炉内の圧力が大気圧(1気圧)の場合には多少のSiO微粒子が発生しても落下する可能性は少い。これは、SiO微粒子が雰囲気ガスの強い流れに乗って排出されるからである。大直径のシリコン単結晶を長時間にわたり育成することを前提とした炉では、炉の内壁へのSiO微粒子の付着を低減するため、また、炉内のカーボン材から発生した炭素がシリコン単結晶に混入するのを防ぐため、炉内圧は0.01乃至0.1気圧に減圧されている。発生したSiO微粒子は非常に落下しやすい。36197号公報に示された方法では、原料溶解部を覆う形で「熱絶縁カバー」が設けられているが、仕切り部材内側からの凝固の発生に対しては対策が取られておらず、これを防止できないという欠点があり実用化は難しい。下を低減して、長時間にわたり安定してシリコン単結晶が育成されるシリコン単結晶の製造装置を提供することを目的とする。力を0.1気圧以下に減圧する減圧装置とを有するシリコン単結晶製造装置において、前記保温カバーの開口部と金属板からなる熱遮蔽部材を前記加熱体の上端部より高い位置に設け、前記熱遮蔽部材と保温カバーで形成されるガス通流口の断面積が、保温カバー下端とシリコン溶融液液面との間に形成される間隙よりも大きくなるように、上記熱遮蔽部材を上記開口部の上方もしくは下方に設けることを特徴とする。部の上方または下方に設けて、熱遮蔽部材と保温カバーで形成される開口部は炉の中心部に向かって開口されてある。傍を通過せずに炉底から排出される。炉内ガス流れの乱れをさらに抑えるため、熱遮蔽部材は、開口部において互いに平行な複数の金属板で構成されたものであることが好ましい。【0012】上記ガス通流口は、保温カバーの開口部に対応した数が、炉の中央に向かって開口された円弧状に設けられる。ガス通流口の幅は、炉内の構成と実用性を考慮して、2乃至8cmとすることが望ましい。近傍の流れは、本発明の方法では、ほとんど生じない。このような流れになるためには、保温材の開口部の高さはなるべく上の方、少くとも電気抵抗加熱体の上端部より上が望ましい。開口部はガス流れの点からは大きければ大きいほどよい。来の目的にとっては大きな開口部の存在は望ましくない。料シリコンが速やかに溶融できなくなり、固体状態のまま、やがて仕切り部材外側に堆積してしまう可能性がある。開口部がある場合、シリコン溶融液液面は炉上方の水冷された炉壁19と向かい合うことになるわけで、この現象は極めて起こりやすい。育成するシリコン単結晶が大直径になり、あるいは、シリコン単結晶の引き上げ速度が向上して、シリコン単結晶の引き上げ量が増大し、それに見合う量の原料シリコンを供給しなければならなくなると、この問題は極めて重要になる。【0014】そこで本発明では、開口部11の上方もしくは下方に熱遮蔽部材を設ける。気ガスの流れを妨げないような形状にする。温カバーの本来の目的をも満足させることができる。成することを特徴とする。この理由は次の通りである。シリコン単結晶炉の炉内構成部品の材料として一般的に用いられる黒鉛は、輻射率が大きいために、熱遮蔽効果が小さく、場合によっては、むしろシリコン溶融液液面からの放熱を促進してしまう可能性もある。射率が小さいために、熱遮蔽効果が大きく、熱遮蔽部材の使用目的によく合致している。成することを特徴とする。料として黒鉛、セラミックスなどいろいろ考えられるが、金属が保温効果が大きいからである。材を設けたとしても、開口部を設けたことによる保温カバーの保温効果の低下を避けることはできない。保温カバーを金属で構成することにより、この保温効果の低下を極力小さくすることができる。これによって、大直径のシリコン単結晶を高速で引き上げる場合にも、仕切り部材からの凝固や原料溶解部での供給原料の溶け残りを生じることなく、安定した引き上げ操業が可能になる。よる実施例を添付の図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本実施例のシリコン単結晶の製造装置を模式的に示した縦断面図である。転可能な機構で支持されている。7はるつぼ1内に入れられたシリコン溶融液で、これから円柱状に育成されたシリコン単結晶5が引き上げられる。毎分1.6mmである。材であり、これらはすべて炉壁13で囲まれたチャンバーに収容されている。雰囲気ガス(アルゴンガス)は引き上げチャンバー15の上方に設けられたガス流入口(図示せず)から炉内に導入され炉底部にある排出口14から減圧装置20により排出される。炉内の圧力は0.03気圧である。【0018】8は高純度石英ガラスからなり、るつぼ1内にるつぼ1と同心に設けられた仕切り部材である。この仕切り部材8の上縁部はシリコン溶融液7の液面よりも上に露出しており、下縁部は石英るつぼ1と予め融着されているか、もしくは初期に原料シリコンを溶解してシリコン溶融液7を作る際の熱によって融着している。原料溶解部Cには、粒状シリコンが原料供給チャンバー16から切り出し装置(図示せず)を経由して、原料供給管17に導かれて連続的に供給される。引き上げ量と等しい毎分約70gで一定である。【0019】10は保温カバーであり、板厚0.2mmのタンタル板で構成されている。部4か所にあけられており、保温カバー全周のおよそ80パーセントが開口部11に相当している。口部11の上方には、図5に示すように、原料供給管17の導入位置を除いて、同じくタンタル板で構成された熱遮蔽部材12が載っており、外周側では保温カバー10と熱遮蔽部材12との間はほぼ閉じているが、内周側では高さ方向に5cmの幅で開いている。気ガスのほとんどが図8に示す流路Aをたどることになる。線で区切った部分的な図で、雰囲気ガスの流れを示す。【0020】なお、後述する図2、図3に対応する図9、図10についても中心線で区切った部分的な図を示している。【0021】雰囲気ガスは、図8に模式的に示すように、炉中心・上方の引き上げチャンバー15から下方に向かって流れ出し、炉上部の空間で、周辺側に向かって拡がるように流れて、保温カバー10の開口部11から炉底部へ向かって吸引されるので、このガス流れを乱さないよう、少くとも保温カバー10の炉内周側では保温カバー10と熱遮蔽部材12とを2cm以上8cm以下離して、ガスの流路を確保する。ガス流路の確保という観点からは、保温カバー10と熱遮蔽部材12との間隔は広ければ広いほどよい。幅に広くすることは実用上は好ましくない。【0022】熱遮蔽部材12を使用しない場合には、シリコン単結晶引き上げ中に原料溶解部Cでの粒状シリコンの溶け残り・凝固が発生し、しばしば粒状シリコンの供給ができなくなってシリコン単結晶の育成に対しても大きな阻害要因となったが、熱遮蔽部材12の使用により、このような現象は起こらなくなった。口部の数には特に制限はない。【0024】図2は他の実施例を模式的に示したシリコン単結晶の製造装置の縦断面図である。熱遮蔽部材12が保温カバー12のの開口部11の下方に、開口部11から懸垂支持されて設置されている点で、その他は図1と同じである。視図は図6に示す通りである。雰囲気ガスの流路は図9の通り、流路Aをたどることになる。【0025】図3は上記と別の実施例を模式的に示したシリコン単結晶の製造装置の縦断面図である。明は上記図1の場合と同様である。成されている点で、その他は図1と同じである。遮蔽部材12の斜視図は図7に示す通りである。雰囲気ガスの流路は図10に示す通り、流路Aをたどることになる。この場合はガス通流口21において複数の流路に分かれ、ガス流れの乱れが少なくなる。蔽部材12を設けることも可能である。【0026】次に、保温カバー10と熱遮蔽部材12によって構成される開口部の幅を2cm以上で8cm以下と規定する理由を以下に述べる。前記流路Aでガスが通過する間隙の面積を、流路Bにガスが通過する間隙の面積よりも大きくしなければならない。隙を確保しなければならないのである。上限を8cmとしたのは実用性を考慮したものである。成部へのシリコン溶融液液面へのSiO微粒子の落下が抑えられ、シリコン単結晶の崩れを大幅に低減できた。上の仕切り部材からの凝固は発生せず、かつ、供給する原料シリコンを安定して溶解することができるようになった。これにより、シリコン単結晶引き上げ量に見合う量の原料シリコンを供給しながら、直径5インチ以上の大直径のシリコン単結晶を引き上げ速度毎分約1.6mmの高速引き上げで安定して製造できるようになった。【発明の効果】本発明のシリコン単結晶製造装置によれば、雰囲気ガスをが通流する通流口を金属板である保温カバーと熱遮蔽部材で構成し、前記通流口の断面積が、シリコン融液面上方を通る流路の断面積より大きくしてあるので、シリコン単結晶の育成を長時間にわたり安定して実現することができる。【図2】異なる実施例のシリコン単結晶製造装置を示す縦断面図である。【図3】さらに別の実施例のシリコン単結晶製造装置を示す縦断面図である。【図4】本実施例の保温カバーの斜視図である。【図5】図1に示す保温カバー開口部および熱遮蔽部材の斜視図である。【図6】図2に示す保温カバー開口部および熱遮蔽部材の斜視図である。【図7】図3に示す保温カバー開口部および熱遮蔽部材の斜視図である。【図8】図1の実施例でのガス流れの模式図である。【図9】図2の実施例でのガス流れの模式図である。【図10】図3の実施例でのガス流れの模式図である。【図11】従来技術のガス流れの模式図であるである。