リンテック株式会社このページを印刷する印刷用ページについて「印刷用ページ」の内容は印刷用に最適化しており、通常の画面表示から一部省略しています。「印刷用ページについて」部分および「閉じる」ボタンは印刷されません。2010年11月25日リンテックでは、回路形成後のウェハを薄型化する裏面研削プロセスの進化、あるいはSi貫通電極形成やウェハ両面への回路形成といった高機能チップ製造プロセスに対応した半導体関連装置を新たに開発し、2011年1月11日に本格発売することにいたしました。2010」に出展する予定です(当社ブース:4D-1001)。series」ウェハ裏面研削プロセス用の表面(回路面)保護テープの剥離装置で、ウェハの外周部分を除いて裏面に接触しない搬送プロセスを採用した新機種です。(株)ディスコの「TAIKOプロセス」*1などのウェハ裏面への回路形成といったプロセスをはじめ、極めてハイレベルでのウェハ裏面の汚染低減に対応するため、今回新たに開発しました。series」ウェハの切断(ダイシング)の前工程として、固定用テープによるリングフレームへのウェハマウントを真空環境下で行うウェハマウンターです。真空環境下でテープを貼付することで、ウェハ裏面の凹凸部分へのテープの密着度を高めることが可能で、TSVプロセス*2や、「TAIKOプロセス」にも最適です。ウェハ裏面に接触しない搬送プロセスを採用しており、裏面の汚染低減にも対応しています。2,200mm(W)×3,100mm(D)×1,800mm(H)*1(株)ディスコの「TAIKOプロセス」ウェハを裏面研削する際、外周のエッジ部分を研削せずに、その内側だけ研削・薄型化するプロセス。薄型化されたウェハをハンドリングする際に、反りなどによる破損リスクを低減することができ、特にパワーデバイスなどの用途で、ウェハ裏面への回路形成にも対応可能です。ウェハ裏面の凹凸部分(外周部分や回路面)への対応、あるいは裏面の汚染低減などが不可欠になることから、周辺プロセス(装置)の対応が求められます。Via)を形成するプロセス。複数のチップを積層する際に、従来ワイヤーボンディングで行っていたチップ間の配線を、この貫通電極で行うことができます。ウェハ裏面に電極が突起し、また裏面の汚染低減などの観点からも、周辺プロセス(装置)の対応が求められます。製品に関するお問い合わせ製品に関するお問い合わせは、入力フォームから送信いただくか、下記までご連絡ください。03-3868-7726ニュースリリースに関するお問い合わせリリース内容に関する報道関係のかたからのお問い合わせは、下記までご連絡ください。ニュースリリースの内容は発表日現在のものです。最新の情報と異なる場合がありますので、ご了承ください。