大きく関与しているが、窒化珪素基板の表面性状は、特に、粒子サイズ及びアスペクト比が関与している。このため、窒化珪素粒子の粒子サイズが大きいほど、またアスペクト比が大きいほど、基板表面粗さは増大する傾向にある。0019以下、本発明者らが先に提案した窒化珪素基板を一例として以下に示す。元素(RE)から選択された少なくとも1種の希土類元素(RE)を焼結助剤として添加する窒化珪素質焼結体であって、焼結体中にマグネシウム(Mg)を酸化マグネシウム(MgO)換算で0.03〜8.0mol%、ルテチウム(Lu)を酸化ルテチウム(Lu2O3)換算で0.14〜1.30mol%、希土類元素(RE)から選択された少なくとも1種の元素を酸化物(RExOy)換算で0.12〜1.30mol%含有し、残部がβ窒化珪素からなる窒化珪素質焼結体を用いた窒化珪素基板。珪素からなり、当該焼結体中の総酸素量が2.5質量%以下である窒化珪素質焼結体を用いた窒化珪素基板。化珪素質焼結体を用いた窒化珪素基板。(e)上記(c)又は(d)の窒化珪素基板において、焼結体中の総酸素量が2.5質量%以下である窒化珪素焼結体を用いた窒化珪素基板。素を希土類酸化物(RExOy)に換算したとき、これら酸化物に換算した酸化物含有量の合計が0.6〜10wt%で、かつ、(MgO)/(RExOy)>1であるものが良く、このような窒化珪素質焼結体を用いた窒化珪素基板がある。0024次に、本発明の実施の形態で用いられる窒化珪素基板では、窒化珪素焼結体の切断面における窒化珪素結晶粒子の平均長軸径が3.0μmより大きいことが望ましい。以下に示す理由による。係は、式(1)で表すことができる。・・・(1)式(1)において、cは窒化珪素基板中に存在する欠陥のサイズを表している。欠陥としては、例えば、気孔や窒化珪素粗大粒子がある。式(1)において、αは、欠陥の形状又は欠陥の存在位置に基づく欠陥同士の相互干渉の度合いにより定まる定数を表している。孔や窒化珪素粗大粒子の径の寄与分よりも、破壊靭性(K1c)の寄与分の方が大きいことが分かる。強度(σf)を増大させることが可能となる。0025これに対し、冷熱繰り返し等に対する実装信頼性の向上には、窒化珪素基板の強度(σf)の寄与分よりも、破壊靭性(K1c)の寄与分の方が大きい。以下、その理由を示す。数μmの微細クラックが生じる確率に影響を与える要素である。破壊靭性(K1c)は、この微細クラックが冷熱繰り返しの条件下において、クラックの進展を抑制することができるか否かを示す尺度である。冷熱繰り返しにおいて金属板と窒化珪素基板との界面における微細クラックの発生を無くすことはできない。この場合、破壊靭性(K1c)が低いと、更なる冷熱繰り返しにおいて、この微細クラックは容易に進展して、金属板と窒化珪素基板との界面において致命的な破壊が生じることになる。破壊靭性(K1c)を高めることにより、この微細クラックの進展を抑制することでき、ひいては窒化珪素配線基板の実装信頼性を高めることができる。アスペクト比が大きいほど増大する傾向にある。平均長軸径が3.0μm以上であることが望ましい。0027次に、本発明の実施の形態に係る窒化珪素配線基板について、図2に示す製造工程図を参照して説明する。製造方法の一例について説明する(プロセスP1)。上記焼結助剤を所定の窒化珪素原料粉に添加する。この原料粉に有機バインダー、可塑剤等を混入しボールミル等で均一に混合する。粘した後、これを従来公知のドクターブレード法で所定板厚にシート成形して成形体を得る。素加圧雰囲気中で焼結する。焼成温度は、1500°C以下の場合には、緻密化不足を起こし、2000°Cより高い場合には、粒成長が進みすぎてどちらにしても強度不足となる。最終的な焼成温度は、望ましくは1850〜1950°Cである。炉の設備上のコスト負担が大きく好ましくない。それ以上であれば良いが0.6〜0.95MPaの窒素加圧中が望ましい。図20028このようにして作製される窒化珪素基板の厚さは、0.3mmより厚く2.0mm以下であることが望ましい。以下、その理由について説明する。界面における接合信頼性が低下してしまう。しての使用範囲が限定されてしまう。しての放熱性を低下させてしまう。0029次に、上記プロセスP1において作製された窒化珪素基板を表面処理する(プロセスP2:表面処理工程)。面粗さRzを3μmより大きく20μm以下に制御する。ブラスト処理には、コンプレッサーエアーで酸化アルミニウム(アルミナ)(Al2O3)等の研磨材を被研磨品に吹き付ける乾式ブラスト処理やコンプレッサーエアーで研磨材と溶液の混合物を被研磨品に吹き付ける湿式ブラスト処理がある。板の製造方法のように、バレル研磨処理を施す必要がないので、処理時間を短縮することができるとともに、高価な設備を設置する必要がない。0030次に、上記プロセスP2において表面処理された窒化珪素基板の表面に活性金属ろう材を用いて金属を接合する(プロセスP3:接合工程)。合金を作る銀(Ag)、銅等の金属を混合又は合金としたものを用いる。窒化珪素基板の所定箇所に上記ろう材のペーストを例えば、用いるろう材粉末の粒度に依存するが、厚さ10〜50μm程度塗布する。次に、上記ろう材の表面に厚さ0.1mm以上の金属箔又は金属板を載置し、例えば、800〜900°Cで加圧しながら接合する。素基板と金属との接合界面に発生する残留応力を低減させるために、ろう材の溶融温度を下げることが有用であるが、この場合に選定するろう材としては、上記、銀(Ag)−銅(Cu)−チタン(Ti)系、銅(Cu)−金(Au)−チタン(Ti)系に低融点金属のインジウム(In)及び錫(Sn)を添加したものを用いる。この場合の接合温度は、680〜800°Cである。属箔又は金属板の所定箇所を除去して所定の配線回路パターンを形成する(プロセスP4:配線回路パターン形成工程)。用して、上記金属箔又は金属板のうち、不要な領域を除去するために、フォトレジストパターンを形成する。記金属箔又は金属板のうち不要な部分を除去した後、上記したフォトレジストパターン及び上記金属箔又は金属板の全面に塗布したフォトレジストを除去して、所定の配線回路パターンを得る。0032次に、上記プロセスP4において所定の配線回路パターンが形成された窒化珪素基板の上記所定の配線回路パターンからはみ出しているろう材を除去する(プロセスP5)。この処理は、例えば、上記プロセスP4を経た窒化珪素基板を所定温度(例えば、45°C)を有する所定のエッチング液に2時間程度浸漬して行う。フッ化アンモニウム(NH4F)と過酸化水素水(H2O2)との混合液が挙げられる。0033次に、上記プロセスP3において金属箔又は金属板を窒化珪素基板に接合することにより窒化珪素基板の端部に残留している応力を化学的に除去する(プロセスP6)。理は、例えば、上記プロセスP5を経た窒化珪素基板を強酸に浸漬して行う。上記プロセスP6を経た窒化珪素基板を、例えば、塩酸(HCl)等の酸性溶液に浸漬して超音波洗浄する(プロセスP7)。0034次に、上記プロセスP5において、ろう材を除去することにより金属箔又は金属板からなる所定の配線回路パターンの表面が若干粗くなるため、上記表面の滑らかさを回復させるために化学研磨を行う(プロセスP8)。所定の研磨液としては、例えば、硫酸(H2SO4)と過酸化水素水(H2O2)との混合液が挙げられる。去するために、上記プロセスP8を経た窒化珪素基板を、例えば、硫酸(H2SO4)等の酸性溶液に浸漬する(プロセスP9)。基板をパラジウム(Pd)を含有する活性(触媒)液に浸漬する(プロセスP10:パラジウム(Pd)付与工程)。この処理は、例えば、室温において、上記プロセスP9を経た窒化珪素基板を、パラジウム(Pd)の濃度が0.5ppm以上10ppm以下である活性液に30秒以上10分以下の時間だけ浸漬して行う。活性液としては、例えば、硫酸パラジウム(PdSO4)を含むものがある。平7−106736号公報を参照されたい。0036パラジウム(Pd)の濃度が0.5ppmより低い場合には、後述するプロセスP12におけるめっき処理工程において、配線回路パターンの表面にめっきすることができない。パラジウム(Pd)の濃度が10ppmより高い場合には、めっき付着による黒ずみ斑点等の外観不良が発生してしまう。時間が5分より長い場合には、めっき付着による黒ずみ斑点等の外観不良が発生してしまう。0037次に、窒化珪素基板の表面に残留しているパラジウム(Pd)を除去するために、上記プロセスP10を経た窒化珪素基板を、例えば、硫酸(H2SO4)等の酸性溶液に浸漬する(プロセスP11:パラジウム(Pd)除去工程)。この処理は、例えば、室温において、上記プロセスP10を経た窒化珪素基板を、所定濃度(例えば、濃度1%)の硫酸(H2SO4)等の酸性溶液に5秒以上5分以下の時間だけ浸漬して、パラジウム(Pd)を硫酸パラジウム(PdSO4)として析出させることにより行う。洗浄を付加するとより効果が得られる。理工程において、配線回路パターンの表面にめっきすることができない。0039次に、窒化珪素基板を構成する配線回路パターンの表面にめっきを施す(プロセスP12:めっき処理工程)。この処理は、例えば、上記プロセスP11を経た窒化珪素基板を、所定温度(例えば、85°C)を有する無電解めっき液中に所定時間(例えば、20〜30分)浸漬して行う。無電解めっき液は、ニッケル(Ni)を主成分としてリン(P)等を含有し、リン(P)の濃度は、例えば、3〜11%である。無電解めっき液は、リン(P)の濃度が3%であるものが低リン(P)タイプ、リン(P)の濃度が6〜8%であるものが中リン(P)タイプ、リン(P)の濃度が11%であるものが高リン(P)タイプとそれぞれ呼ばれている。本発明の実施の形態では、これら何れのタイプの無電解めっき液も利用することができる。0040(実施例)以下、本発明の実施例について説明する。これらの実施例により本発明が限定されるものではない。窒化珪素基板の表面粗さ、パラジウム(Pd)付与工程における活性液のパラジウム(Pd)濃度及び浸漬時間、パラジウム(Pd)除去工程における除去時間をパラメータとして窒化珪素配線基板を製造した場合の実施例1〜26の製造条件及び評価結果を表1に示す。00410042以下、表1について説明する。左から2番目及び3番目の列「Ra」及び「Rz」における各数値は、窒化珪素基板の表面の中心線平均粗さRa及び最大粗さRzをマイクロメートル単位で表している。million)で表している。珪素基板の浸漬時間を分単位で表している。左から6番目の列「Pd除去時間(sec)」における数値は、パラジウム(Pd)除去工程における除去時間を秒単位で表している。0043また、左から7番目の列「基板での残留Pd量(ppm)」における数値は、配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面に残留するパラジウム(Pd)の量を百万分率(ppm)で表している。この実施例では、残留パラジウム(Pd)量は、以下に示す定量方法により定量化した。珪素基板を、硫酸(H2SO4)水溶液に浸漬して窒化珪素基板の表面に残留しているパラジウム(Pd)成分を溶解させる。この処理を行うのは、以下に示す理由による。上記したプロセスP10(パラジウム(Pd)付与工程)で窒化珪素配線基板に付与されたパラジウム(Pd)触媒は、例えば、銅(Cu)からなる配線回路パターンの表面及び配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面にそれぞれ付着する。留するパラジウム(Pd)だけが選択的に除去されるのである。Plasma)発光分光分析法を用いて測定することにより、窒化珪素基板の表面に残留しているパラジウム(Pd)の量を定量化する。液を用いたり、超音波振動器を併用したりすることが望ましい。照)や含窒素(N)脂肪族有機化合物と含ヨウ素(I)無機化合物を含有する水溶液からなる無電解めっき用パラジウム(Pd)触媒除去剤(例えば、特開2000−178752号公報参照)を用いてパラジウム(Pd)を除去する方法を採用しても良い。化合物を形成できる化合物であればよく、その具体例としては、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン等のエチレンアミン系化合物、1,3−トリメチレンジアミン、1,4−テトラメチレンジアミン、1,6−ヘキサメチレンジアミン等のアルキルジアミン系化合物、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン系化合物、グリシン、アラニン、タウリン等のアミノ酸類等が挙げられる。種単独又は二種以上混合して用いることができる。500μm四方を観察視野とした場合において、最大径が10μm以上の黒ずみ斑点の個数を表している。実験によれば、黒ずみ斑点としては、最大径11〜40μmのものが存在した。線回路パターンの回路間抵抗に関するものである。持を10分及び125°Cにおける加熱を15分とする昇温/降温繰り返しを1繰り返しとし、これを3000繰り返し繰り返し付与した後の窒化珪素配線基板を構成する配線回路パターンの回路間抵抗に関するものである。この信頼性評価では、配線回路パターン間に1000Vの直流電圧を印加した場合に回路間抵抗が100MΩ以上のものを合格(○)と評価した。目して、それぞれ窒化珪素配線基板を製造した場合の製造条件及び製造結果を示している。実施例22〜26は活性液浸漬工程における活性液への窒化珪素基板の浸漬時間に注目して、それぞれ窒化珪素配線基板を製造した場合の製造条件及び製造結果を示している。0048(比較例)上記実施例1〜26と比較するために、表1の比較例1〜11に示す製造条件に基づいて窒化珪素配線基板を作成し、対応する製造結果を得た。評価方法も実施例1〜26と同様に行った。以上の製造条件により製造された試料の評価結果を、表1の比較例1〜11に示す。0049比較例1及び2は活性液浸漬工程における活性液のパラジウム(Pd)濃度に注目して、比較例3及び4は活性液浸漬工程における活性液への窒化珪素基板の浸漬時間に注目して、それぞれ窒化珪素配線基板を製造した場合の製造条件及び製造結果を示している。比較例5〜7はパラジウム(Pd)除去工程における除去時間に注目して、比較例8〜11は窒化珪素基板の表面の中心線平均粗さRa及び最大粗さRzに注目して、それぞれ窒化珪素配線基板を製造した場合の製造条件及び製造結果を示している。粗さRzが10μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が10ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。個数;5、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。浸漬時間並びにパラジウム(Pd)除去工程における除去時間を適宜設定することにより、基板での残留パラジウム(Pd)量が0.03ppmであって、黒ずみ斑点の個数が5個と少ないため、配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面における外観不良が生じていない。初期状態でも3000繰り返しの冷熱繰り返し後でも回路間抵抗が十分あり、配線回路パターン間がショートするといった不具合は発生していない。発明によれば、製造条件を厳しくすることなく、高い生産性で、高強度、90W/m・Kを超える高熱伝導で、かつ高靭性の窒化珪素配線基板を得ることができる。抵抗が低く、信頼性の高い窒化珪素配線基板を提供することができる。0052上記したように、基板での残留パラジウム(Pd)量が0.03ppmであり、0.05ppm以下であるので、残留パラジウム(Pd)の部分を核としてめっき成分であるニッケル(Ni)が堆積することにより発生する窒化珪素基板の表面の黒ずみ斑点の発生を抑制することができ、配線回路パターン間の抵抗劣化を防止することができる。下したり、冷熱繰り返しテスト及び高温・高湿下での信頼性試験における低サイクルでのニッケル(Ni)成分同士がつながるマイグレーション現象が発生して絶縁抵抗が急激に低下したりするという不具合が生じにくくなる。このように、残留パラジウム(Pd)量を0.05ppm以下とすることにより黒ずみ斑点の発生を抑制するとともに、発生する黒ずみ斑点の個数を10個以下とすることにより、配線回路パターン間の抵抗劣化を防止することができる。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。実施例10は、表面の中心線平均粗さRaが0.45μmであって、最大粗さRzが3.5μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。0058実施例11は、表面の中心線平均粗さRaが0.45μmであって、最大粗さRzが3.5μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が2ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を10秒間だけ行った。間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を20秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を60秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を120秒間だけ行った。回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を10秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を20秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を60秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を120秒間だけ行った。回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に30秒間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。0066これに対し、比較例1は、表面の中心線平均粗さRaが0.4μmであって、最大粗さRzが3.1μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が15ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を20秒間だけ行った。格(×)がそれぞれ得られた。活性液のパラジウム(Pd)の濃度が15ppmと高いため、黒色化部個数が74個と非常に多く、配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面における外観不良が発生している。初期状態及び3000繰り返しの冷熱繰り返し後の何れの場合でも回路間抵抗が不十分あり、配線回路パターン間がショートするといった不具合が発生する危険性が極めて高い。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;不合格(×)がそれぞれ得られた。比較例2では、比較例1に比べて窒化珪素基板の活性液への浸漬時間を短くするとともに、パラジウム(Pd)の除去時間を長くしているため、黒色化部個数が35個と半減し、初期状態での回路間抵抗は十分である。3000繰り返しの冷熱繰り返し後の回路間抵抗が不十分あり、配線回路パターン間がショートするといった不具合が発生する危険性が高いままである。回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が10ppmである活性液に15分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。回路間抵抗の初期値;不合格(×)、回路間抵抗の3000繰り返し後;不合格(×)がそれぞれ得られた。線回路パターン間の窒化珪素基板の表面における外観不良が発生している。線回路パターン間がショートするといった不具合が発生する危険性が極めて高い。間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;不合格(×)がそれぞれ得られた。比較例4では、活性液のパラジウム(Pd)の濃度を実施例2、12〜16等と同一としたが、窒化珪素基板の活性液への浸漬時間が非常に長いため、黒色化部個数が32個と多い。生する危険性が高いままである。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を360秒間だけ行った。;0、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。留パラジウム(Pd)量は検出されなかった。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を330秒間だけ行った。;0、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。留パラジウム(Pd)量は検出されなかった。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を330秒間だけ行った。;0、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。留パラジウム(Pd)量は検出されなかった。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.001、黒色化部個数;0、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。比較例9は、表面の中心線平均粗さRaが0.2μmであって、最大粗さRzが2.1μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が5ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。熱抵抗が大きいという不具合がある。浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.09、黒色化部個数;81、回路間抵抗の初期値;不合格(×)、回路間抵抗の3000繰り返し後;不合格(×)がそれぞれ得られた。比較例11は、表面の中心線平均粗さRaが5.2μmであって、最大粗さRzが20μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が2ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。間抵抗の初期値;不合格(×)、回路間抵抗の3000繰り返し後;不合格(×)がそれぞれ得られた。個数が何れも非常に多く、配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面における外観不良が発生している。初期状態及び3000繰り返しの冷熱繰り返し後の何れの場合でも回路間抵抗が不十分あり、配線回路パターン間がショートするといった不具合が発生する危険性が極めて高い。化珪素基板について配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が2ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行うことにより作製した。間だけ行うことにより作製した。線回路パターン間の窒化珪素基板の表面における外観不良が発生している。板の表面の走査型電子顕微鏡(SEM)観察写真の一例を示す。影響しない程度の圧力)でブラスト処理を行った後、配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が5ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行うことにより作製した。間だけ行うことにより作製した。図7の例の窒化珪素配線基板は、実施例10であり、表面の中心線平均粗さRaが0.45μmであって、最大粗さRzが3.5μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP2においてコンプレッサーエアーの圧力を0.3MPa(限界値)でブラスト処理を行った後、配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行うことにより作製した。面のSEM観察写真の一例を示す。素基板について配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行うことにより作製した。図9に比較例に係る窒化アルミニウム(AlN)配線基板の配線回路パターン間の窒化アルミニウム基板の表面のSEM観察写真の一例を示す。この例の窒化アルミニウム配線基板は、表面の中心線平均粗さRaが0.23μmであって、最大粗さRzが2.5μmである窒化アルミニウム基板について配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行うことにより作製した。積層、切断して、焼成後の大きさが150mm×150mmの基板成形体を作製した。度で5時間、0.92MPaの窒素加圧雰囲気にて焼結することにより窒化珪素質基板を得た。回路基板用としてレーザー加工により、50mm×40mmサイズに切断した。基板厚さは0.32mmである。このようにして作製された窒化珪素基板について、上記プロセスP2においてコンプレッサーエアーの圧力をそれぞれ0.05MPa、0.2MPa(標準仕様)及び0.3MPaとしてブラスト処理を行い、表面粗さの異なる基板表面性状に仕上げ、プロセスP3〜P12の工程を経た後、プロセスP12においてめっき処理を行った。図5図6図70080一方、図8に示す比較例は、平均結晶粒子径が0.2〜1μmのα型窒化珪素粉末83重量部と、焼結助剤として酸化エルビウム(Er2O3)を3.5重量部、酸化マグネシウム(MgO)を13.5重量部添加混合し、その後、図5〜図7に示す実施例について説明した条件でドクターブレード法により基板成形体を得た。1750°Cの温度で5時間焼成して窒化珪素質基板を得た。このようにして作製された窒化珪素基板について、上記プロセスP2においてコンプレッサーエアーの圧力を0.2MPaとしてブラスト処理を行った。その後、プロセスP3〜P12の工程を経た後、プロセスP12においてめっき処理を行った。図5図6図7図80081図8に示す窒化珪素配線基板は、低温焼成により粒成長が抑制され、基板表面粗さが小さくなり、平均表面粗さRaが0.22μm、最大粗さRzが2.1μmとなる。合、パラジウム(Pd)残留量が低減できるため、黒ずみ斑点の不具合は生じないものの、粒界相量が多く、また窒化珪素粒子サイズが小さいため、パワー半導体モジュール等に使用されるセラミックス基板に要求される熱伝導性が低下してしまう。微細組織のため破壊靱性が低く、これにより実装信頼性が低下する不具合がある。図80082図9に示す比較例は、窒化アルミニウム(AlN)基板の表面観察像である。粒子径が0.2〜2μmの窒化アルミニウム(AlN)粉末95重量部と、焼結助剤として酸化イットリウム(Y2O3)を5重量部とを配合して、図5〜図7に示す実施例について説明した条件でドクターブレード法により基板成形体を得た。1700°Cの温度で5時間にて焼結することにより窒化アルミニウム基板を得た。このようにして作製された窒化アルミニウム基板について、上記プロセスP2においてコンプレッサーエアーの圧力を0.2MPaとしてブラスト処理を行った。その後、プロセスP3〜P12の工程を経た後、プロセスP12においてめっき処理を行った。図5図6図7図90083窒化アルミニウム結晶は、異方性を持たないため粒界間に気孔が形成されにくい。粒子形状も等方性のため基板表面粗さが小さくなり、平均表面粗さRaが0.20μm、最大粗さRzが2.3μmとなる。求される実装信頼性が低下するという不具合がある。厚い配線回路パターンを形成する場合には、窒化アルミニウム基板に金属板を接合する時点で窒化アルミニウム基板側に応力集中が生じ、強度及び破壊靱性の低い窒化アルミニウム基板の表面にクラックが生じてしまう。00851窒化珪素配線基板2半導体モジュール11窒化珪素基板12ろう材13配線回路パターン14無電解めっき層15半導体素子16放熱板17はんだ層ページトップへこの技術を出願した法人この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedInこの技術を発明した人物この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedInページトップへ関連する挑戦したい社会課題この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedIn交通渋滞のない社会を実現する交通渋滞のない社会を実現すると、移動時のストレスがなくなり、廃棄ガス量の減少など環境問題の解決にも大きく貢献します。