第2回の会合に参加してきました!会合の場所は中央電気倶楽部でした。第2回からは実際の論文の調査結果を報告するものになりました。最初の発表は安川電機の寺園様の発表でした。発表内容は,高周波スイッチングに伴う受動素子関係がメインでした。Nitride:窒化ガリウム)によるスイッチング電源の高周波化は進むものの,受動素子がその高周波化に追いついていないのではないかというのはよく言われているところですが,それ以外の素子などはどういった状況なのかというところをまとめてくださってました。アルミ電解コンデンサに関しても寿命品と呼ばれていますが,その長寿命化に関する部分も研究が進んでおり,非常に壊れにくい受動素子となっているようです。2番目の発表はパナソニックの池田様の発表でした。発表内容は,GaN-HEMTによるソフトスイッチングを用いたDC-DCコンバータに関するものでした。DE級インバータやエッジワイズコイルによる空芯トランスなど,様々な技術を複合したDC-DCコンバータに関する発表でした。このDE級に関してはアンプ(増幅器)の動作によるもので,A,B,AB,C,D,DE,E,F,Φ級など非常に様々です。(G,DG,H,J級なんかもあるようです)オーディオアンプに関する分類はこちら(A,B,AB,D,G,DG,H)3番目の発表は大阪電気通信大学の名誉教授である入江先生です。発表内容は高昇圧比コンバータに関する論文に関するものでした。高昇圧比コンバータは同じデューティ比でも高く昇圧できるというものです。デューティ比D=0.5の場合,一般的な昇圧型コンバータであれば2倍昇圧ですが,高昇圧比コンバータであれば2倍以上となります。論文の中にはトランスを用いて高昇圧比を実現するものも多いですが,中には「コッククロフト・ウォルトン回路」のようにダイオードとキャパシタを用いて高昇圧比を実現するものも多いです。次回は川上が発表する番となりました(あいうえお順でか行は早い...)。本研究室のご支援をご検討されている方は下記リンクをご参照ください。29リンク本校関係パワエレ。