)で、招待講演に選ばれ講演を行いました。低温にしても電子濃度が変わらない特性をAlGaN(アルミニウム・ガリウム・ナイトライド)であらためて確認したり、n型窒化物半導体の電気抵抗率を従来の10分の1以下に低減したりする成果を盛り込んで発表しました。武田さんは「就活と重なりましたが、3年間の研究の集大成と思って準備しました。研究にはタフなメンタルとあきらめない心と体力が必要だと思いました。大変だったデータまとめなど、先生にはどんな時でも親身になってもらいました」と話しました。University。