strain.再看图2,H+离子被注入。H+的剂量范围为大约1·1016cm-2-5·1016cm-2。20keV-45keV。厚度范围为大约50-300(5nm-30nm)。(5nm-30nm).图3描述了热退火步骤,其将应变的SiGe层12转变为第一应变-松弛(应力-松弛)SiGe层14。Ar下、在温度约650°C-950°C的范围内进行30秒钟-30分钟。100nm或者更高的应变-松弛SiGe的第二SiGe层16。是松弛的SiGe层14的厚度。5中,其中的厚度为大约5nm-30nm的拉应变的硅层18被沉积在松弛的SiGe层14上或者第二SiGe层16上。厚度为200nm-220nm、以摩尔分数计算Ge含量为25%-30%的SiGe膜。厚度为200nm-220nm的、Ge浓度为大约28-30%的SiGe层的Nomarski显微图象。图7描述了图6的SiGe层的X射线衍射。厚度为300nm的、带有分级Ge分布的SiGe膜的1000X的Nomarski显微图象。图10描述了图8和图9的SiGe层的X射线衍射。-松弛的,至少70%-85%。厚度为大约300nm、伴随分级Ge分布的SiGe膜的Nomarski显微图象。图12描述了图11的SiGe层的X射线衍射。SiGe沉积,因此提高了整体SiGe层的质量。nMOS和pMOS晶体管。图6和7的SiGe薄膜具有的Ge浓度为28.6%。25keV和离子剂量为大约3·1016cm-2的H+离子注入制造的。在氩气气氛下,在RTA室中,将晶片在大约800°C退火10分钟。这是硅(-2-24)基质峰。SiGe层有28.2%±0.5%的Ge,而且是75.8%±3%应力松弛的。该实例在SiGe层中具有的Ge浓度是大约30%,此SiGe层的厚度为大约220nm。大约20nm厚度的SiO2帽由PECVD形成。在大约26keV的能量进行H+离子注入,离子的剂量为大约3·1016cm-2。在氩气气氛下,在RTA室中,将晶片在大约800°C退火9分钟。图9描述了在400X,在晶片中心拍摄的Nomarski显微图象。Nomarski显微图象。图10描述了该晶片的X射线衍射,其证实了SiGe膜具有浓度为29.7%±0.5%的Ge,而且是85.2%±3%应力松弛的。图12描述了图11的晶片的X射线衍射。该SiGe层的厚度为大约301nm,其具有大约21%-30%生长状态的Ge分级分布。在大约32keV的能量水平进行H+离子注入,离子的剂量为大约2·1016cm-2。在氩气气氛下,在RTA室中,将晶片在大约800°C退火约9分钟。该SiGe层有27.8%±0.5%的Ge,而且是82.2%±3%应力松弛的。:用表面Ge含量超过22%的分级Ge分布增长超过300nm厚度的SiGe层+H-II+RTA(以松弛SiGe层应力)+张力表-硅帽/通路。这不需要第二SiGe层的沉积。Ge分布的第二SiGe层+张力表-硅帽/通路。整个SiGe层的厚度应该是300nm或者更高。Ge浓度的松弛SiGe层的方法。5nm-30nm的拉应变的硅层。layer.2.根据权利要求1的方法,其中所述的沉积SiGe层包括在温度大约400°C-600°C之间沉积SiGe层。50-300的氧化硅层。100nm的松弛的SiGe层。50-300的氧化硅层。100nm的松弛的SiGe层。5nm-30nm的拉应变的硅层。在SiGe层上沉积-层厚度为大约50-300的氧化硅层。100nm的松弛的SiGe层。100nm的松弛的SiGe层。