出てくるので、「一方」です。「提供する」「与える」「供給する」「形成する」「もたらす」「実現する」などの意味がありますが、この場合は「供給する」ではなく「形成する」です。基板内のトレンチ底部の領域をドープして、電荷蓄積容量の増加した領域を形成することができる。この領域はキャパシタの一方の極板となる。surface.薄いノード絶縁層(高誘電率物質)は前記トレンチ表面を覆う共形層として形成される。これも能動形で訳します。薄いノード誘電層(高誘電率材料)を、トレンチ表面を覆う共形層として形成する。capacitor.前記トレンチはその後、前記キャパシタの前記電極の他の電極を形成するためにドープされた他結晶シリコン(ポリシリコン)または他の電荷蓄積物質で充填される。不定詞と受身形が出てきます。対になるもので、「他方の」です。ドープした多結晶シリコン(ポリシリコン)または他の電荷蓄積材料でトレンチを充填して、キャパシタの他方の極板を形成する。以上の訳文を続けると次のようになります。トレンチ・キャパシタ及び他のトレンチに基礎を置く構成素子の一般的な製造方法は良く知られている。典型的なプロセスは基板(もしくはウェハ)へのイニシャル・トレンチのエッチングを有している。トレンチ・エッチングに先立って、1またはそれ以上の共形の絶縁体層が前記ウェハの表面上に形成されることがある。典型的に、共形の酸化物絶縁層が酸化物層の上に横たわる共形の窒化絶縁層(いわゆるパッド窒化物)を伴って半導体表面に最も接近していることがある。到達するように形成される。トレンチの底部における基板内の領域は電荷蓄積容量の増加した領域を供給するためにドープされる。この領域はキャパシタの1つの電極となるものである。薄いノード絶縁層(高誘電率物質)は前記トレンチ表面を覆う共形層として形成される。前記トレンチはその後、前記キャパシタの前記電極の他の電極を形成するためにドープされた他結晶シリコン(ポリシリコン)または他の電荷蓄積物質で充填される。トレンチ・キャパシタおよび他のトレンチをベースとする構成要素の一般的な製造方法はよく知られている。典型的な方法は、基板(またはウェハ)内に初期トレンチをエッチングするものである。トレンチ・エッチングの前に、ウェハの表面上に1つまたは複数の共形誘電層を形成することができる。一般に、半導体表面の最も近くに共形の酸化物誘電層があり(=設けられ)、酸化物層の上に共形の窒化物誘電層(いわゆる「パッド窒化物」)がある(=設けられる)。パッド誘電層を貫通して半導体基板材料内までエッチングすることによって、トレンチを形成する。基板内のトレンチ底部の領域をドープして、電荷蓄積容量の増加した領域を形成することができる。この領域はキャパシタの一方の極板となる。トレンチ表面を覆う共形層として薄いノード誘電層(高誘電率材料)を形成する。ドープした多結晶シリコン(ポリシリコン)または他の電荷蓄積材料でトレンチを充填して、キャパシタの他方の極板を形成する。