将不对示于图4A的纵向偏置区150的形成进行说明。S1上边的隔离层102,MTJ设备100和顶部隔离层104。诸如Ta,Al,Cu,Au,W,和Pt等,典型厚度在10到20nm的范围内。诸如Fe-Mn,Ni-Mn,Pt-Mn,Ir-Mn和Pd-Mn中选择。反铁磁体层116的典型厚度是在7到30nm的范围内。固定铁磁体层118最好是一种Ni-Fe合金或Ni-Fe合金与Co薄膜的双层。2到10nm而Co层的典型厚度是0.2到2nm。120的厚度一般是0.5到1.5nm的范围。自由铁磁体层132一般是一Ni-Fe合金或者Co和Ni-Fe合金的双层,对于Ni-Fe合金,厚度是10到20nm,对于Co,厚度是0.2到2nm。SiO2的绝缘材料层250,其厚度至少大于d与隔离层102,MTJ设备100和隔离层104的厚度之和。在淀积绝缘层250之后,剥离光刻胶层230,去掉淀积在隔离层104上边的绝缘材料250。最后,如图6E所示,用离子束淀积或者RF或DC磁控管溅射法,形成顶部屏蔽层S2。50-80nm的范围内。MR读出磁头,其分辨率间隙s为~50-80nm,但是屏蔽间间隔s′将离开MTJ传感器~120nm而不是50-80nm。温度被升高到高于Fe-Mn的成形(blocking)温度的约180°C。116和118的办法,产生了铁磁体层118的交换各向异性。118的情况下冷却Fe-Mn层的结果。S1、S2离开MTJ设备的间隔。