+01:00)テクニカルサポートに電子メールする製品、サポート、またはアプリケーション問題について、技術サポート・エンジニアに電子メールを送ります。ほとんどの応答は48時間以内に行われます。01-08-2020今回は、ワイドギャップのエコシステムに関する3部構成のシリーズの最終回です。物理的に拡張可能なモデルに焦点を当て、パート2では当社のSiCパワーMOSFETモデルの特徴に焦点を当てました。パート3ではモデルの検証に焦点を当てます。このモデルは、高いゲートバイアスおよびドレインバイアスでのドリフト領域のピンチを含む、バイアス範囲全体を正確に予測しています。右側のプロットの正確な導通シミュレーションは、モデルの連続性を示しており、これは確実な収束性能にとって重要です。隠れた不正確性および不連続性を明らかにするために、一般的に線形チャートに加えて対数チャートを検証します。図2図2に、広い温度範囲に対する電流・電圧、RDSon、しきい値電圧の結果を示します。MOSFETデバイスは、非常に魅力的です。設計者は、温度に対する非常に正確なモデリングを活用できます。複雑なデバイス容量に関する物理モデルを紹介しました。図3はその結果を示しています。CRSS(またはCGD)シミュレーションは、2桁以上のデータの多重屈折を追跡しており、対数チャートでのみ見ることができます。図4正確にモデル化された固有の容量とデバイスレイアウトの寄生成分により、図4に示すスイッチング結果が得られ、追加のモデル調整は不要です。この高い忠実度により、アプリケーション設計者は、dV/dt、dI/dt、スイッチング損失、EMIなどデバイスと回路の相互作用を正確にシミュレートできます。ゲートドライバと電源ループの相互作用を検証して最適化できます。当社にとって、お客様のさまざまなシミュレーションプラットフォームの要件に対応することが重要です。したがって、SPICEの不可知論的アプローチが必須です。不可知論的とは、業界標準のシミュレーションソフトウェア間の最小公分母のみを使用して、シミュレータ依存型の専用ソリューションから脱却することを意味します。とシミュレーション環境のポートフォリオを提供しています。この完全なラインアップは、エコシステムを形成しており、お客様が、新しいエキサイティングなワイドギャップ・アプリケーションおよびシステムの潜在性を最大限に実現できます。successfulコメントを投稿Eメール・アドレスは公開されません。>コメント記載上のルールコメント欄に記載がありません。コメントをお書きください。以下に記載されたルールに従って投稿してください。電話番号やEメール・アドレスなどの個人情報は記載しないでください。その結果によるいかなる望ましくない結果に対し、当社は責任を負いません。当ブログへのご参加とコメントにお時間を頂きありがとうございます。私どもの目標は、私たちを取りまく環境を変える最新の業界トレンドや技術を議論し、当社のエキスパートとのコネクションをつくり、当社で進行している最新の製品開発について知って頂くための中心的な場所として、オン・セミコンダクターのコミュニティを位置づけることです。FailedEメール・アドレスが正しくありません。postsオン・セミコンダクターのブログで新たに議論が起こった際に通知される設定が完了しました。私どものソーシャル・メディア・チャネルに参加して、あなた自身をご紹介ください。当ブログの読者の名前と顔が一致することを嬉しく思います。