デュアルチャンネルバッファIDTは、LVDSデュアルチャンネルファンアウトバッファ「8P34Sバッファファミリー」の4製品を発表した。1.8V製品は、高周波クロックとデータ信号の同時ファンアウトを可能にした。});省電力で基板を設計LVDSクロックファンアウトバッファIC「8P34S」ファミリーの1.8V製品IDTは2016年11月、低消費電力のLVDSクロックファンアウトバッファIC「8P34S」ファミリーに、電源電圧1.8Vの4製品を追加した。アディティブ位相ジッタは45フェムト秒未満で、高周波のクロックとデータ信号の同時ファンアウトを可能にした。新製品は、各デバイスに独立したバッファチャンネルを2つ搭載し、最大8つの低スキュー出力を実現。チャンネル間を効果的に絶縁することで、ノイズの影響を最小限に抑えた。伝搬遅延などのAC特性は、チャンネル間で最適化している。競合製品に比べて電力は最大で50%低減し、クロック性能を維持しながら省電力での基板設計に対応する。これらのバッファにより、エンジニアはサブミクロンのシリコンプロセスを支援する低電圧化へ移行できるという。2つの異なる信号入力に対応し、同期を維持しつつバッファリングする。CMOSアナログコンパレーターを発表した。コンパレーター当たりの標準動作電流を5μAに低減しているという。定インピーダンス技術搭載のSPST吸収型RFスイッチIDTは、コンスタントインピーダンス技術を搭載した広帯域SPST(単極単投)吸収型RFスイッチ「F2910」を発表した。線形性に優れ、挿入損失が低く、多様な無線およびRF用途に向く。MEMSスイッチ「ADGM1304」「ADGM1004」を発表した。自動試験装置(ATE)や、その他の測定機器の精度と多様性を大幅に向上させるという。RFとマイクロ波用の高性能標準モジュール新製品アナログ・デバイセズは2016年9月、RFとマイクロ波用の高性能標準モジュール「HMC-C582」「HMC-C583」「HMC-C584」「HMC7891」を発表した。全ての機能が統合された密閉式モジュールで、製品を設計する際の試作・実験プロセスを短縮するという。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。