磁区を有する試料(9)の上方において、MFMを用いて測定面(91)での磁気力の分布が磁気力画像として取得され、測定面(91)から微小距離dだけ離れた測定面(92)にて測定を行って補助磁気力画像が取得され、これらの差分を微小距離dで除算して磁気力勾配画像が取得される。磁気力画像および補助磁気力画像はフーリエ変換されてラプラス方程式の一般解から導かれる3次元場取得式に代入され、磁気力を示す3次元場が高精度に取得される。3次元場の取得により、試料(9)の表面93における磁区の様子も高精度に得ることができる。ポテンシャル等の様々な場に利用することができる。記録媒体である磁性体への磁気記録の高密度化と並行して、磁性体上の磁区の構造を評価する装置の開発が行われており、スピン偏極電子を用いた走査トンネル顕微鏡や走査電子顕微鏡が5nm以下の分解能を持つと期待されている。これらの装置は極めて清浄な磁性体表面の観察しか行うことができず、実用的な評価装置または製造ライン上の検査装置としての応用は容易ではない。Microscopy、以下、「MFM」という。)の利用が提案されている。試料表面から離すことが定量的な測定には不可欠となる。その結果、現状では空間分解能は10nm以下に留まっている。用いて磁束変化を計測する実験において、電流と磁場との関係をビオ・サバールの法則を用いて数式化し、試料表面の上方において測定した磁場から電流密度分布を求めるという手法が提案されている。特開2002-257705号公報(文献2)では、MFMにより薄膜表面および薄膜断面を含めた磁化状態の情報取得の可能性について言及されており、特開2002-366537号公報(文献3)では、ラプラス方程式を満足し、一境界境域で混合境界値を有するポテンシャル問題を解決する際に、ラプラス方程式の近似解に対してディリクレ条件とノイマン条件とを満足するような補正を交互に反復して施す方法が開示されている。ところで、文献1において提案されている手法では、電流密度分布が試料表面のみに存在することが前提となっており、磁場を解析する一般的な手法として利用することはできない。ポテンシャル等の3次元場、さらには時間等を含めて拡張された高次元の場や2次元の場を測定により取得する技術に関する。対象物の存在に起因して少なくとも前記対象物の周囲または内部に形成され、かつ、ラプラス方程式を満たす3次元スカラー場を示す場関数であるφ(x,y,z)(ただし、x,y,zは互いに垂直なX,Y,Z方向にて規定される直交座標系の座標パラメータを示す。前記第1測定値群および前記第2測定値群に基づいて、前記測定面におけるφ(x,y,z)のzによるq回微分であるφz(q)(x,y,0)およびp回微分であるφz(p)(x,y,0)(ただし、p,qは0以上の整数であり、一方が奇数、他方が偶数である。)を求め、φz(q)(x,y,0)およびφz(p)(x,y,0)をそれぞれフーリエ変換してψz(q)(kx,ky)およびψz(p)(kx,ky)(ただし、kx,kyはX方向およびY方向の波数である。)を求め、さらに、ψz(q)(kx,ky)およびψz(p)(kx,ky)からφz(q)(x,y,z)をフーリエ変換したものを導くことにより、φz(q)(x,y,z)を求める演算部と、を備える。【数21】(省略)によりφz(q)(x,y,z)を求める。重力ポテンシャルの場である。請求項4に記載の3次元場取得装置であって、qが0または1である。前記演算部が、φz(q)(x,y,z)のzに前記対象物の表面の位置または表面に近接する位置を示す値を代入する。前記演算部が、φz(q)(x,y,z)のzに前記対象物の表面の位置または表面に近接する位置を示す値を代入する。前記演算部が、φz(q)(x,y,z)のzに前記値が代入されたものに基づいて前記表面に記録された情報を取得する。前記3次元スカラー場が磁位の場である。前記演算部が、φz(q)(x,y,z)のzに前記対象物の内部の位置を示す少なくとも1つの値を代入し、代入結果に基づいて前記回路の電流分布を求める。前記演算部が、前記電流分布から前記回路の欠陥を検出する。構造物内の残留応力または腐食により生じる磁位の3次元場または前記磁位の場から導かれる3次元場を取得する請求項1ないし3のいずれかに記載の3次元場取得装置を備える。対象物の存在に起因して少なくとも前記対象物の周囲または内部に形成され、かつ、ラプラス方程式を満たす3次元スカラー場を示す場関数であるφ(x,y,z)(ただし、x,y,zは互いに垂直なX,Y,Z方向にて規定される直交座標系の座標パラメータを示す。)またはφ(x,y,z)をzにて1回以上微分したものを取得する3次元場取得方法であって、a)対象物の外部または内部に、z=0を満たす測定面が設定されており、前記3次元スカラー場に由来する一の種類の測定値の前記測定面における分布を2次元の第1測定値群として取得する工程と、b)前記一の種類の測定値を示す関数をzにて1回微分したものに対応する測定値の前記測定面における分布を2次元の第2測定値群として取得する工程と、c)前記第1測定値群および前記第2測定値群に基づいて、前記測定面におけるφ(x,y,z)のzによるq回微分であるφz(q)(x,y,0)およびp回微分であるφz(p)(x,y,0)(ただし、p,qは0以上の整数であり、一方が奇数、他方が偶数である。)を求める工程と、d)φz(q)(x,y,0)およびφz(p)(x,y,0)をそれぞれフーリエ変換してψz(q)(kx,ky)およびψz(p)(kx,ky)(ただし、kx,kyはX方向およびY方向の波数である。)を求める工程と、e)ψz(q)(kx,ky)およびψz(p)(kx,ky)からφz(q)(x,y,z)をフーリエ変換したものを導くことにより、φz(q)(x,y,z)を求める工程と、を備える。【数22】(省略)によりφz(q)(x,y,z)が求められる。対象物の存在に起因して少なくとも前記対象物の周囲または内部に形成され、かつ、ラプラス方程式を満たす3次元スカラー場を示す場関数であるφ(x,y,z)(ただし、x,y,zは互いに垂直なX,Y,Z方向にて規定される直交座標系の座標パラメータを示す。)またはφ(x,y,z)をzにて1回以上微分したものをコンピュータに取得させる3次元場取得プログラムであって、前記プログラムの前記コンピュータによる実行は、前記コンピュータに、a)対象物の外部または内部に、z=0を満たす測定面が設定されており、前記3次元スカラー場に由来する一の種類の測定値の前記測定面における分布として取得された2次元の第1測定値群と、前記一の種類の測定値を示す関数をzにて1回微分したものに対応する測定値の前記測定面における分布として取得された2次元の第2測定値群とに基づいて、前記測定面におけるφ(x,y,z)のzによるq回微分であるφz(q)(x,y,0)およびp回微分であるφz(p)(x,y,0)(ただし、p,qは0以上の整数であり、一方が奇数、他方が偶数である。)を求める工程と、b)φz(q)(x,y,0)およびφz(p)(x,y,0)をそれぞれフーリエ変換してψz(q)(kx,ky)およびψz(p)(kx,ky)(ただし、kx,kyはX方向およびY方向の波数である。)を求める工程と、c)ψz(q)(kx,ky)およびψz(p)(kx,ky)からφz(q)(x,y,z)をフーリエ変換したものを導くことにより、φz(q)(x,y,z)を求める工程と、を実行させる。【数23】(省略)によりφz(q)(x,y,z)が求められる。【数24】(省略)を満たすn次元スカラー場を示す場関数であるφ(x1,x2,...,xn)(ただし、nは2以上の整数であり、x1,x2,...,xnはn次元を表現するパラメータを示す。)またはφ(x1,x2,...,xn)をxm(ただし、mはn以下の正の整数である。前記第1測定値群および前記第2測定値群に基づいて、前記測定空間におけるφ(x1,x2,...,xn)のxmによるq回微分であるφxm(q)(x1,x2,...,xm-1,0,xm+1,...,xn)およびp回微分であるφxm(p)(x1,x2,...,xm-1,0,xm+1,...,xn)(ただし、p,qは0以上の整数であり、一方が奇数、他方が偶数である。)を求め、φxm(q)(x1,x2,...,xm-1,0,xm+1,...,xn)およびφxm(p)(x1,x2,...,xm-1,0,xm+1,...,xn)をそれぞれフーリエ変換してψxm(q)(kx1,kx2,...,kx(m-1),kx(m+1),...,kxn)およびψxm(p)(kx1,kx2,...,kx(m-1),kx(m+1),...,kxn)(ただし、kx1,kx2,...,kx(m-1),kx(m+1),...,kxnはx1,x2,...,xm-1,xm+1,...,xnに関する波数である。)を求め、さらに、ψxm(q)(kx1,kx2,...,kx(m-1),kx(m+1),...,kxn)およびψxm(p)(kx1,kx2,...,kx(m-1),kx(m+1),...,kxn)からφxm(q)(x1,x2,...,xn)をフーリエ変換したものを導くことにより、φxm(q)(x1,x2,...,xn)を求める演算部と、を備える。【数25】(省略)によりφxm(q)(x1,x2,...,xn)を求める。ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、下記までご連絡ください。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。