[0001]【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関する。複数の電源電圧により動作することが可能な半導体装置のデータ出力回路に関する。MOSトランジスタを直列に接続しその中点より出力をとりだす構成のものがある。Nチャネル型MOSトランジスタは移動度の大きい電子をキャリアとして用いるため、動作が高速であり、比較的小さなトランジスタでも大きな電流を駆動することが可能である。このため、内部の回路構成が完全CMOSであっても、データ出力回路の最終段はNチャネル型MOSトランジスタのみで構成されることが多い。transistor.【0003】Nチャネル型MOSトランジスタをハイサイド(電源電圧側)に用いた場合、ゲートを電源電圧で駆動する限り、出力電圧はしきい値分だけ降下(しきい値落ち)して完全に電源電圧にはならない。5Vの電源電圧で駆動する従来の製品(5V品)は2.4V以上を“H”レベルと規定しているため、しきい値落ちは問題にならなかった。problem.【0004】近年になって、チップ内部の微細化に対応し、電源電圧を5V以下に低下させる試みがなされている。電源電圧を低下させた場合、上述のしきい値落ちが問題になってくる。1.5Vとすると、3.3V−1.5V=1.8Vとなり“H”レベル規定値の2.4Vよりも小さくなってしまう。このため、3.3Vの電源電圧に対応する製品(3.3V品)はデータ出力回路の最終段のNチャネル型MOSトランジスタの入力段に昇圧回路を接続し、しきい値落ちを解消している。there.【0005】5V品と3.3V品は内部回路構成はほとんど同じであるため、製造工程においてほとんどのマスクを共通にできる。両製品の作り分けは金属配線層のみを異ならせることにより行うことができる。layer.【0006】[図4]はNチャネル型MOSトランジスタによる出力回路で複数電源電圧製品を作りわける例である。昇圧回路3、データ出力パッド5、金属配線オプション部91、92、93からなる。金属配線オプション部は金属配線層により接続するか否かを選択できる。goodsを短絡させ、91及び92を開放させる。ゲートには信号Dataが直接印加され、この結果出力データ出力パッド5には電源電圧5Vよりもしきい値落ちした信号Doutが出力される。ゲートには信号Dataを昇圧した昇圧制御信号が印加され、この結果出力データ出力パッド5には電源電圧3.3Vとほぼ同電位の信号Doutが出力され、そのしきい値落ちはない。not.【0007】このように、従来は金属配線(多くはアルミ配線)に対しマスクを取り替えることにより異なった配線を行い、回路構成を変えることにより複数の電圧に対応した製品を作りわけていた。mask,回路構成を変えて複数の電圧に対応した製品を作りわけていた。mask,コストの増加につながっていた。本発明は、このような欠点を除去し、同一マスクで生産され、複数の電源に対応できるデータ出力回路を具備した半導体装置を提供することを目的とする。)と、第1の駆動信号及び昇圧駆動信号のいずれかを選択し第1のNチャネル型MOSトランジスタのゲートに入力する選択回路(2)とを具備する半導体装置を提供する。[0010]【作用】本発明で提供する手段を用いると、選択回路が昇圧回路を用いるか用いないかを選択するため、同一マスクで生産され、複数の電源に対応できるデータ出力回路を具備した半導体装置を提供できる。[0011]【実施例】本発明の実施例を[図1]〜[図3]を用いて説明する。本発明の半導体装置に用いるデータ出力回路は[図1]に示す構成をしている。ゲートに入力する選択回路2とからなる。