Awardを受賞しました。本講演会は、国内外の深紫外デバイスに関わる各研究機関の研究者が集結する講演会で、今年は250人以上の参加者が集まりました。近年、殺菌用途の高出力な深紫外LED開発が加速しています。その対となる受光デバイスにも注目が集まっていますが、大型かつ高価な光電子増倍管などを使用する必要があるため、窒化物半導体のAlGaNを用いた高性能なセンサの実現が望まれていました。一方でAlGaNを用いた従来のセンサでは、結晶欠陥の影響により低下する問題を抱えていました。本研究では、AlGaN/AlGaN界面に誘起される二次元電子ガスを用いることで結晶欠陥の影響を低減し、ショットキー電極と組み合わせた世界初のデバイス構造を作製したことで、光電子増倍管に匹敵するセンサ特性を達成しました。その結果が高く評価され今回の受賞につながりました。今後は、センサの特性向上だけでなく、信頼性試験など、より商業的に近い領域を検討し、産学連携発のデバイスとして発展させていきたいと考えています。University。