etching.接着,如图21所示,使多个单独电极3d和共用电极3e沉入瓷釉层2中。of.如图22所示,在电极沉下工序后,形成电阻体膜4A。通过对该电阻体膜4A实施印刻图案,形成图23所示的电阻体4。的工序,得到图12〜图14所示的热打印头A2。这样,容易进行导线W的接合作业。另外,在图24中省略了保护层5。在共用电极3e上形成一个带状部36。如预先参照图16说明的那样,在基板1上形成瓷釉层2和金的薄膜3A。后,通过对金的薄膜3A实施印刻图案,形成图26所示的电极3Ad和共用电极3e。如图28所示,形成金的薄膜3B。这时,金的薄膜3B的厚度为lpm左右。通过对该金的薄膜3B实施印刻图案,形成图29所示的追加层32b。这样,形成单独电极3d。32从瓷釉层2突出金的薄膜3B或追加层32的厚度。2,16其他部分在瓷釉层2上突出。