1.背景(現在の問題点)近年の高機能装置では半導体デバイスを高密度で集積し、実装することが高機能化、低コストの鍵を握ると言われている。従来タイプのSiウェハ接合は大気中で仮接合を行ったのち、300°C以上の高温加熱処理をすることにより接合を実現するが、熱膨張の異なる材料を高温で接合すると、熱膨張の差で大きなひずみが生じ、そのままでは接合できない場合や、強度が不十分、信頼性が確保できない場合などがあり、低温接合へのニーズが大きくなっている。:SAB)を用いることで常温での直接接合を実現しており、様々な材料での実装を試みている。常温接合は真空中で接合対象の表面の酸化膜や吸着層をイオンなどのエネルギー粒子の照射によって除去し、その表面を活性化することによって、固体表面が本来持っている凝集エネルギーをそのまま接合の駆動力に利用する接合方法である。Siなどのナノ密着層を用いて、金属だけでなく、半導体、セラミックス、プラスチック、ダイヤモンドなどのさまざまな異種材料の接合が可能となっている。半導体を対象として常温で直接接合を実現。開館スケジュールです。