applied.【0022】図2の構成においては、メモリセル11のリードデータがセンスアンプ12で増幅される。LRWBNを介してリード・ライトバスRWBT,RWBNへ転送される。21−(i+j)へ転送される。−jからデータがリードされる。[0023]【発明の効果】以上より明らかな如く、本発明の半導体記憶装置によれば、最初のデータをレジスタアレイ部を介さずにリードしている間に、後続のデータをレジスタアレイ部に転送しておき、最初のデータをリードし終えた直後に後続のデータをリードするようにしたので、レジスタアレイ部におけるミスヒット時の連続的なリード動作において、ファーストアクセスの短縮化が可能になる。access.【0024】また、本発明の半導体装置によれば、メモリセルアレイから連続リードによってデータを読み出すとき、一番目の読み出しデータをメモリセルアレイから第1の転送用バスおよびローカルリード・ライトバスを介して前記リード・ライトバスに転送し、これと同時に二番目の読み出しデータを前記メモリセルアレイから前記第1の転送用バスを介して前記レジスタアレイに転送する制御手段を設けたので、レジスタアレイにおけるミスヒット時のリード動作において、接続手段を介してリード・ライトバスへデータをリードする経路と、レジスタアレイ部を通したリードする経路とを使い分けることができ、レジスタアレイ部おけるミスヒットが低減され、ファーストアクセスを短縮化することができる。DRAWINGS【図1】本発明による半導体記憶装置の第1の実施の形態を示すブロック図である。FIG.【図2】本発明の半導体記憶装置の他の実施の形態を示すブロック図である。invention.【図3】従来の半導体記憶装置を示すブロック図である。off動作に同期してオンになることを特徴とする半導体記憶装置。なることを特徴とする半導体記憶装置。dataを行うことを特徴とする半導体記憶装置。bus前記リードライトバスに転送され且つ前記第2の読み出しデータが前記転送用バスを介して前記レジスタアレイ部に転送され、前記第2の読み出しデータが前記レジスタアレイ部から前記リードライトバスに転送されることを特徴とする半導体記憶装置。前記第2の読み出しデータは、前記メモリセルアレイから前記転送用バス及び前記レジスタアレイ部を介して前記リードライトバスに転送されることにより読み出されることを特徴とする半導体記憶装置のデータ読み出し方法。