(FRA))に関し、特にこのような光ファイバ増幅器を含む光ファイバ通信システムに関する。公知であり、高いレベルの開発段階に到達している。1.5μmの波長に限定されている。1.3μmの波長でゲインを与えるような実用的なシリカ系の稀土類ドープの光ファイバ増幅器は存在しない。1.3μmの波長あるいはその近傍で動作するよう設計することができる。al.著の論文を参照のこと。ラマン増幅器は、このような波長での使用の有望な候補で、その理由はラマン増幅器は、シリカ系の光ファイバを利用し、それがポンプされない状態では、高い透明性を有するからである。316-335」を参照のこと。米国特許第5,323,404号は、複数の光学キャビティを有するFRAを開示している。40dB以上の信号ゲイン)を生成することは容易であるが、従来の高ゲインのFRAは、雑音がひどく高い正味ゲインと、低ノイズの両方を有する従来技術のFRAは存在しない。systemAは大きな潜在的能力を有しているために、低ノイズでさらに高いゲインを提供できる増幅器を得ることが望ましい。本発明は、このような増幅器を提供することである。」の論文は、主要なノイズ源である信号自然放射ビーティングを有するFRAのノイズ特性の測定について報告している。同時にまた同論文(396頁の第2セクションの第1パラグラフの第1コラム)は、反対方向に伝播するポンプ放射を利用することにより、ポンプの変動に起因する高い周波数ノイズを大幅に低減できることを報告している。reported.【0006】多大な研究努力がEDFAの特性を知るために成されている。(RBS))よりもASEの飽和により制限されるが、RBSの相当量の観測を報告している。WDMの使用)と共にアイソレータの挿入について報告している。これに関しては、同論文の561頁の「議論」の最後の2つのパラグラフを参照のこと。1994)」は、増幅した二重レイレイ散乱に起因するEDFA内のノイズを測定し、このノイズソースに対する関心は、外部変調アナログAM−CATVシステムに対し、有益であることを報告している。これに関しては、同論文の「結論」の部を参照のこと。/3から1/2の場所にあることを報告している。これに関しては、同論文の1278頁の最後のパラグラフを参照のこと。bsは、バックスキャタリングの反射率で)、さらに高ゲインの光増幅器を用いる光ファイバシステムに対し、この光学アイソレーション(絶縁)は、高ゲインの光学増幅器を用いる光ファイバシステムにおいては、必要不可欠なものであることを報告している。indispensable.【0010】これに関しては、同論文の213頁の最後のパラグラフを参照のこと。ここで報告された測定値は、30mのエルビウムドープの光ファイバを、2本の長い光ファイバ、即ち120kmの長さの光ファイバと18kmの長さの光ファイバの間に配置したシステムについて得られたものである。[0011]【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目的は、低ノイズで高ゲインの光増幅器を提供することである。[0012]【課題を解決するための手段】本発明の装置は、特許請求の範囲に記載された通りである。本発明の装置は、反対方向に伝播するポンプ放射を有する低ノイズのイントラキャビティの多段FRAを有する。inventionは、入力ポートと出力ポートと、前記入力ポートと出力ポートとを信号を伝播するように接続する光ファイバパスとからなり、このパスはシリカ系の増幅器ファイバを含む。pをシリカ系増幅器ファイバに導入し、その結果第1のポンプ放射は、入力ポートから上流側に向かって増幅器光ファイバの中を伝播する。2は少なくとも200mである。sの通過が阻止される。fiber.【0015】そしてさらに本発明のFRAは、閉鎖状態にあるポンプ放射パスを有し、そして前記シリカ系増幅器ファイバの少なくとも一部を含み、そして前記ポンプ放射パスは、前記第1ポンプ放射がその中を巡回するように構成される。p'の第2ポンプ放射をこのポンプ放射パスに導入する手段を有し、そしてさらにまた前記第2ポンプ放射をブロックする波長選択性第1反射手段を有する。sは1310nmであり、この波長選択性第1反射手段は、公知の高屈折率インライン屈折率グレーティングを有する。nm.【0017】本発明によるFRAは、効率とノイズ特性が改善され、多くの光ファイバ通信システムで使用が期待される。expected,パワー増幅器として、あるいはプリアンプとして、あるいはインラインアンプとして用いることができる(例えば、既存の1.3μm通信システムにおける従来の光学電子リピータの置換用として)。08/600,354に開示された2段のFRA(20)を示し。(WDM)12と26の間に第1増幅段21が配置され、WDM27と13の間に第2増幅段22が配置されている。WDM26と27の間に中間段アイソレータ25が配置され、同時に中間段アイソレータ25をバイパスするようにバイパス用光ファイバ28が並列に形成されている。WDM13にはポンプ放射が入力される。receiveAを構成する要素とを含む。この装置は、環状の形態をしているが、本発明のFRAの実施例では、外部からの検査できるようにする為に必ずしも環状の形態である必要はない。2,中間段アイソレータ25のバイパスを含む環状光ファイバパスを有する。12からWDM13に延び第1増幅器光ファイバ23が第2増幅器光ファイバ24の上流側に配置されている。より規定される光学キャビティを有するカスケード構成のラマンファイバレーザを有する。対する一方向性のリングレーザを構成する。p).【0021】WDM201は、ポンプ放射(例、Ndクラッド層ポンプファイバレーザからの1060nm放射)を本発明の装置のレーザ(上流)部分に結合する。invention.このポンプ放射は、反時計方向に伝播し、高屈折率の光ファイバグレーティング204により反射される。323,404)でもって1115nm波長の放射を生成し、これが次ぎに1175nm波長の放射を生成する。1060nm,1115nm,1175nmの波長の放射用に高反射率のグレーティングを有し、一方光ファイバグレーティング203は、1115nmと1175nmの波長の放射に対し、高反射率のグレーティングを有する。reflectivity.【0022】元のポンプ放射(1060nm)と、中間波長(1115nm,1175nm)の放射は、本発明の装置の上流部分に完全に閉じ込められる。1240nmの波長の放射は、1310nmの波長の信号放射に対するポンプ放射として機能する。WDM13を介して下流部分に伝播する。第2増幅段22を介しての反対方向の伝搬が中間段アイソレータ25を迂回してシャントされると第1増幅段21を介して反対方向に伝播し、WDM12とアイソレータ209を介して本発明の装置の上流側に戻る。(e.g.,レイレイ散乱放射)が増幅器に入るのを阻止する。WDM208は、多重パス干渉に起因するノイズを削減する。1240nmで動作する長周期の光ファイバグレーティングである。このようなグレーティングは、1240nmのポンプ放射のスペクトルを安定化させ。スプリアス(偽)のレーザ発振を阻止する。FRAのゲインスペクトラムを生成できる。5,337,382号,第5,309,260号を参照のこと。本明細書において、長周期グレーティングとは、関連放射の波長よりも長いグレーティング周期を有するグレーティングを意味する。このようなグレーティングは、波長依存性の伝送特性を有する。dependency.【0026】アイソレータ209は、1240nmのリングレーザが一方向(時計回り)にレーザ発振するよう強制し、1.3μmの放射が2段ラマン増幅器(図2の実施例の下半分)内に入るのを阻止する。prevent.【0027】上記の波長は、公称波長で単なる実施例である。本発明による増幅器を用いて、いかなる所望の信号波長も増幅することができる。適宜の波長の第1ポンプ放射と充分なパワーが得られた場合に限る。obtained.他の変形例も容易に考案することができる。devised.【0028】例えば、図2の増幅器に類似した増幅器は、Ybクラッド層のポンプレーザから1115nmのポンプ放射でもってポンピングされる。このような構成は、1115nmの波長放射をリングに結合するためにWDM201を選択するだけである。nmの波長で高い反射率を有するよう設定される。81がそれぞれ光ファイバ84を介して接続されている。respectively.【0030】図5は、本発明の他の実施例にかかる光ファイバ通信システム90を表す。CATVの信号のようなアナログ信号)を複数の受信者(加入者)に与えるのを容易にしている。962に接続されている。951-95nも同様に他の受信機に接続されている。961-96n(その内の受信機962のみが示されている)にそれぞれ伝播する。[0031]【実施例】図2に示すようにFRAを組み立ててテストした。206,25,207,209用として用いた。2でλ=1.3μmである。2でλ=1.3μmである。長周期光ファイバグレーティング205が、UV露光により硅素ゲルマニウム製の光ファイバのコアに書き込まれ、その伝送スペクトルは図3に示す。光ファイバグレーティング204はUV露光により、硅素ゲルマニウム製の光ファイバのコアに書き込まれた3個の短周期ブラックグレーティングからなる。2nmのバンド幅を有する。1115nm,1175nmである。pumpファイバレーザからの1060nm波長でもってポンプされた。laser.【0034】上記のFRAをパワーデジタル増幅器としてテストした。1310nmで周波数ディザードされた電子吸収変調レーザを信号ソースとして用いた。この信号は、FRAで増幅され、ルーセント・テクノロジ社製の5Dファイバの一部を介して伝播し、その後従来装置のビットエラーレートテスト装置を用いて検査された。device.19dBの正味ゲインと21dBmの出力パワーとを生成するラマン増幅器では、10Gビット/秒のNRZ信号がパワー減衰なく、102kmの長さの5Dファイバを伝播できた。25dBmのパワーを放出し、120kmの長さの5Dファイバを介して伝播されたが、その間に導入されたパワー損失はわずか1dBであった。therebetween.【0035】このFRAは、予めパワーアナログ増幅器としても同様にテストした。77CATVのチャネルでもって変調された、アナロググレードの1310nmのレーザダイオードを信号ソースとして用いた。the48dBに維持され、合成第2次のビートおよび合成第3次ビートの両方は、望ましい−60dBc以下であった。多少の変更を施すことによりCNRは50dB以上を得ることができた。inventionは、効率とノイズ特性が改善され、多くの光ファイバ通信システムで使用が期待される。このような使用が期待される応用分野では、パワー増幅器として、あるいはプリアンプとして、あるいはインラインアンプとして用いることができる。前記第2ポンプ放射の通過をブロックする波長選択性第1反射手段(204)とを有することを特徴とする光ファイバラマン増幅器を有する装置。p'は約1060nmであることを特徴とする請求項1の装置。lambdapとの間の放射に対し光学キャビティを規定することを特徴とする請求項2の装置。p'のほとんど全ての放射をポンプ入力ポート方向に反射して戻すことを特徴とする請求項1の装置。p'は約1115nmであることを特徴とする請求項1の装置。100mの長さを有することを特徴とする請求項3の装置。前記光ファイバ伝送パスは、前記光ファイバラマン増幅器を有することを特徴とする請求項1の装置。前記光ラマン増幅器のゲインスペクトルを生成する手段をさらに有することを特徴とする請求項1の装置。有するフィルタを含むことを特徴とする請求項9の装置。