昇圧電位(例えば5V)となる。この結果、出力信号Doutは電源電位となる。オフし出力信号Doutは0Vとなる。0V.【0019】以上をまとめると、信号Enableが“H”、出力データDataが“H”であるとき、信号Bootが“H”であればDoutは電源電圧よりしきい値落ちした電圧が出力され、信号Bootが“L”であればDoutには電源電圧が出力される。オンするため、Doutは0Vとなる。信号Enableが“L”の時はDoutはフローティング状態となる。state.【0020】このように、外部信号Bootが“H”の時には出力電位はしきい値落ちした値であり、“L”の時はしきい値落ちしない値である。これは、電源電圧が5Vの時には昇圧回路を経ない高速な出力を、電源電圧が3.3Vの時には昇圧回路を経た確実な出力を可能にする。circuit.【0021】続いて、信号Bootの発生手段について説明する。[図2](a)はモールド前の半導体装置を示している。パッド4を有する半導体チップ41、インナーリード42、パッド4とインナーリード42とを接続したボンディングワイア43を図示している。インナーリード42のうち入出力や電源の供給に用いない、余ったリード42を信号Bootの入力に用いる。このように構成すると、外部から昇圧回路3を用いるか否かを設定できる。outside.【0022】[図2](b)もモールド前の半導体装置を示している。これはボンディングオプションによって信号Bootを発生させる例である。4及び電源パッド6を有する半導体チップ41、インナーリード42、パッド4とインナーリード42とを接続したボンディングワイア44、45を図示している。パッド4をボンディングワイアによってVcc(5V)インナーリードまたはVss(0V)インナーリードの何れかに接続するかを選択できる。Vccに接続した場合、ボンディングワイア45はVssに接続した場合である。3.3V品は昇圧回路3を用い出力のしきい値落ちを解消たものとして別々に出荷できる。3.【0023】[図3]はBoot信号発生手段の別の例である。)発生回路7、比較回路8とからなる。"H"に、Vccを当該所定電位未満に設定するとBoot信号は“L”に制御することができる。これにより、自動的に昇圧回路3を用いるか否かを決定でき、3.3V品と5V品とで区別をして出荷する必要が全く無くなる。[0024]【発明の効果】以上説明したように、本発明で提供する手段を用いると、選択回路が昇圧回路を用いるか用いないかを選択するため、同一マスクで生産され、複数の電源に対応できるデータ出力回路を具備した半導体装置を提供できる。前記第1の駆動信号及び前記昇圧駆動信号のいずれかを選択し前記第1のNチャネル型MOSトランジスタのゲートに入力する選択回路とを具備する半導体装置。transistor.【請求項2】前記選択回路はチップ外部のピンに印加される電圧により前記選択を行うことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。outside.【請求項3】前記選択回路はパッドとリード線とのボンディング状態に応じて前記選択を行うことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。wire.【請求項4】前記選択回路は電源電圧に応じて前記選択を行うことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。