modules2MBI2400XRXF120-50人口増加や経済成長により,エネルギー需要は世界的に拡大の一途をたどっている。CO2排出抑制による地球温暖化対策や,安全・安心で持続可能な社会を実現するために,電気エネルギーを効率的に変換するパワーエレクトロニクス技術への期待が高まっている。Transistor)モジュールの需要が拡大している。モジュールのパワー出力拡大や高信頼性化が求められている。RC-IGBT(反向导通)IGBT:开发了反向导通的IGBT。额定电流增加到2,400A。与传统的V系列相比,芯片键合温度Tvjop从150°C升高到175°C。1个端子增加到2个端子。相比之下,终端温度降低了50°C。RC-IGBT具有常规的IGBT。Tvjmax降低31°C。示出了度Tvjmax的计算结果。