本件審決は特許法の基本的理解を誤ったものである。本件審決もいうとおり,研磨加工後にエッチングを施すことが当然であれば,後は,どの程度のエッチングを行うかという問題だけであり,これは明らかに任意の設計事項である。当業者が従前から当然のこととしてエッチングしていたとき,その量を0.5μm以上と規定してみたところで,進歩性が認められないことは明らかであり,その点は,転位密度という表現にしたところで同様である。技術であることが明らかである。味不明であるか,完全な事実誤認に基づく判断である。-2程度のままとなるため,本件発明1は引用例から容易に発明をすることができたものである旨主張した。審決には判断の遺漏がある。知であったと主張する。上記各証拠には,「ダメージ」が転位の意味で用いられているものはない。載はなく,「転位」の除去の記載もないから,「エッチング後の基板の転位密度が,元の転位密度に戻っている」などという記載もない。上記各証拠では,「転位」がコンタクト抵抗を高くするという技術課題は認識されておらず,したがって,「転位」に着目する記載もなく,「転位」を除去するという解決手段の開示も全く存在しない。位」と呼称されている部分を除去する旨の技術は開示されていない。原告の取り上げた書証について個別に反論する。甲12及び13甲12及び13に記載されているのは,GaN基板の研磨後に,研磨によって生じた「表面歪み」及び「酸化膜」を除去するためにエッチングを行うことであって,研磨によって生じる「転位」に関する記載は一切ない。板の深くに伸びている「転位」には認識が及んでいないことが明らかである。甲14甲14の【0054】には,基板の研磨後は,「研磨によりダメージを受けた領域をRIEにより1~2μm程度エッチングを行う」と記載されているだけであり,この記載から「転位」の除去の開示を認めることができないのは当然のことである。容は,甲14には記載されておらず,本件明細書の開示がなければ推測すらできないのである。甲16甲16に記載されている「ダメージ層」は「転位」ではない。あると記載されており,これはSEMであるから,転位を観察することができない。果」「エッジ効果」によるコントラストが明確に存在するのであり(乙2)。書の見解は誤りである。周知技術の判断は,本件特許の出願時を基準に判断するものであるから,本件審決の,甲16,18,23及び29の扱いに誤りはない。そのまま適用できるものではない。ここでは,基板の研磨によって生じるのは,「加工変質層」及び「加工損傷層」と呼ばれており,研磨によって生じる「転位」に関する記載はない。基板においても知られていなかった。合して合金になり,コンタクト抵抗が上がることがないからである。基板裏面を機械研磨したときに生じる「転位」によって,基板裏面に掲載されたn側電極の界面近傍のコンタクト抵抗が非常に大きくなるという,他の半導体基板には存在しない特別な技術課題が生じる。甲27及び28では,「転位」に着目するという問題意識も動機もないのであるから,甲27及び28に記載されている技術事項は本件発明1とは関係がない。同様に本件発明1とは異なる半導体基板に関する甲10,11,22及び25について,本件審決が,本件発明1にそのまま適用できないとした判断は正当である。甲17,31及び32これらは,いずれも学術論文であるが,機械研磨によって「転位」が生じることも,それを除去することによってコンタクト抵抗を低下させることも一切記載されていない。ダメージが「転位」の意味で用いられているものはないから,その内容が技術常識や周知技術であるとはいえない。原告は,引用例には「転位」の除去や転位密度は明記されていないものの,周知技術である技術事項1ないし3からすれば,引用発明においても,電極形成前に「転位」を全てエッチングなどで除去しているなどと主張する。17しかし,前記のとおり,原告が提出した上記各証拠には,「転位」に着目し,これを除去するなどという技術は記載されていないから,原告の主張は理由がない。度が1×106cm-2程度になっていることは,被告も認めているというべきであると主張する。被告は,甲33の1において,素子のコンタクト抵抗の数値と転位密度の数値の間に論理必然的な1対1の対応関係があるなどと述べてはいない。明では,機械研磨で生じた転位に起因して,現にコンタクト抵抗が高くなっているGaN基板裏面について,そのコンタクト抵抗は,基板裏面近傍の転位を除去して,初めて下げることができたと述べているにすぎない。去する旨の記載のない)から,転位密度は高いはずである。原告の主張は,甲33の1の記載を曲解したものであり,理由がない。原告は,本件審決が,本件発明1と引用発明を対比して,コンタクト抵抗に影響を与える条件が一致するかどうかは不明であるとして同一性を否定したのに対し,被告も本件審決も具体的条件を指摘できていないのだから,通常の事実認定を行えば,引用発明のおいても,結晶欠陥の除去が行われており,同一であると認定されるべきであると主張する。度の数値の開示を意味するものでないことは明らかである。質及び厚さも異なっているから,本件審決の判断は正当である。以上のとおり,本件審決が新規性を否定したことは正当であり,原告の主張18は理由がない。去することでコンタクト抵抗が下がることも知られていたのであるから,引用例には,引用発明にこれらの周知技術を組み合わせることの動機付けが開示されていると主張する。原告が主張するような周知技術は存在しないから,原告の主張は理由がない。原告は,甲3ないし9においても,研磨及びエッチングが行われていることは明らかであり,基板の転位密度は当然元の基板の転位密度になるから,これらには,本件発明1が対象としている転位密度が示されていると主張する。裏面の転位密度が示されていないのは明らかである。前記のとおり,これらの甲号証には,転位が存在することや転位によりコンタクト抵抗が増大することの記載はなく,転位をエッチングにより除去することも全く記載がないのである。前記のとおり,本件発明1が「転位」に着目したのは,GaN基板裏面を研磨してn側電極を設けると界面のコンタクト抵抗が高くなるという問題が生じ,その原因が基板の研磨により生成した「転位」であることを発見したからである。研磨によって転位が生じることは,従来技術の研磨工程でも起こったことであるが,転位が技術課題を引き起こすことの認識がなければ,わざわざ原子レベルの転位に着目する必要もなく,公知文献に記載されることもなかった。したがって,このような課題の認識が一切ない上記甲号証においては,原子レベルの欠陥である「転位」に着目する必然性はなく,そのような意味で「転位」を除去するという技術思想は一切記載されていない。したがって,本件審決の説示は正当である。技術であるから,本件審決の認定は意味不明で完全な事実誤認であると主張する。-2以下であることの記載がない。定の値以下とするという技術思想も存在しないということであり,正当な判断である。(甲36)では,甲4のみを取り上げて,「引用例に甲4を組み合わせる動機付けは十分にある。例に周知技術(特定の引用例の組合せが必要であるというのであれば甲4)におけるGaN基板とn電極を組み合わせれば,本件発明が容易に想到できることは明らかである。引用例を主引例として甲4を副引例とする進歩性欠如の主張を行うかのごときであった。これは新たな無効理由の主張であるから,請求の理由の要旨変更に該当し,無効審判手続において認められてはいない。審決に判断の脱漏はない。理由は成り立たないから,審決の結論には何ら影響しない。引用例は,サファイア基板上にGaN層を結晶成長させ,サファイア21基板側からGaN結晶のN終端面(裏面)が出るまで研磨してGaN基板を得て,その後に,素子の積層構造を作製している。板の裏面はサファイア基板を除去する結果として研磨されているのである。ところが,原告は,上記無効理由において,引用例に,研磨することなく基板に電極を設ける周知技術を適用すると主張している。用例に対し,研磨することなく基板に電極を設ける周知技術を適用することはできない。したがって,原告の主張は,理由がない。様の理由により,本件発明2も引用発明と同一である。明と周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。前記2〔原告の主張〕(2)ウと同様に,本件発明2に係る本件審決の判断には,判断の遺漏がある。備える」との点及び本件発明8の「第1半導体層がHVPE方を用いて形成された」との点は,いずれも,引用例に記載されているか,周知慣用の技術にすぎない。したがって,本件発明1及び2の新規性・進歩性に係る本件審決の判断の誤りは,本件発明2ないし8に新規性又は進歩性があると判断した審決の結論に影響を及ぼすものである。〔被告の主張〕いずれも争う。本件発明は,前記第2の2(2)に記載のとおりであるところ,本件明細書(甲1,49)には,本件発明について,概略,以下のような記載がある。関するものである(【0001】。通常,窒化物系半導体レーザ素子を形成する場合,絶縁性のサファイア基板が用いられる。格子定数の差に起因した多数の結晶欠陥(転位)が発生するという不都合があった。その結果,窒化物系半導体レーザ素子の特性が低下するという問題点があった(【0003】。用いた窒化物系半導体レーザ素子が提案されている(【0004】。従来の窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスでは,n型GaN基板上に23成長される窒化物系半導体層の結晶性を向上させるため,窒化物系半導体層は,ウルツ鉱構造を有するn型GaN基板のGa面上に成長される。ウルツ鉱構造を有するn型GaN基板の窒素面は,裏面として用いられるとともに,このn型GaN基板の裏面上にn側電極が形成される(【0005】。常に大きいので,劈開により素子分離及び共振器端面の形成を良好に行うのが困難であるという不都合がある。このような不都合に対処するため,劈開工程の前にn型GaN基板の裏面を機械研磨して,n型GaN基板の裏面の凹凸の大きさを小さくすることによって,素子分離及び共振器端面の形成を良好に行う方法が提案されている(例えば,特開2002-26438号公報)【0008】。面近傍にクラックなどの微細な結晶欠陥が発生するという不都合がある。その結果,n型GaN基板と,n型GaN基板の裏面(窒素面)上に形成されたn側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点があった(【0009】。)また,n型GaN基板の窒素面は,酸化されやすいので,これによっても,n型GaN基板の裏面(窒素面)上に形成されたn側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点があった(【0010】。提供することである(【0013】。層のn側電極との界面近傍における転位密度は,1×109cm-2以下であり,n側電極と第1半導体層との界面において,0.05Ωcm2以下のコンタクト抵抗24を有する(【0024】。得ることができる(【0025】。研磨工程に用いる機械研磨装置は,図3に示すように,平坦な表面を有するガラス基板と,上下に移動可能で,かつ,R方向に回転可能に支持されたホルダと,バフとから構成されている。バフ上には,約0.2μm~約1μmの粒子粗さのダイヤモンド,酸化ケイ素又はアルミナなどからなる研磨剤が配置されている。この研磨剤の粒子粗さは,約0.2μm~約0.5μmの範囲であれば,特に良好に裏面研磨を行うことができる(【0043】。上記機械研磨装置を用いて,n型GaN基板の裏面(窒素面)をn型GaN基板の厚みが約120μm~約180μmになるまで研磨する。面を,研磨剤が配置されているバフの上面に,一定の負荷で押圧する。バフに水又はオイルを流しながら,ホルダをR方向に回転する(【0044】。この後,本実施形態では,反応性イオンエッチング(RIE)法により,n型GaN基板1の裏面(窒素面)を,約20分間エッチングする。このエッチングは,ガス流量,Cl2ガス:10sccm,BCl3ガス:5sccm,エッチング圧力:約3.3Pa,RFパワー:200W(0.63W/cm2),エッチング温度:常温の条件下で行った。これにより,n型GaN基板1の裏面(窒素面)を約1μmの厚み分だけ除去する。欠陥を含むn型GaN基板1の裏面近傍の領域を除去することができる。n型GaN基板1の裏面を,機械研磨のみで加工した場合と比べて,より平坦な鏡面にすることができる。n型GaN基板1の裏面の反射像を目視により良好に25確認することができる表面状態を鏡面とする(【0045】。後におけるn型GaN基板1の裏面の結晶欠陥(転位)密度を,TEM分析により測定した。以上であったのに対して,エッチング後には,結晶欠陥密度は,1×106cm-2以下にまで減少していることが判明した。面近傍の電子キャリア濃度を,エレクトロケミカルC-V測定濃度プロファイラーにより測定した。その結果,n型GaN基板1の裏面近傍の電子キャリア濃度は,1.0×1018cm-3以上であった。これにより,RIE法によるエッチングによって,裏面近傍の電子キャリア濃度を,n型GaN基板1の基板キャリア濃度(5×1018cm-3)と同程度にできることがわかった(【0046】。本実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の製造プロセスでは,上記のとおり,n型GaN基板1の裏面(窒素面)を,RIE法によりエッチングすることによって,研磨工程に起因して発生したn型GaN基板1の裏面近傍の結晶欠陥を含む領域を除去することができる。これにより,結晶欠陥による電子キャリアのトラップなどに起因する電子キャリア濃度の低下を抑制することができる。n型GaN基板1の裏面が窒素面である場合には,n型GaN基板1の裏面が酸化されやすいので,その酸化された部分をエッチングにより除去することができる。これらの結果,n型GaN基板1とn側電極8とのコンタクト抵抗を低減することができる。Ωcm2以下であった。n型GaN基板1の裏面(窒素面)上にn側電極8を形成した後,さらに500°Cの窒素ガス雰囲気中で10分間の熱処理を行った場合には,コンタクト抵抗はさらに低い1.0×10-5Ωcm2であった(【0051】。抗を得ることができた。これは,約0.5μmの厚み分の除去では,機械研磨により発生した結晶欠陥を含むn型GaN基板の裏面近傍の領域を十分に除去することができなかったためであると考えられる。晶欠陥密度は1×109cm-2であった。晶欠陥は観察されず,結晶欠陥密度は1×106cm-2以下であった。したがって,RIE法によりn型GaN基板の裏面を約1.0μm以上の厚み分除去するのが好ましい(【0058】。以上の記載からすると,本件明細書には,次の点が開示されていると認められる。面(窒素面)上に形成されたn側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点があった。得ることができるという効果を奏するというものである。)においても,「転位とは,結晶中の歪みに起因する線欠陥の一種で,原子面の片側に線状にダングリングボンドが並ぶ結晶欠陥である。甲34のFig.2-1「断面観察(STEM像)」に顕れた欠陥の状況を併せ考慮すると,本件発明にいう「転位」とは,基板の機械研磨によって生じ得る加工変質層(甲24)のうち,結晶中の深くまで生じ得る原子レベルの線状の結晶欠陥を意味するものと認めるのが相当である。引用発明は,前記第2の3(2)アに記載のとおりであるところ,引用例(甲2)には,引用発明について,概略,次の記載がある。作製する半導体装置に関するものである(【0001】。SiCを基板として使用する場合,エピタキシャル成長を行う成長温度で薄いAlN膜をバッファー層として使用すると良いことが知られている。基板を使用すると,成長させるGaN系化合物半導体膜と基板との熱膨張係数の違いや,格子定数の違いにより,製造されるGaN系化合28物半導体中には多数の欠陥が発生する。これらの欠陥は,キャリアをトラップして,調整した膜の電気的特性を損ねることが知られているほか,大電流を流すようなレーザーに対しては,寿命の低下を招くことが知られている(【0005】。そのようなGaN基板上でのn型電極の特性については明らかでなかった。本発明者らは,Ti/Al等のn型電極をGaN基板のGa終端面に形成した場合,該電極はショットキー特性を示す傾向が強いことを明らかにした。Cが存在する状態で,Ga終端面上にTi/Al等のn型電極を形成した場合,障壁層が形成され,電極はショットキー特性を示し得る。p型電極であるNi,Pd等の膜は,炭素(C)等を,自らに取り込み,障壁層を減らすことができる。これは,p型電極について,比較的オーミック特性の得られやすい原因の一つと考えられた(【0007】。GaN基板のGa終端面上にオーミック特性のTi/Al等のn型電極を得るためには,基板表面を塩酸等で洗浄処理を行ったり,電極形成後にアロイ形成のための熱処理を行い,GaNとそれに接するTiとの中間生成物を形成し,障壁層を軽減させる等の工程を入れる必要があった。このような工程を導入してもn型電極との接触比抵抗は高かった(【0008】。板,例えば,GaN基板を用いた半導体装置構造にn型電極を形成してオーミック特性を得る技術を提供することにある(【0009】。)本発明のもう一つの目的は,n型電極の接触比抵抗が低い窒化物半導体装置,特に発光素子を提供することにある(【0010】。本発明者らは,窒化物半導体のN終端面上にn型電極を形成すれば,オーミック特性が容易に得られることを見出した。本発明者は,窒化物半導体基29板に添加する不純物濃度とn電極の接触比抵抗との関係を明らかにした。)典型的に,本発明において,半導体基板中のn型不純物の濃度は,1×1017cm-3~1×1021cm-3の範囲内である。物の濃度は,1×1017cm-3~1×1019cm-3の範囲内である。囲において,n型不純物の濃度は,基板の厚みの方向において一定であってもよいし,変化していてもよい(【0018】。成長後,研磨によりサファイア基板,MOCVD法によるアンドープGaN膜,SiO2膜を除去し,N終端面が出るまで研磨して,図1(a)に示すGaN基板を得る。面はGa終端面である(【0039】。その後,ドライエッチング装置を用いて,p-GaNコンタクト層を5μm幅のストライプ状に残し,p-Al0.1Ga0.9N光ガイド層までエッチングを行い,光導波路を形成する。p-GaN部分にPdを150Å,Auを1000Å順次蒸着して,p型電極を形成する。基板温度を200°C程度に保ち,GaN基板のN終端面に,Tiを厚さ150Å,Alを1000Å順次蒸着し,n型電極を形成する。最後に,素子長が約1mmとなるように,劈開あるいはドライエッチング法を行い,ミラーとなる端面を形成する(【0041】。n型電極は,GaN基板のN終端面上に形成した(【0048】。図7は,GaN基板中の不純物濃度と,当該GaN基板を使用して作製し30たレーザの閾値電圧との関係を示す。図8は,GaN基板中の不純物濃度と,当該GaN基板を使用して作製したレーザの閾値電流密度との関係を示す。図9は,GaN基板中の不純物濃度と,当該GaN基板の表面粗さとの関係を示す(【0049】。図7に示されるように,GaN基板中の不純物濃度が増加するに従って,作製したレーザの発振閾値電圧が徐々に下がる傾向にある。これは,GaN基板の抵抗が,不純物の影響で低下してきていることにもよるが,それ以上にN終端面とn型電極コンタクト部分で生じるショットキー障壁が低減して接触比抵抗が低下し,その結果,閾値電圧が低くなっていると考えられる。発振閾値電圧は,GaN基板の不純物濃度が約1×1017cm-3以上でほぼ5V程度の値に収束している(【0050】。反面,図8は,GaN基板の不純物濃度が,約1×1019cm-3以上になると,レーザの発振閾値電流密度が徐々に増加し始め,5×1021cm-3以上でほぼ2kA/cm2程度の値に収束している。均表面粗さが増加し始めてきていることに起因していると思われる。密度の増加につながってきていると考えられる(【0051】。Model)法により,不純物濃度に対する接触比抵抗を調べた(【0052】。図10は,GaN基板中の不純物濃度と接触比抵抗との関係を示す。物濃度が1×1017cm-3を超えると接触比抵抗が1×10-5Ωcm2以下となり,その後は不純物濃度の増加とともに比抵抗は下がっていく(【0053】。-3以下がより望ましい。極とGaN基板との中間生成物が形成され,障壁を減らすことが困難になり得る。不純物濃度が高過ぎる場合,成長表面が荒れて,再成長時の結晶性が低下し,素子の特性が劣化し得る。適当な不純物濃度を有する基板のN終端面にn型電極を形成することでより好ましい特性が得られる(【0054】。歩留まり良く供給できるという効果を奏するというものである。取消事由1(本件訂正に係る判断の誤り)について原告は,請求項5に係る本件訂正は特許請求の範囲及び明細書に新規事項を追加するものであり,また,特許請求の範囲を実質的に変更するものであると主張する。決注:反応性イオエッチング【0045】)法により,n型GaN基板の裏面を約1μmの厚み分だけ除去した試料4では,Cl2ガスを用いたRIE法により,n型GaN基板の裏面を約0.5μmの厚み分だけ除去した試料3よりも,低いコンタクト抵抗を得ることができた。磨により発生した結晶欠陥を含むn型GaN基板の裏面近傍の領域を十分に除去することができなかったためであると考えられる。これらの試料において,n型GaN基板の裏面の結晶欠陥(転位)密度を,TEM分析により測定したところ,試料3の結晶欠陥密度は1×109cm-2であった。したがって,RIE法によりn型GaN基板の裏面を約1.0μm以上の厚み分除去するのが好ましい。(」【0058】)と記載されており,この記載に接した当業者であれば,機械研磨により発生した結晶欠陥(転位)を含むn型GaN基板の裏面近傍の領域を十分に除去すれば,転位密度が十分に低減し,その結果,第1半導体層とn側電極とのコンタクト抵抗が下がるということを理解することができるものといえる。すると,上記明細書(【0058】)には,RIE(反応性イオエッチング)法が記載されているものの,加工により発生した転位を含む基板の裏面近傍の領域を除去し得るものであれば,その除去について特定の方法(エッチング)に限定されるものでないことは,当業者にとって自明な事項であるといえる。したがって,請求項5に係る本件訂正は,特許請求の範囲及び明細書に新規事項を追加するものではなく,特許請求の範囲を実質的に変更するものでもない。よって,原告の主張は,採用することができず,取消事由1は理由がない。去しており,その基板の転位密度は研磨前の転位密度である1×106cm-2程度になっている旨主張する。そこで,以下では,技術事項1ないし3の周知技術性について検討する。技術事項1について甲3ないし9によれば,本件出願に係る優先権主張日当時,研磨前のGaN基板の転位密度は,1×104~108cm-2程度であったことは,周知の技術であったものと認められる。すると,原告の主張する技術事項1(研磨前のGaN基板の転位密度は,1×106cm-2程度であったこと)はおおむね認めることができる。技術事項2及び3について原告は,技術事項2及び3の周知技術性を裏付ける証拠として,甲10ないし48等を提出する。燐酸を含む硫酸からなる混合溶液で,前記ウエハをエッチング処理することが記載(いずれも【0040】)されている。察される表面の凹凸の下に発生した「表面歪み」TEM分析で観察される結晶欠陥)(をエッチングで除去し,その結果,コンタクト抵抗が低減していることが明示されていることから,これは,本件明細書の開示と全く同じ内容であり,本件発明1と全く同じ動機付け(目的)の開示があると主張する。甲12及び13には,研磨によって生じる「転位」に関する記載は一切ない。状の結晶欠陥である「転位」の除去を目的とするものとは認められない。導体層,活性層等を順次形成し,その後,基板をn型窒化物半導体層が露出するまで研磨し,n型窒化物半導体層の研磨によりダメージを受けた領域をRIE法にて1~2μm程度エッチングを行い,露出したn型窒化物半導体層にn電極を形成することが記載されている(【0048】【0054】。除去」が行われていると主張する。甲14には,研磨によって生じる「転位」に関する記載は一切ない。【0044】参照)の影響を受けるものであることは,当業者の技術常識であるから,甲14の記載から,直ちに,機械研磨で生じた「転位」を電極形成前にエッチングで除去することまで記載されていると認めることはできない。甲17には,GaNウエハについて,平滑な表面を得るためにGa面とN面の両方を機械研磨とドライエッチ処理をしたところ,代表的な転位密度は107cm-2より低く,Ga面の接触抵抗率は2×10-5Ωcm2であったとの記載がある。甲31には,HVPE法により成長させたGaNの自立ウエハを種々のTEM法を用いて調査したこと,窒化物半導体は基板との格子不整合に起因する構造欠陥や点欠陥を多く含んでいること,GaN層を機械研磨したところ,N面は約0.2~0.3μmの表面下層は激しくダメージを受けており,多くの欠陥を含んでいたこと,N面をエッチングしたところ,転位密度は1×10-7cm-2であったことの記35載がある。磨すると,ワークダメージが生じること,N極性面はアルカリ溶液で機械化学的に研磨できることの記載がある。去されること,甲17には,エッチング除去した後の基板の表面の転位密度が107cm-2よりも低かったこと,コンタクト抵抗が2×10-5Ωcm2であったことが記載されており,これらの内容は本件発明1と同内容であると主張する。甲17に記載された接触抵抗率は,Ga面(表面)についてのものであって,N面(裏面)に関するものではない。これらの文献には,結晶欠陥である転位についての記載はあるものの,研磨によって転位が生ずること,研磨によって生じた転位をエッチングによって除去することに関する記載はなく,そのような過程を経ることによってコンタクト抵抗が低下することに関する記載もない。したがって,これらの記載から,機械研磨で生じた「転位」を電極形成前にエッチングで除去することが記載されていると認めることはできない。以上の他に,原告が提出した各証拠(なお,甲16,18,23及び29は,本件出願に係る優先権主張日後に公開された刊行物であるが,これらを含める。中の深くまで生じ得る原子レベルの線状の結晶欠陥である「転位」に着目し,これを電極形成前に除去することの記載は見当たらない。甲37(意見書)には,本件発明にいう「転位」と,従来から当業者が「ダメー36ジ層」等と称する基板の研磨時に生ずる欠陥とは,同じものと考えるのが合理的であるとの記載がある。研磨によるダメージ又はダメージ層,などといった場合に,それが結晶の加工変質のどの部分までを指すものであるかは自明ではない。晶中の深くまで生じ得る原子レベルの線状の結晶欠陥である「転位」を含むものとして用いられているか否かは不明であるといわざるを得ず,上記各文献等にいう「ダメージ層」等と本件発明にいう「転位」が同義であると認めることはできない。以上によれば,原告の主張する技術事項2及び3については,周知の技術であったと認めることができない。仮に技術事項1ないし3がいずれも周知の技術であったとしても,引用発明において,GaN基板のn型電極との界面近傍における転位密度が1×109cm-2以下になっているものとは認められない。-2以下とすることである。用例にも,本件発明の課題やその解決手段についての記載や示唆はない。課題やその解決手段については何ら記載も示唆もされていない。-2以下になっているということはできない。したがって,原告の主張は,採用することができない。原告は,本件明細書の記載によれば,機械研磨によって発生した転位を含む領域を除去しなければ,本件発明が規定するレベルまでコンタクト抵抗が下がることはあり得ないはずであるから,引用例において,本件発明よりも3桁も小さいコンタクト抵抗値が得られている理由は,引用発明でも本件発明が規定する転位密度になっていたとしか考えられないと主張する。確かに,前記第4の1(1)キ(カ)のとおり,本件明細書(甲1【0058】)には,転位を含む領域を除去することによって,本件発明において,規定するコンタクト抵抗値を得ることができる旨の記載がある。度と接触比抵抗との関係を示す。不純物濃度が1×1017cm-3を超えると接触比38抵抗が1×10-5Ωcm2以下となり,その後は不純物濃度の増加とともに比抵抗は下がっていく。」と記載されているように,接触比抵抗(コンタクト抵抗)は,GaN基板中の不純物濃度にも依存し,転位密度だけに依存するわけではないから,転位を含む領域を除去することだけが,本件発明が規定するコンタクト抵抗を得るために必須の条件であるということはできないのであって,引用発明のコンタクト抵抗が本件発明1のコンタクト抵抗より低いものであるからといって,引用発明の転位密度が当然に本件発明1が規定する程度のものとなっているということはできない。したがって,原告の主張は,採用することができない。cm-2程度になっていることは被告も認めていると主張する。確かに,甲33の1には,「機械研磨によって形成された転位を除去することによって,本件発明の素子の転位密度とコンタクト抵抗の数値が,初めて実現される。」などとの記載がある。密度を充たさない限り,本件発明に係るコンタクト抵抗の数値範囲を充たさないとの意味に解釈することはできない。したがって,原告の主張は,採用することができない。進歩性の欠如について原告は,引用発明に周知技術である技術事項1ないし3を適用することには何ら阻害事由はなく,また,甲12及び13を挙げて,引用例には,上記周知技術を組み合わせることの動機付けが開示されていると主張する。前記のとおり,技術事項2及び3が周知の技術であったとは認められないから,原告の主張は前提を欠き,これを採用することはできない。知技術であったとしても,当業者は,引用発明について,GaN基板のn型電極との界面近傍における転位密度を1×109cm-2以下にすることを容易に想到し得たものということはできない。板)のn側電極との界面近傍における転位密度を1×109cm-2以下とするものである。用例には,本件発明の課題及びその解決手段については何ら記載も示唆もされていない。技術事項1ないし3について原告が提出した各証拠にも,本件発明の課題やその解決手段について何ら記載も示唆もされていない。下にすることを容易に想到し得たものということはできない。したがって,原告の主張は,採用することができない。術を引用発明に適用すれば,本件発明1は当業者が容易に発明をすることができたものであると主張したところ,本件審決は,この原告の主張に対して何ら判断を示していないから,本件審決には判断の遺漏があると主張する。旨判断しており,引用発明と甲4の記載事項との組合せについても判断しているということができる。したがって,本件審決に判断の遺漏があるとは認められない。小括よって,取消事由2も理由がない。明1の発明特定事項を全て含み,更に他の発明特定事項を付加した本件発明2ないし8が,引用発明と同一であるとも,引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。小活よって,取消事由3も理由がない。以上の次第であるから,原告主張の取消事由はいずれも理由がなく,本件審決にこれを取り消すべき違法は認められない。