術を適用した高周波パワーFET「GOLDMOS」ファミリの新世代製品を発表しました。新世代製品は、すぐれた直線性、非常に広い帯域幅、低いメモリ効果に加えて、業界最高の熱特性を提供します。従来よりさらに高信頼でコスト効率のすぐれた大電力リニアアンプの設計が可能となります。CS/DCS、MMDSなど)や放送局(TV、DABなど)の送信アンプとして適します。新世代のLDMOSウェハ製造プロセスを適用した「GOLDMOS」は、高温での高い信頼性を確保するため、先行世代の金メタライゼーションを継承しています。自のパッケージング技術および先進的な半導体モデリング技術との組み合わせにより、無線ネットワーク向け高周波パワーFETの新しい性能標準を設定します。高周波パワーFET「GOLDMOS」の新世代製品は、すぐれた直線性(従来世代と比較して標準で10パーセントの向上)、超広帯域の性能、メモリ効果の低減、業界最高の熱特性などを提供します。率30%を提供します。熱抵抗は0.38°C/Wに抑えられています。電力密度および熱インピーダンスは30%向上しました。接合部温度は市場で入手可能なデバイスの中で最低に抑えられ、高い信頼性が確保されます。い帯域幅にわたってピーク電力と平均電力に大きなレベル差が要求されるパワーアンプの先進アプリケーションに最適のソリューションが提供されます。1年をかけずに、業界最高の性能を備えたこの次世代シリコンチップとパッケージングを開発し、製品化しました。線インフラ市場で顧客企業が将来の無線ネットワークに対する高周波パワーマネジメントの要求に適合できるよう、さらに開発を続けていきます」と、述べました。「GOLDMOS」の新世代製品は、最初のサンプルを2004年の第3四半期から供給し、量産を2004年の第4四半期に開始する予定です。動車および産業分野や有線通信市場のアプリケーションへ向けた半導体およびシステムソリューション、セキュア・モバイル・ソリューション、メモリ製品などを供給しています。ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京を拠点として活動しています。2003会計年度(9月決算)の売上高は61億5,000万ユーロ、2003年9月末の従業員数は約32,300名でした。ンフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。