7191基礎電子工学の教科書には、3つの基本的な受動回路素子、すなわちレジスター(抵抗)、キャパシター、インダクターが載っている。Chuaは第4の素子であるメムリスター(memristor)、すなわちメモリー付き非線形抵抗の存在を予測した。イオン輸送が外部バイアス電圧下でカップリングするナノスケール系で、メムリスタンス(memristance)が自然に生じることを報告した。この発見は、過去50年間に電子デバイスで電流-電圧特性に観測された多くの見かけ上異常なヒステリシス挙動の例を説明するのに役立つかもしれない。メムリスターは機能密度を、トランジスターで実現できるレベルを超えて大幅に増大させることによって、将来の電子回路に重要な影響を及ぼす可能性がある。等のコンテンツを掲載します。