表面と内部の欠陥を同時に検査:ローム、SiCウエハー検査装置の最新機種を採用レーザーテックは、同社のSiCウエハー検査装置の最新機種がロームに採用されたと発表した。SiCウエハー表面の各種欠陥検査と内部欠陥を同時にかつ高速で検査できることを強みとしている。});レーザーテックは2015年8月、同社のSiC(シリコンカーバイド)ウエハー欠陥検査/レビュー装置の最新機種「SICA」がロームに採用されたと発表した。同社は、「パワーデバイス分野でSiCを中心に世界をリードするロームが、SiCデバイスのさらなる製品品質向上と生産体制の強化に向けた取り組みとして採用を決定した」とリリース上で語る。表面と内部の欠陥を同時に検査SiCは、次世代パワー半導体の新たな材料として大きな注目を集め、本格的な普及に向けて、SiCウエハーの高品質化への要望が高まっている。中でも、研磨プロセスやエピタキシャルプロセスは、ウエハー品質を決定する重要なプロセスとなる。ウエハー表面のスクラッチやエピ欠陥に加え、エピ膜内部の基底面転位や積層欠陥を高速に検出・分類し、欠陥を低減することが高品質確保と歩留まり向上で重要になるという。出典:レーザーテックSICAは、ウエハー表面の各種欠陥検査とフォトルミネッセンスによる基底面転位や積層欠陥などの内部欠陥を同時に、かつ高速で検査することを可能にしている。トレンチ構造を用いたSiC-MOSFETを製品化——ロームが6月量産ロームは2015年4月23日、トレンチ構造を用いたSiC(炭化ケイ素)によるMOSFET(以下、SiC-MOSFET)を開発し、2015年6月から量産すると発表した。山手線の新型車両「E235系」がSiCパワー半導体を採用へJR東日本は2014年7月、2015年秋頃に山手線で営業運転を開始する新型電車車両「E235系」の主制御器に、SiC(炭化ケイ素)を使用したパワー半導体を搭載すると発表した。欧米も注目する“第3の次世代パワーデバイス”の国内開発プロジェクトが今春スタート情報通信研究機構(NICT)は、2014年4月をメドに次世代パワーデバイス材料の1つである酸化ガリウムを使ったデバイスの実用化を目指した本格的な開発プロジェクトを発足させる。メーカー、大学などと連携して2020年までに酸化ガリウムパワー半導体デバイスの実用化を目指す。寿命「30億年」に「10年」が挑む次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びるSiC(炭化ケイ素、シリコンカーバイド)。SiCパワー半導体を利用したシステム製品も登場しており、次は自動車への採用に期待が掛かる。SiCにはまだまだ課題が残っていた。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。