開発・改良に意欲的に取り組んでいます。ユーザの皆さまから寄せられるご意見やご感想は、改善点の優先順位などを検討する際に、貴重なご意見として役立ててまいります。région.(JA)絶縁膜上に格子緩和したSiGe層を作製するための半導体装置の製造方法であって、絶縁膜上に形成されたSiGe層を、幅の広い第1の領域と幅の狭い第2の領域を有する島状に加工した後、SiGe層を熱酸化することにより、第1の領域よりも第2の領域のGe組成を高くし、Ge組成が高められた第2の領域を熱処理により融解し、融解した第2の領域を第1の領域との界面から再結晶化させる。