×この技術を簡単クリック査定この機能をご利用いただくには、会員登録(無料)が必要です。出願した特許の牽制数、引用された数などを知る事ができます。気になる技術や特許をブックマークしておけば、いつでも後から読むことができます。後で印刷するために、公報をPDFでダウンロードできます。会員登録してastamuseを使えば、もっと簡単に便利にお使いいただけます。会員登録(無料)「astamuse」は世界中の挑戦したい社会課題に挑戦し、未来を創る人のプラットフォームです。電磁石2(アマチュア無)※この項目の情報は公開日時点(2002年10月23日)のものです。おける適切な幾何学的形状の磁性物質から成る磁場成形デバイスであって、製造許容公差が作業容積内の磁場形状に及ぼす影響を十分に補償することを実現する。Hn・znを少なくとも50%補償し、シム・デバイスとして作用する少なくとも1つの付加的なコイル系(S)が設けられていることを特徴とする。超伝導磁石コイル系と磁場成形デバイスとを備える装置は、米国特許第5,396,208号から知られている。超伝導磁石は多くの応用分野で利用されているが、特に磁気共鳴法の分野で利用されており、この分野においては、映像法(磁気共鳴映像法、MRI)と分光法とを区別すべきである。これらの方法で、良い空間分解能、即ちスペクトル分解能を得るためには、サンプル容積内における磁場が良い均一性(homogeneity:均一度)を有しなければならない。磁場を生成する磁石コイルを幾何学的に配置することによって超伝導磁石の基本的均一性を最適化させることができる。普通、電線を一切巻かない凹部(いわゆる切欠き構造)を設けなければならないが、これは磁石巻線のためのスペースを低減させ、磁石をより高価なものにし、浮遊磁場を増加させる。米国特許第5,396,208号による装置において、MRIシステムは、切欠き構造に代えてソフト磁性リングをいくつか設けることによってよりコンパクトに設計される。これらのソフト磁性リングは、超伝導磁石コイル系の磁石軸の方向におけるサイズを、システムの開き角がほぼ90度になるように低減させることができる。MRI磁石システムの開き角が大きい場合においてその磁石システムが人間の医学的診断に用いられるときは、閉所恐怖症の患者にとって有利である。おける適切な幾何学的形状の磁性物質から成る磁場成形デバイスであって、製造許容公差が作業容積内の磁場形状に及ぼす影響を十分に補償することを実現する。Hn・znを少なくとも50%補償し、シム・デバイスとして作用する少なくとも1つの付加的なコイル系(S)が設けられていることを特徴とする。Hn・znを少なくとも50%補償し、該磁石装置には、シム・デバイスとして作用する少なくとも一つの付加コイル系(S)が設けられていることを特徴とする磁石装置。LY=2450:前記磁石コイル系(C)又は前記磁場成形デバイス(P)の体積にわたる体積積分、で与えられるΔP以下しか異なっていないことを特徴とする請求項1記載の磁石装置。請求項3該磁石コイル系(C)はアクティブ・シールディングを有することを特徴とする請求項1又は2記載の磁石装置。請求項4該磁場成形デバイス(P)は、磁気的に完全に飽和しており、軸方向にのみ磁化されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁石装置。請求項5該磁場成形デバイス(P)は、リングを含み、特に、リングから成り、該リングは、平均半径aで配置されると共に、−z1とz1の間で軸方向に延伸し、z1>aであることを特徴とする請求項4記載の磁石装置。請求項6該磁場成形デバイス(P)は、二つのリングを含み、特に、二つのリングから成り、該リングは、平均半径aで配置されると共に、z1とz2の間及び−z2と−z1の間で軸方向に延伸し、0.42a<z1<0.46a且つa<z2であることを特徴とする請求項4記載の磁石装置。請求項7該磁場成形デバイス(P)は軟鉄製のコンポーネントを含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の磁石装置。請求項8該磁場成形デバイス(P)は、キャリア・デバイスに取り付けられた磁性シートを含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の磁石装置。背景技術0002例えば、超伝導磁石コイル系と磁場成形デバイスとを備える装置は、米国特許第5,396,208号から知られている。0003超伝導磁石は多くの応用分野で利用されているが、特に磁気共鳴法の分野で利用されており、この分野においては、映像法(磁気共鳴映像法、MRI)と分光法とを区別すべきである。これらの方法で、良い空間分解能、即ちスペクトル分解能を得るためには、サンプル容積内における磁場が良い均一性(homogeneity:均一度)を有しなければならない。磁場を生成する磁石コイルを幾何学的に配置することによって超伝導磁石の基本的均一性を最適化させることができる。普通、電線を一切巻かない凹部(いわゆる切欠き構造)を設けなければならないが、これは磁石巻線のためのスペースを低減させ、磁石をより高価なものにし、浮遊磁場を増加させる。0004米国特許第5,396,208号による装置において、MRIシステムは、切欠き構造に代えてソフト磁性リングをいくつか設けることによってよりコンパクトに設計される。これらのソフト磁性リングは、超伝導磁石コイル系の磁石軸の方向におけるサイズを、システムの開き角がほぼ90度になるように低減させることができる。MRI磁石システムの開き角が大きい場合においてその磁石システムが人間の医学的診断に用いられるときは、閉所恐怖症の患者にとって有利である。0005米国特許第5,396,208号によると、磁場成形デバイスを利用することにより、磁石コイル系を切欠き構造を有するものによるよりも効果的に均一化することができる。このアイデアを適用すると新たな問題が生ずる。磁性物質によって十分に効果的な磁場成形デバイスを得るためには、この磁場成形デバイスの少なくとも一部は、普通磁石装置の作業容積に近接して取り付けなければならない。磁場成形デバイスのこれらの部分は、製造許容公差のために、所望の磁場の他に望ましくない局所的な磁場の歪みをも磁石装置の作業容積内に生ずる可能性がある。MRI用途に比べて高分解能共鳴分光の用途においては、この問題が主に次の二つの理由でずっと重要である。MRIシステム用磁石装置に比べて均一性の要求がかなり高いということである(普通、0.2cm3の作業容積内で2×10-4ppm、これに対しMRIシステムの場合34リットルの作業容積内で5ppm)。磁場成形デバイスでは、よりコンパクトな寸法のために所望の磁場成形効果をMRI磁石装置に比べて普通ずっと少ない磁性物質で得ることができる。このため、磁場成形デバイスにおける磁性物質の一部の実際の位置が公称の位置から所定量異なる場合に生ずるものである望ましくない磁場の歪みはずっと大きくなる。言い換えると、磁場成形デバイスの効率は、所望の効果に関しても望ましくない効果に関しても大きくなる。磁石装置における適切な幾何学的形状の磁性物質から成る磁場成形デバイスであって、磁石コイル系における磁場均一化のための切欠き構造の少なくとも一部を省くことができ、磁場成形デバイスに避けられない製造許容公差が作業容積内の磁場形状に及ぼす影響を十分に補償することができるような磁場成形デバイスを実現することにある。Hn・znの少なくとも50%を補償し、この磁石装置にはシム・デバイスとして作用する少なくとも一つの付加的なコイル系が設けられている磁石コイル系を用いることによって達成される。contributions:磁場均一度を低減させる寄与成分)は、Hn・zn(n≧2)という依存性を有する、即ち、磁石コイル系の全磁場強度に対するそれら寄与成分は、磁石軸(z軸)に沿ってzに関するn次のnべきでz=0を中心として変化する。0010このように配置された磁場成形デバイスを備える磁石装置の特別な利点は、n≧4における磁場不均一性Hn・znを少量の磁性物質によって補償することもできるということである。このような磁場不均一性を補償する磁場成形デバイスの効率は、磁場成形デバイスが磁石軸から完全に80ミリメートルを超える間隔で配置される場合に急激に低下する。φ:体積エレメントdVの方位角00160017:磁石コイル系又は磁場成形デバイスの体積にわたる体積積分である。0018磁石コイル系の体積にわたる上記積分は、磁石コイル系における電線巻線の位置が製造許容公差のために公称の位置からずれることによって生ずる、磁石装置の作業容積内における磁場の歪みの尺度である。対応する磁場成形デバイスの体積にわたる積分は、磁場成形デバイスの表面の製造許容公差によって生ずる磁場の歪みの尺度である。磁場成形デバイスの実際の表面が、どこでも意図された位置と、上記式により計算される量Δpよりも大きく異なっていない場合であっても、磁場成形デバイスは実質的に製造許容公差によって作業容積内に生ずる望ましくない磁場の歪みしか生じないし、それは付加的なシム・デバイスによって補償することができるのは確保される。高次の磁場の歪みは、磁場成形デバイスがない磁石装置の作業容積内に存在しているものである高次の磁場の歪みの20%未満にとどまるので、許容され得る。0019本発明の磁石装置の一つの実施の形態は、磁石コイル系がアクティブ・シールディングを備えるものであり特に有利である。このアクティブ・シールディングは、磁石装置の浮遊磁場を低減させ、実験室で他の用途のために利用することができるスペースが増加する。0020本発明の磁石装置の特に好ましいある実施の形態では、磁石装置にパッシブ・シールディングが設けられている。このパッシブ・シールディングには、作業容積内の磁場も増加させることができるのでアクティブ・シールディングに比べて大きな利点がある。0021本発明の磁石装置の別の好ましいある実施の形態では、磁場成形デバイスが、少なくとも部分的には磁石コイル系の最も内側の電線巻線の内の半径方向に配置される。Hn・znを補償する磁場成形デバイスの効率は、z軸からの間隔が狭い場合特に小さい。0022本発明の磁石装置のある実施の形態は、磁場成形デバイスが、磁気的に完全に飽和しており、且つ軸方向(z軸と平行な方向)にしか磁化されないことでも有利である。この場合、磁場成形デバイスによって生ずる磁場の計算は特に簡単で正確である。0023さらに二つの実施の形態では、磁石装置が、磁場成形デバイスの磁場がH4>0としてH4・z4となる部分、即ち、z=0を中心とするz軸上の磁場寄与成分がzに関する4次のべきで変化する部分を含むことを特徴とする。この二つの実施の形態では、磁場成形デバイスの磁場への寄与成分H6・z6が実質的にゼロである。これらの実施の形態は、磁石コイル系の負の4次の磁場寄与成分を他の方法で補償する磁石コイル系の切欠き構造(普通は非常に複雑である)の少なくとも一部を、磁石装置の全磁場に対する磁場成形デバイスの正の寄与成分H4・z4によって省くことができるという利点を有する。磁場成形デバイスからの6次の寄与成分が無視できるほど小さいので、磁石装置への6次の寄与成分の総量が磁場成形デバイスによって増加しないことを保証する。磁石装置の磁場が高分解能共鳴分光に必要な均一性を有する体積の大きさは、通常、磁場に関するこの部分によって決まるのでこれは重要である。0024ある特に好ましい実施の形態において、磁場成形デバイスは、平均半径aに位置し、軸方向に−z1とz1の間で延伸するリングから成る。ここでz1>aである。この解決方法は、磁場成形デバイスの幾何形状が単純なので特に魅力的である。0025本発明の磁石装置の別の有利な実施の形態において、磁場成形デバイスは、平均半径aに位置し、軸方向にz1とz2の間及び−z2と−z1の間で延伸する二つのリングから成る。ここで、0.42a<z1<0.46a、且つa<z2である。上述の実施の形態と同様に、このような磁場成形デバイスは、サンプル容積中の磁場に対して寄与成分H6・z6が少ししか生じない。H4>0としてH4・z4となる次数の磁場寄与成分は前の実施の形態に比べてかなり大きい。0026本発明の磁石装置の別の有利な実施の形態において、磁場成形デバイスは軟鉄製のコンポーネントを含む。有利な点は、軟鉄が大きな透磁率と高い飽和磁気誘導を有することである。これらの性質によって少量の物質であっても高い磁場効率が得られ、高い磁化を有する磁場成形デバイスを得ることができる。0027本発明の磁石装置の別の有利な実施の形態では、磁場成形デバイスの一部が表面処理、特に亜鉛めっき処理を受ける。この表面処理は、腐食に対する最適な防護を与えるものであり、これは特に軟鉄製のコンポーネントでは絶対に必要である。0028本発明の磁石装置の特に好ましいある実施の形態において、磁場成形デバイスは磁性物質製のただ一つのエレメントから成る。これは磁場成形デバイスとして生産と組立てに関し可能な限り最も単純な実施の形態である。0029本発明の磁石装置の別の有利な実施の形態において、磁場成形デバイスは磁性物質製のいくつかのエレメントを含む。これは磁場成形デバイスを最適化するためのより多くの自由度を与えるものである。0030本発明の磁石装置の別の有利な実施の形態において、磁場成形デバイスはキャリア・デバイスに配設されている磁性シートを備える。z軸の近くで磁性物質の効率は十分に大きいので所望の磁場形状を生成するための物質を極めてわずかしか必要としない。したがってシートは、特に実質的に変化しない厚さを有するので、理想的な解決を与える。0031本発明による磁石装置の別の二つの有利な実施の形態は、磁石装置の既存のコンポーネントを磁場成形デバイスに利用することができることを特徴とする。第一の実施の形態では、磁場成形デバイスが磁石コイル系のコイル形態の一部であるコンポーネントを含む。磁性物質を、例えば、キャリア・デバイス上に蒸着することができる。0032第二の実施の形態では、磁場成形デバイスが、磁石コイル系が収容されるクライオスタットの一部であるコンポーネントを含む。どちらの実施の形態も、磁場成形デバイスのために付加的なパーツを何も必要としないので、例えば磁石巻線用のスペースを節約できるという利点がある。0033別の実施の形態において、磁石装置では、磁場成形デバイスが、室温にある磁石装置の領域に設けられたコンポーネントを含むことを特徴とする。これらのコンポーネントは、動作中に容易にアクセス可能であり、磁石コイル系を加熱することなく変更されることができる。0034本発明の磁石装置のある特に好ましい実施の形態において、磁場成形デバイスは、冷却されるコンポーネント、特に磁石コイル系を冷却する液体ヘリウム槽の温度に冷却されるようなコンポーネントを含む。低温であると磁性物質の磁性が有利に向上する、即ち、与えられた外部磁場に対する磁化が大きくなる。温度が安定しているときは、磁化の変動も抑制され、それによって磁石装置の均一性である時間的な安定性が確実に改善される。φ:体積エレメントdVの方位角00400041:磁石コイル系又は磁場成形デバイスの体積にわたる体積積分である。0042磁場成形デバイスに関して定められた製造許容公差を守ることによって、磁場成形デバイスは、望ましくない磁場歪みであってもシム・デバイスによって補償することができるものだけしか作業容積内に実質的に生じないことが保証され、より高次の磁場歪みは、磁場成形デバイスがないときに磁石装置の作業容積内に存在する磁場歪みの20%未満にとどまる。0043本発明のその他の利点は、以下の記述及び図面から明らかになる。上述の及び以下で述べる特徴は、本発明に従って、個別的にも又は任意の組み合わせでまとめて利用できる。図示され且つ記述される実施の形態は、全てを列挙するものではなく、むしろ本発明を説明するための例示的な性格のものであると理解すべきである。発明を実施するための最良の形態0044以下、本発明の実施の形態を図面で示して詳細に説明する。0045図1は、磁石コイル系Cと磁場成形デバイスPとを備える本発明の磁石装置を示す。磁場成形デバイスPは、普通、少なくとも部分的には磁石コイル系Cよりもz軸に近い。中央のセクションは、サンプル容積中に均一磁場を生ずるために必要とされるいわゆる半切欠き部HN(電流密度が半分の領域)を示す。図10046図2は、純粋に軸方向に磁化される薄肉の円筒状磁場成形デバイスに関するサンプル容積中の磁場寄与成分Hn(s)znを表す縮尺された関数Hn(s)を示す。無次元の数値sは、z=0を中心に配置された薄肉の円筒状磁場成形デバイスの軸方向長さと直径の比である。カーブの組を図示するために、全ての関数を1に規格化した。図20047以下、本発明を、サンプル容積において9.4テスラの磁場を各々生ずる超伝導磁石装置について二つの形態を説明する。超伝導物質としてはニオブ・チタンが用いられる。磁石は液体ヘリウム槽内で4.2ケルビンという温度で運転される。0048第一の磁石装置(以下、形態かっこ“V1”としてこれを参照)は、同じ極性の三つの磁石セクションを含む磁石コイル系Cを備える。サンプル容積中の磁場を均一にするために、中央セクションには電流密度が半分の領域(半切欠き部)が含まれている。形態V1に係る磁石コイル系は従来の磁石コイル系である。この装置の磁石電流は77.2アンペアであり、中空の内孔部の直径は80ミリメートルである。0049表1は、形態V1に係る磁石装置の最も重要な特徴を示している。00500051表1で、ri:ソレノイド・コイルの内径ra:ソレノイド・コイルの外径L:ソレノイド・コイルの長さW:ソレノイド・コイルの各層の電線巻数N:ソレノイド・コイルの電線層の数。0052形態V1が、磁石コイル系Cに加えて磁場成形デバイスPを備える本発明の形態(以下、“V2”という)と比較される。この例では、磁石コイル系Cの半径方向の寸法は形態V1と同じであり、磁場成形デバイスPは二つの軟鉄製のリングから成り、これらは軸方向にのみ磁化されると共に磁気的に飽和している(飽和磁気誘導=2.15テスラ)。これらのリングの直径は70mm、壁厚は0.1mm、そして軸方向の長さは33.5mmである。二つのリングは、磁石の中心に関して軸方向に33mmの間隔をあけて対称に配置されている。それらの磁場寄与成分でサンプル容積中zに関する4次のべきに比例して変化する成分H4・z4は特に大きい。この寄与成分によって、磁石の中央セクションの半切欠き部を短くして磁石セクションを短縮することが可能になる。77.5アンペアという電流は形態V1と同程度である。0053表2は、形態V2に係る磁石装置の最も重要な特徴を示している。00540055表2で、ri:ソレノイド・コイルの内径ra:ソレノイド・コイルの外径L:ソレノイド・コイルの長さW:ソレノイド・コイルの各層の電線巻数N:ソレノイド・コイルの電線層の数。0056表1と表2を比較すると、磁場成形デバイスPの利用によってソレノイド・コイルの長さが約10%減少することが分かる。形態V1では、磁場変動0.1ppm未満のz軸に関する領域の長さが27mmである。形態V2では、同領域の長さが28mmである。したがって、磁場成形デバイスは均一性を維持しながら超伝導電線を10%節約できる。0057しかし、磁場成形デバイスの利用は、望ましくない磁場不均一性が過大に生じない場合にのみ意味がある。このような不均一性は避けられない製造許容公差によって生ずる。以下では、磁石装置の均一性を許容することができる範囲に保つために要求される磁場成形デバイスの正確な製造許容公差を導出する。0058磁場のz成分BZは、球面調和関数を用いることにより磁石の中心のまわりで次のように拡がり得る。00590060ここで、Pnmはルジャンドル陪関数である。係数AnmとBnmは勾配と呼ばれ、nはルジャンドル関数Pnmの次数、mは位数である。A00は磁石の中心での磁場のz成分である。degree;同次性はk次に属する)。均一性がある次数は、磁石装置における適切な設計によって理論的には達成される。避けることができない製造許容公差があるものなので、磁石装置における実際の磁場プロフィールはこの理想的形状とは異ってくる。このずれを補償するために、共鳴分光用の磁石にはいわゆるシム・コイルが設けられる。正確に定められた一つの磁場勾配を生ずる。次数n≦k−1における各勾配に対して一つのシム・デバイスが設けられると、磁石コイル系は、シム・コイルと合わせて、シム・コイルの電流を適切に設定するならば、k次の均一性を有する磁場を生ずる。k次の係数AkmとBkmの値は、シム補償処理の後に残っている不均一性の尺度である。切欠き部によって均一化された磁石コイル系を備える磁石装置において(上記の2つの例のうちの形態V1のように)、残っている勾配AkmとBkmの値は、実質的に、コイル系の磁石巻線が理論的に定められた位置から外れたであろう量に依存する。本発明の磁石装置(上述の2つの例のうちの形態V2のように)では、磁場成形デバイスの製造許容公差が、残っている勾配AkmとBkmに対して望ましくない寄与を付け加える可能性がある。シム補償された磁石装置の磁場均一性がこのように低下する可能性が許容されるレベル内にとどまるようにするためには、本発明の磁場成形デバイスの製造許容公差に関する必要条件は非常に厳しいものになる。0061以下に、磁場成形デバイスの製造許容公差の尺度として採用すべき値を計算する方法を示す。この方法の目的は、主として、磁石コイル系によって生ずる勾配AkmとBkmの大きさと、磁石コイル系における磁石巻線の体積エレメントdVの最大(半径方向又は軸方向)変位に関する製造許容公差ΔCとの間の定量的な関係を与えることにある。同様にして、磁場成形デバイスによって生ずるものに対応する勾配と、磁場成形デバイスPの体積エレメントdVの最大(半径方向又は軸方向)変位に関する製造許容公差ΔPとの間の関係が定められる。磁場成形デバイスによって付加的に生ずる勾配は、磁石コイル系によって生ずる勾配AkmとBkmの20%という上限を超えてはならない。この条件から、もしもΔCの現実的な値が知られるならば、ΔPの限界値を計算することができる。製造許容公差ΔCと、ΔPと、生ずる勾配強度との関係が以下で導出される。0062場所(r,z,φ)にあり電流密度Jがある方位角方向に流れている無限小体積dVは、次の値の勾配00630064を座標原点に対して生ずる。勾配はいくつかのfnmの関数であり、それらは今度は、比z/rにのみ依存する。これらの式から得ることができる実質的な結果は、勾配は、電流が流れている体積エレメントと座標原点の間隔におけるn次のべきに逆比例するということである。座標原点は、磁石装置の磁石の中心に適切に配置される。巻線が理論的に定められた位置から高々ΔCという量だけ異なっている磁石コイル系Cに関しては、次の値が、磁石コイル系が作業容積内にコイル系によって生ずるn次の実際の勾配と、公称の勾配との差の尺度になる。φ:体積エレメントdVの方位角、00670068:磁石コイル系Cの体積にわたる体積積分である。0069それに対応して、その表面が望ましい表面から高々ΔPという量だけ異なっている磁場成形デバイスPに関しては、次の値が、作業容積内に磁場成形デバイスが生ずるn次の実際の勾配と、公称の勾配との差の尺度になる。00700071ここで、00720073:磁場成形デバイスPの磁化、00740075:磁場成形デバイスPの体積にわたる体積積分である。0076磁場成形デバイスの勾配強度の表式は、磁石コイル系のものからベクトル00770078をJCに代入することによって得られた。00790080は磁場成形デバイスの磁性物質と同じB磁場を生ずるからである。0081磁石装置がn≦k−1の勾配を補償するシム・デバイスを有する場合、特にシムで補償することができるはずがないk次の勾配が磁場成形デバイスによって実質的に(好ましくは20%未満しか)増加してはならない。したがって、磁場成形デバイスPの製造許容公差ΔPは次のようになる。00820083この表式は、簡単のために、ΔPとΔCはどちらも空間的に独立であると仮定している。0084この方法を用いることによって、上述の例(形態V2)の本発明に係る磁場成形デバイスの製造許容公差を計算することができる。この例では、コイル系の電流密度JCが空間的に独立な領域を有し、00850086は一定の電流密度の二つの層にわたって分布している。磁石装置には、3次までに含まれている全ての勾配を補正するシム・システムが設けられており、したがってkは4に等しいと置くことができる。上の式における二つの積分の比は数値的に0.5であると計算される。ΔP<0.1ΔCとなる。実現することができる。図面の簡単な説明0088図1本発明の磁石装置の半径方向で半分の概略垂直断面図である。図2軸方向にのみ磁化され且つ磁性物質から成る円環エレメントを含む磁場成形デバイスの磁場形状を決定するための関数Hn(s)を示す図である。半切欠き部ページトップへこの技術を出願した法人この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedInこの技術を発明した人物この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedInページトップへ関連する挑戦したい社会課題この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedIn交通渋滞のない社会を実現する交通渋滞のない社会を実現すると、移動時のストレスがなくなり、廃棄ガス量の減少など環境問題の解決にも大きく貢献します。交通渋滞によって生じる経済的な損失は非常に大きく、2017年には国内だけで年...最終更新日:2018/06/18環境にやさしいエネルギーを実現する環境にやさしいエネルギーの実現は、経済成長と環境や健康面への配慮を両立させる社会につながります。イノベーションを導く多くの企業が膨大な労力と費用をかけて新たな市場や事業を生み出そうとしている中「イノベーション」にかかわるデータのニーズはかつてないほどの高まりを見せいます。2019/09/12)【課題】ダイヤモンド結晶構造中の炭素−空孔中心が負電荷の状態に安定するダイヤモンドを有するセンサ素子を提供する。本発明は、クルクミンの効率的な摂取を可能にするクルクミン含有製剤を提供することを課題とする。交通渋滞のない社会を実現する交通渋滞のない社会を実現すると、移動時のストレスがなくなり、廃棄ガス量の減少など環境問題の解決にも大きく貢献します。交通渋滞によって生じる経済的な損失は非常に大きく、2017年には国内だけで年...環境にやさしいエネルギーを実現する環境にやさしいエネルギーの実現は、経済成長と環境や健康面への配慮を両立させる社会につながります。発電やエネルギー創出時の環境への影響は、大気汚染などの健康被害にもつながり、また人命にかかわる気...癌(5大疾病)のない社会を実現する癌のない社会を実現すると、全世界の患者約1,750万人を助け、年間約760万人の亡くなる命を救うことができます。イノベーションを導く多くの企業が膨大な労力と費用をかけて新たな市場や事業を生み出そうとしている中「イノベーション」にかかわるデータのニーズはかつてないほどの高まりを見せいます。データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。”未来を創るためのプラットフォーム”astamuseは、世界中で未来を創るための「仕組み」を提供するため日々改善を進めています。専門用語を解析し、意味や用法を知ることが出来るキーワード情報そしてこれらの情報を最大限活用することで、挑戦したい社会課題を独自の切り口で編集。社会に大きな変化を起こし、未来を創るために活動し続けるのは容易なことではありません。行う為に必要なサービスの提供を行っていきます。それが私たちの考える“未来を創ること”です。