在该论文的口述中,特别报道了通过以1·1016cm-2-3·1016cm-2的剂量注入18keV氦离子并且RTA为750°C-1000°C,在100nm厚度、30%Ge含量的SiGe层中得到了80%的应力松弛。Ge的含量超过22%的时候,氢灌输不起作用。所述的沉积SiGe层包括在温度大约400°C-600°C沉积SiGe层。50-300的氧化硅。100nm的松弛的SiGe层。50-300的氧化硅。100nm的松弛的SiGe层。50-300的氧化硅。100nm的松弛的SiGe层。100nm的松弛的SiGe层。DESCRIPTION图1-5描述了本发明的SiGe沉积方法。厚度为200nm-220nm的、具有Ge浓度为大约28-30%的SiGe膜的Nomarski显微图象。image.图7描述了图6的SiGe膜的X射线衍射。厚度为300nm的、带有分级Ge分布的SiGe膜的400X的Nomarski显微图象。厚度为300nm的、带有分级Ge分布的SiGe膜的1000X的Nomarski显微图象。1000X.图10描述了图8和图9的SiGe层的X射线衍射。SiGe层的Nomarski显微图象。distribution.图12描述了图11的300nm厚度的SiGe层的1000X的X射线衍射。22%Ge含量的SiGe膜非常有效。