PWD13F60:4個のパワーMOSFETを集積したフルブリッジSiPSTマイクロエレクトロニクスは、定格600Vの単相パワーMOSFETフルブリッジを搭載した、13×11mmの小型システムインパッケージ(SiP)「PWD13F60」を発表した。パワーMOSFET用のゲートドライバと保護回路を内蔵している。});ゲートドライバと保護回路を内蔵STマイクロエレクトロニクスは2017年12月、定格600Vの単相パワーMOSFETフルブリッジを搭載した、13×11mmの小型システムインパッケージ(SiP)「PWD13F60」を発表した。コンバーター、インバーターなどの部材コストと基板面積を削減できる。フルブリッジSiP「PWD13F60」4個のパワーMOSFETを集積し、単独で単相フルブリッジを構成する他、1つのフルブリッジまたは2つのハーフブリッジとしても構成できる。ディスクリート部品で構成する従来の回路に比べ、実装面積を60%小型化。最終製品の電力密度を高めることができる。同社の高耐圧BCD6s-Offlineプロセスで製造され、パワーMOSFET用のゲートドライバとハイサイド駆動用のブーストラップダイオードを内蔵している。外付け部品が不要になるため、基板設計を簡略化し、組み立て工程を効率化する。貫通電流保護と低電圧ロックアウト(UVLO)を備え、実装面積の削減とシステムの安全性を向上できる。電源電圧は最低6.5Vから動作できる。ドレインソース間オン抵抗は320mΩ、ブレークダウン電圧は600V。3.3〜15Vのロジック信号を入力でき、マイコン、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、ホールセンサーとの接続も容易に行える。放熱効率に優れたマルチアイランドのVFQFPNパッケージで供給され、1000個購入時の単価は約2.65米ドルとなる。関連記事SiC、GaNパワー半導体対応の絶縁ゲートドライバアナログ・デバイセズ(ADI)は2017年5月23日、高いコモンモード過渡電圧耐性性能と低伝搬遅延を両立した小型の絶縁ゲートドライバ4製品を発表した。MOSFET「LSIC1MO120E0080」シリーズを発売した。定格電流は25Aで、通常オン抵抗は80mΩ、最大150°Cの温度で動作する。Gold」を発表した。用途で電力密度を高めることができる。P7」シリーズに、SOT-223パッケージを追加した。基板上のDPAKの設置形状と互換性があるため、DPAKをそのまま置き換えることができる。白物家電メーカーは困難な時代に直面しています。メーカーは激しい競争が続く市場において、消費者にとって自社製品をより魅力的なものにする必要があります。STAR」や欧州連合の「92/75/EC」など)に従う必要もあります。その結果、動作音が小さく動作寿命の長い、高集積度/高エネルギー効率の機器を開発することが強く求められています。本稿では、白物家電の設計におけるモータードライバーICおよびインテリジェントパワーモジュール(IPM)技術の最新動向について説明します。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。