45.参考图4C,金属催化剂45经受扩散。金属催化剂45通过第二覆盖层44扩散到非晶硅层41中。在非晶硅层41中扩散金属催化剂45,形成晶种46。如图3A到3C所示,晶种46优选在结区51中沿接触孔方向的1到3μm内形成。用晶种46进行下述结晶。通常,金属催化剂45的仅1/100扩散形成晶种46。44.然后,非晶硅层41结晶,形成多晶硅层。这里,结晶优选在温度400到1000°C中进行。最后,进行很好的结晶。36的晶粒达到直径20到200μm,或300μm。42、第二覆盖层44以及金属催化剂45。48和49与沟道层50。换句话说,形成半导体层图案47。