TFT从单边漏极信号线DL提供给像素电极PX。TFT基本相同的结构。并且与薄膜晶体管TFT一起形成。此外,图1是沿图3中II线的横截视图。AS首先形成在透明基SUB1的液晶侧表面上。SUB1.该半导体层AS是构成薄膜晶体管TFT的半导体层。半导体层AS,例如,在附图中,以L型式样形成。GL和漏极信号线DL围绕,这在后面会说明。configured.由SiO2制成的绝缘膜GI,例如,形成在透明基体SUB1的表面上,这样绝缘膜GI也覆盖半导体层AS(见图1)。GL形成在绝缘膜GI的表面上。TFT.在此实施例中,例如,钼,钼合金(MoW,MoCr),钛,钛合金(TiW)可以用作栅电极GT(栅信号线GL)的材料。of.平行于栅信号线GL的电容信号线CL在各栅信号线GL之间形成。电容信号线CL,例如,与栅信号线GL同时形成。相应地,电容信号线CL由与栅信号线GL相同的材料制成。LGI1也覆盖栅信号线GL和电容信号线CL(见图1)。LGI1的的上表面上。TFT的漏极电极SD2上。CH2.此外,在形成漏极信号线DL时,薄膜晶体管TFT的源电极SD1形成在接触孔CH1的部分。LGI2也覆盖漏极信号线DL和源电极SD1。TFT的源电极SD1的一部分。formed.此外,在第二夹层绝缘膜LGI2的上表面上形成,例如,由ITO(铟-锡氧化物)制成的像素电极PX被。region.在上述实施例中,栅电极GT与栅信号线GL集成起来。other.[薄膜晶体管TFT]图1是一结构图,表示薄膜晶体管TFT的一个实施例,且图1也是沿图3中II线的横剖视图。