DRAMを開発したと明らかにした。シングルチップを基準にして業界最大容量の16Gbを実現し、1枚のウエハから生産されるメモリの総容量も、現存するDRAMの中で最も大きい。第2世代(1y)製品に比べて生産性が約27%向上し、超高価なEUV(極紫外線)露光工程がなくても生産可能なことから原価競争力も備えている。データ転送速度はDDR4規格の最高速度である3200Mbpsまで安定して支援する。電力効率も大幅に高め、第2世代の8Gb製品で作られた同一容量のモジュールよりも消費電力を約40%減らした。第3世代の製品は、前世代の製造プロセスでは使用していない新規物質を採用して、DRAMの動作の重要な要素である静電容量を最大化しており、新しい設計技術を導入して動作の安定性も高めた。DRAMは業界最高水準の容量と速度にくわえて電力効率もそなえ、高性能・大容量のDRAMを求める顧客社のニーズの変化に最も適した製品」だとし、「年内に量産準備を終えて来年から本格的に供給に乗り出し、市場の需要に積極的に対応する」と語った。さまざまな応用先にかけて第3世代の10ナノ級微細工程技術を拡大適用していく計画だ。