実験用の小型装置ですが、大型ターゲットとクライオポンプによるドライ系排気が特徴です。AlやAl-Si膜のように、残留ガス(酸素、水分等)の存在が問題になるようなスパッタリング実験に適しています。設置床面積も小さく、使い易い装置です。成膜室は小型ですが、基材加熱温度も高く、RFモードのスパッタリングが出来ますので、基材の大きさが3インチ以下であれば、高度な成膜実験が出来ます。圧力調整弁は手動式ですが、マスフローコントローラによるガス流量調整によって、高精度圧力調整が出来ます。使用できる基材の寸法は2インチ以下ですが、3個のターゲットを持っており、多層膜の連続成膜が可能です。スパッタリング用電源を追加する事により、複数ターゲットの同時使用が可能で、複合材の成膜が出来ます。酸素ガスの導入による反応性スパッタリングが可能です。本装置は三台の高周波電源600W(自動整合)を搭載している多元同時スパッタリング用のスパッタ装置です。サブストレートプラズマクリーニング用の逆スパッタ機構も備えております。排気系は油回転ポンプと磁気軸受型ターボ分子ポンプを採用しており、他のメインポンプに比べてオイルフリーな雰囲気で排気が可能です。カソード部は、3つのターゲットのうち1つは強磁場カソードを採用しておりますので磁性体金属の成膜にも適しております。シャッター機構等成膜に必要不可欠な機能も装備しております。4個のプラネタリ式基材取付台が、上部フランジに設けられており、同一水平面を保持しながらターゲット上部を自公転します。特定のプラネタリを選別したり、全プラネタリを使用してのスパッタリングが出来ます。酸素ガスの導入による反応性スパッタリングが可能で、ITO成膜に最適です。成膜室が大きく、小物基材への成膜を目的とした中量産用装置です。基板取付台は公転と自転が個別に動作でき、任意のターゲット上で自転だけの操作も可能です。ターゲットに対する基板の傾き角も変えることが可能で、強い異方性スパッタリングが出来ます。5インチから数mmのチップまで、多様な寸法のスパッタリングが可能です。ターゲットを大きくするとともに、良い膜厚分布を得る事の出来る構造になっています。1台のスパッタリング用電源で、3個のターゲットに対して自動切り換え印加が可能で、多層膜生成用に適しています。本装置は3源スパッタ装置で、300Wの高周波電源を1台搭載しております。整合器は自動整合器を搭載。整合は手動はもちろんのこと自動でも調節可能です。真空中にTS間の距離を可変可能な構造となっておりますので成膜レートの調整も出来ます。小型スパッタリング装置としては十分な機能を兼ね備えております。良質な成膜が可能です。本装置は4インチ3源スパッタ装置で、膜厚分布を良くするために各カソードのマグネットが回転する構造になっております。基板ヒーターはマイクロセラミックヒーターを採用しておりますので、350°C迄短時間で昇温します。ための安全回路を搭載。良質な成膜が可能です。自動成膜が可能で、逆スパッタも自動運転可能です。本装置は3源スパッタ装置で、各カソードにおいてRFとDC2つのソースを使用することが出来ます。RFとDCの同時スパッタ成膜も可能です。基板ヒーターはマイクロセラミックヒーターを採用しておりますので、300°C迄短時間で昇温します。ための安全回路を搭載。良質な成膜が可能です。厚みのある、あるいは立体的形状の基材へ成膜するために設計された装置です。2基のターゲットを有し、基材を2つのターゲットの間に置いて、両側からの同時成膜が可能です。基材を回転させる事が出来ますので、基材の全長面への成膜が可能です。基材(4インチまたは3インチウエハ)25枚用のカセットを1個収納できるロード室(アンロード室を兼ねる)を有する、枚葉式装置です。切り換えによりRFモードかDCモードを使用することが出来る生産用の装置です。大型の基材取付台が、長方形のターゲットの下を直線的に移動します。大型の基材取付台は、少数の大型基材から多数の小型基材まで、基材の大きさは自由に選べます。長尺の帯状、紐状基材に成膜するための装置です。基材の巻出し室(ロード室)の後及び巻取り室(アンロード室)の前に、各々バッファー室が設けられ、バッファー室の間にエッチング室、冷却室、スパッタリング室が配置されています。有機基材への成膜も出来ます。接触しても問題のない場合の成膜に適しています。回転バレル内に収納(最大収納量20000cc)された基材は、バレル内で混合され、基材の全表面に成膜できます。本装置は粉末材料に金属等をスパッタする目的で開発された装置です。バレル内に粉末材をセットし、バレルが回転することにより粉末材全体に成膜することが可能です。バレル内には撹拌バー、そしてターゲット自体が傾斜角度可変可能ですので膜質の向上が図れます。本装置は3インチ3源スパッタ装置です。高周波電源を3台装備しておりますので、3元同時に成膜可能です。本装置は、集積化微細プローブに用いる多数の構成材料の順次成膜や、微細プローブ用の新しい材料を、その組成元素を3つ同時に成膜することが可能です。