132的磁矩133相同的方向上。132进行静磁耦合(用虚线箭头153表示)。116,固定铁磁体层118,隧道势垒层120和读出铁磁体层132后,到达第2隔离层104并通过第2屏蔽S2输出。100及其它的隔离层102、104绝缘。一个5nm的Ta籽晶层(未画出)首先形成于一个10-50nm的用作隔离层102的Culayer上边。MTJ设备100的各种薄层。(fcc)Ni81Fe19模板层112的(111)生长的材料组成。模板铁磁体层112加强了反铁磁体层116的生长。Cu和Ta之类的fcc金属或诸如3-5nmTa/3-5nmCu之类的组合层。Ni81Fe19(分别为层112,116,118)的叠层构成。用作衬底的Cu隔离层102直接形成于形成第1屏蔽S1的材料的上边。这将形成Al2O3绝缘隧道势垒层120。Ni-Fe/10nmTa叠层(分别为层132,134)。(例如Ni(100-X)Fe(X)(X近似为19))。Co或Co(100-X)Fe(X)(X近似为70)或Ni(100-X)Fe(X)(X近似为60)层的体Ni(100-X)Fe(X)(X近似为19)层构成。界面层最好是约1-2nm厚。如果层118的整体是Ni-Fe,那么组分就是Ni81Fe19,对于该组分,体Ni-Fe具有0磁致伸缩。118中的铁磁体材料,且具有实质上小于Al2O3势垒层120的电阻的电阻。