土木お知らせ公式Twitterアカウントで新着記事を配信中です。フォローをお願いします。Semiconductor(オンセミ)は、電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)、プラグインハイブリッド車(PHEV)などのトラクションモーターの駆動に向けたIGBTパワーモジュール「VE-Tracファミリー」を発売した(ニュースリリース)。同社は「パワー・インテグレーテッド・モジュール(PIM)」と呼ぶ。今回は2製品を発売した。1つは、IGBTを2個集積したハーフブリッジ構成のパワーモジュール「NVG800A75L4DSC」である。耐圧は+750Vで、最大コレクター電流は800Aである。1つは、IGBTによるハーフブリッジ構成を3組内蔵したパワーモジュール「NVH820S75L4SPB」である。いわゆる「6パック構成」のパワーモジュール。耐圧は+750Vで、最大コレクター電流は820Aである。2製品どちらも、第4世代のフィールドストップ(FC)構成を採用した狭メサ型のIGBTを採用した。トラクションモーター駆動用インバーターに向けたIGBTパワーモジュール。Semiconductorのイメージ[画像のクリックで拡大表示]前者のNVG800A75L4DSCは、パッケージの表面と裏面の両方に放熱板を設けた「デュアル・サイド・クール(DSC)」構造を採る。このため、この製品を複数積み重ねることが可能なため、実装面積を増やすことなく、駆動能力を高められる。対応する駆動能力の範囲は80k〜300kWである。車載用パワー半導体の品質規格である「AQG-324」に準拠する。内蔵したIGBTのコレクター-エミッター間飽和電圧(VCE(sat))は2つとも+1.55V(最大値)と小さい。このため電力損失を抑えられるという。全ゲート電荷量は1.9μC(標準値)。過電流保護機能や過熱保護機能を内蔵した。は−40〜+175°Cである。後者のNVH820S75L4SPBは、パッケージに取り付けた端子やフィンを使って放熱する方法を採用する。同社は、この方法を「ダイレクトクーリング」と呼ぶ。内蔵した6個のIGBTのコレクター-エミッター間飽和電圧(VCE(sat))は、すべて同じで+1.55V(最大値)。車載用パワー半導体の品質規格である「AQG-324」に準拠する。発売した2製品どちらも価格は明らかにしていない。3302)で展示する予定だ。Reserved.このページに掲載されている記事・写真・図表などの無断転載を禁じます。掲載している情報は、記事執筆時点のものです。