(switchingeIement)。transistor),从基板10侧开始依次在基板10上包括栅电极11、栅极绝缘膜12、沟道层13、漏电极15以及源电极16。栅电极11由例如Mo制成。10侧进入沟道区域13A的光屏蔽膜。(SiO2)、氮化硅(SiN)、氧化钇(Y2O3)、氧化铝(Al2O3)、氧化铪(Hf2O2)、二氧化钛(TiO2)等。形成的沟道层13横跨沟道层13与栅电极11彼此相对的区域,并且沿漏电极15和源电极16彼此相对的方向(稍后将描述)延伸。15和源电极16覆盖的暴露面13B。漏电极15和源电极16由例如Mo制成。此外,薄膜晶体管I包括位于沟道层13中的暴露面13B上的保护膜14。保护膜14与暴露面13B接触形成,并且覆盖暴露面13B。形成的保护膜14横跨保护膜14和暴露面13B的相对区域,并且沿漏电极15和源电极16的宽度方向延伸。(两端面)与漏电极15和源电极16接触,并且被漏电极15和源电极16覆盖。此外,保护膜14的长度L大于漏电极15和源电极16之间的间隙的间隔D。(两端面)没有被漏电极15和源电极16覆盖,并且暴露于外部。14A和氧气阻隔膜14B两者。利用氧气传输膜14A和氧气阻隔膜14B的端面形成保护膜14的侧面(端面)S2。端面S2是平坦的倾斜面,或平坦的垂直面。氧气传输膜14A的侧面(端面)SI暴露于端面S2。(SiN)或金属氧化物(例如,Al2O3)。氧气传输膜14A和氧气阻隔膜14B的厚度例如均为IOOnm以上至300nm以下,并且优选地,厚度为大约200nm。首先,在基板10上形成栅电极11之后,形成栅极绝缘膜12。14A和氧气阻隔膜14B而形成保护膜14。