【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法による大直径シリコン単結晶の製造装置に関するものである。【従来の技術と課題】シリコン単結晶に要求される直径は年々大径化する傾向にある。今日、最新鋭デバイスでは直径6インチのシリコン単結晶が使われている。結晶が必要になるといわれている。長と共にるつぼ中のシリコン溶融液が減少する。従ってシリコン単結晶の成長とともにシリコン単結晶中のドーパント濃度が上昇し、酸素濃度が低下する。シリコン単結晶の性質がその成長方向に変動する。厳しくなるのでこの問題は解決されなければならない。生しやすいことである。この凝固は、温度の低いるつぼ中央部に向かって成長し、シリコン単結晶の育成を阻害する。切り部材のシリコン溶融液面上に露出している部分より放散される。従って仕切り部材近傍では溶融液温度が大きく低下している。溶融液の強い攪拌によって溶融液の表面温度は均一でしかも凝固温度の直上になっている。面は非常に凝固が発生しやすい状態になっている。仕切り部材を使用しない方法を提案したものである。この方法は原料溶解部が狭いため、とくに大直径のシリコン結晶を製造する場合、シリコン単結晶の引上げ量に見合う原料シリコンを溶解することが困難である。易であると考えられる。粒状シリコンがシリコン溶融液液面に供給された際に、粒状シリコンに対して十分な融解熱を与えられない場合には、粒状シリコンの溶け残りが生じる可能性がある。粒状シリコンの溶け残りから凝固が発生し拡大していくことが少くない。これは、溶融液と粒状シリコンとの比重差のために、固体の粒状シリコンが溶融液液面に浮かび、固体の方がシリコン溶融液よりも放射率が大きいために熱が奪われやすくなるためである。溶解部のシリコン溶融液液面で仕切り部材に付着凝集した場合には、前記の結晶育成部での凝固の場合と同じく、仕切り部材を通して熱が急速に奪われるため、凝固の発生・拡大が起こりやすい。料シリコンが粒状以外の形態であっても本質的に変わるものではない。公報に示された方法では、原料溶解部の上に「熱絶縁カバー」(特許請求の範囲第6項)を配置することにより、粒状シリコンの迅速な溶融を促進するようにしている。1−153589号公報がある。この発明では仕切り部材を保温カバーで完全に覆うことを提案している。供給される原料シリコンに対する溶解能力も十分にある。シリコン単結晶の育成を安定して行うには、この発明では不十分であることがわかった。1−153589号公報で示された方法でシリコン単結晶の育成を安定してできないのは、炉内の雰囲気ガス(アルゴンガス)の流れが適切でないからであることが判明した。図11を用いてこのことを詳述する。1−153589号に示された方法では、保温カバー10が設置されているために、雰囲気ガスの流れは図11中Bの様になる。端部に形成されている間隙、さらに、電気抵抗加熱体3と黒鉛るつぼ2の間、または電気抵抗加熱体3と断熱材6の間を通り、炉底より排出される。雰囲気ガスはおよそ室温であるため、シリコン溶融液液面近傍を通過する際、シリコン溶融液液面より蒸発したSiO蒸気と混合し、それを冷却する。傍でSiO微粒子が発生する。