実施例に係る窒化珪素配線基板の配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面のSEM観察写真の一例を示す図である。実施例に係る窒化珪素配線基板の配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面のSEM観察写真の一例を示す図である。実施例に係る窒化珪素配線基板の配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面のSEM観察写真の一例を示す図である。比較例に係る窒化珪素配線基板の配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面のSEM観察写真の一例を示す図である。比較例に係る窒化珪素配線基板の配線回路パターン間の窒化アルミニウム(AlN)基板の表面のSEM観察写真の一例を示す図である。回路パターンの表面にめっき層が形成されて構成されたものである。表面粗さRzが3μmより大きく20μm以下である。以下、さらに詳しく本発明の実施の形態について説明する。解めっき層14がそれぞれ形成されて構成されている。この窒化珪素配線基板1の無電解めっき層14の表面にMOSFET等からなる半導体素子15がはんだ層17により接合されて半導体モジュール2が構成されている。抗金属からなり、厚さが0.1mm以上、特に0.2mm以上であることが望ましい。表面粗さRzが3μmより大きく20μm以下であることに特徴がある。トラップされてめっきが付着してしまい、配線回路パターン間の絶縁抵抗が低下したり、場合によっては、ショートするなどの問題が発生したりする旨記載されている。表面粗さRzが3μmより大きく20μm以下(熱伝導率が90W/m・Kである場合にはRzが3.1μmより大きく9.5μm以下)である場合であっても、上記めっき付着現象を防止することを可能とするに至った。これは、以下に示す理由による。路パターン間に残留するパラジウム(Pd)が多くなる。配線回路パターン間に黒ずみ斑点が多く生じることになる。配線回路パターン間に残留するパラジウム(Pd)を、不具合を生じない範囲までに除去することが可能であるため、上記黒い斑点による不具合を抑制することができる。表面粗さRzを3μm以下とすれば、最終的に窒化珪素配線基板の配線回路パターン間に残留するパラジウム(Pd)量を低減することは可能である。性に影響を与える破壊靱性が低下してしまう。下、粒界相量の増大により低減するからである。破壊靱性は、窒化珪素粒子の大きさ、形状(アスペクト比)及び粒界相成分の影響を受け、窒化珪素粒子径の低下、アスペクト比の低下により減少するからである。表面粗さRzが3μmより大きい場合には、高い熱伝導率が得られるとともに、破壊靱性が高く、冷熱繰り返し等に対する実装信頼性が高い。0017また、本発明の実施の形態で用いられる窒化珪素基板は、実装信頼性及び冷熱繰り返し特性の観点から、特に厚さ方向に対する高靭性を有し、かつ、高強度であって、放熱性の観点から高熱伝導性を備えたものが望ましい。長軸径と短軸径との平均比率である平均アスペクト比が5より大きく10以下であることが望ましい。配線回路パターン間に残留するパラジウム(Pd)量を制御することができるからである。優れているからである。