TFT包括栅极41a、源极42a、漏极42b和半导体层44。栅极41a从栅线41突出。45,以覆盖栅线41和栅极41a,并且在漏极42b与像素电极43之间插入钝化层46。漏极42b通过钝化层46中的孔与像素电极43接触。延伸的公共电极47a。此外,在包含孔的钝化层46上形成像素电极43。G和B滤色片层32以及涂覆层33。TFT区域相对应,以遮蔽光。形成柱状衬垫料150。从而,形成多个突起和/或凹槽。如上所述,在将TFT阵列基板IOO和滤色片阵列基板200对准之后,将取向材料印制在TFT阵列基板100和滤色片阵列基板200的外表面上。TN模式LCD器件的平面图。面对突起图案51形成柱状衬垫料150。参照图15和16,该TN模式LCD器件包括TFT阵列基板100、滤色片阵列基板200、柱状衬垫料150以及液晶层55。滤色片阵列基板200面对TFT阵列基板100。柱状衬垫料150面对TFT阵列基板100的突起图案51。液晶层55形成于TFT阵列基板100与滤色片阵列基板200之间。TFT阵列基板100包括栅线41、数据线42、薄膜晶体管TFT、突起图案51和像素电极43。