全国規模の講演会で、今回は140人を超える参加者を集めて行われました。窒化物半導体の結晶成長を行っている東京大学や京都大学の若手研究者の発表を中心に行われ、その中でAlGaNを用いた深紫外の光センサに関する発表を行いました。本研究グループでは窒化物半導体を用いることにより、UVCと呼ばれる深紫外領域の光を受光することができるセンサを実現しています。UVCは医療分野や工業分野への応用が可能です。本研究ではこの光センサの温度依存性を調査しました。結果として低温化することによって高感度化すること、また20K(-253°C)までのデバイス物理に関して詳細に検討した結果を報告しました。暗電流や光電流のメカニズムの詳細な解析を行い、高感度化をはじめとしたデバイス特性向上の目途を付けたことが高く評価され今回の受賞につながりました。今後は、実用化に耐えうるデバイス性能の実証などに向けて研究に取り組みます。University。