diode:SBD)は金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードである。多数キャリアによる動作のためPN接合ダイオードに比べると順方向の電圧降下が低く、スイッチング速度が速いという特長を持つ。逆方向漏れ電流が大きく(20V印加時、25°Cで数MΩ、125°Cで数KΩ)、逆方向耐電圧が低いという欠点もある。このダイオードはスイッチング特性が優れているため、トランジスタによる論理回路の高速化、スイッチング電源などの電源回路でよく使われており、検波用などの型番[1]もある。論理回路の高速化では、ロジックを構成するトランジスタの過飽和を防ぐことで高速化をはかる(ショットキークランプ)。使われているものに汎用ロジックICの74LSシリーズなど。スイッチング電源では高周波を扱うため、整流用ダイオードのスイッチング特性の良さは電源回路の効率を上げるための重要な要素である。電圧降下の低さは効率を上げるだけでなくダイオードの発熱を抑えることにもつながっている。relay水銀スイッチこの項目は、電子工学に関連した書きかけの項目です。この項目を加筆・訂正などしてくださる協力者を求めています(Portal:エレクトロニクス)。(日時は個人設定で未設定ならばUTC)。表示-継承ライセンスの下で利用可能です。追加の条件が適用される場合があります。詳細は利用規約を参照してください。Cookieに関する声明モバイルビュ。