C,以於導電材料層C中形成一凹陷圖案R”。SE的不同部分接觸(即步驟S130)。SE、一閘介電層GI、一源極S以及一汲極D。GI、部分源極S以及部分汲極D上。在本實施例中,氧化物半導體層SE之厚度係小於源極S與汲極D之厚度。1與圖3A,首先,於基板SUB上依序形成一閘極G與一閘介電層GI,其中閘介電層GI覆蓋閘極G(即步驟S110)。SUB上,以覆蓋住閘極G。SW1之源極S與具有階梯狀側壁SW2之汲極D之製作(繪示於圖3F),即步驟S120。HTPR具有階梯狀側壁SW。C,以於導電材料層C中形成一凹陷圖案R。