至40拜的范围内,并且髙度H处于大约2nm至5nm的范围内。LCD器件中,在突起接触表面内,柱状衬垫料150与TFT阵列基板100的阶差部分160接触。LCD器件中,可减小柱状衬垫料150与TFT阵列基板100之间的接触面积。从而,可减小柱状衬垫料150与TFT阵列基板100之间的摩擦力。阵列基板100之间的真空状态。柱状衬垫料150通过接触点与TFT阵列基板100接触。200的黑矩阵层(未示出)上。分别沿柱状衬垫料150a的截面III-Iir和IV-IV'提取的剖面图。参照图8A,在滤色片阵列基板200上形成柱状衬垫料150a。0.1^mi到3.5pm的范围内。处于大约2^im到5^m的范围内。分别沿柱状衬垫料150b的截面IH-m,和IV-IV,提取的剖面图。参照图犯,在滤色片阵列基板200上形成柱状衬垫料150b。A,处于从大约0.1pm到柱状衬垫料150b的高度H的范围内。分别沿柱状衬垫料i50c的截面m-nr和iv-iv'提取的剖面图。