×この技術を簡単クリック査定この機能をご利用いただくには、会員登録(無料)が必要です。出願した特許の牽制数、引用された数などを知る事ができます。気になる技術や特許をブックマークしておけば、いつでも後から読むことができます。後で印刷するために、公報をPDFでダウンロードできます。会員登録してastamuseを使えば、もっと簡単に便利にお使いいただけます。会員登録(無料)「astamuse」は世界中の挑戦したい社会課題に挑戦し、未来を創る人のプラットフォームです。プリント配線の製造(2)※この項目の情報は公開日時点(2011年1月20日)のものです。高靭性の窒化珪素基板を提供し、熱抵抗が低く、信頼性の高い窒化珪素基板を提供する。なる窒化珪素基板11の表面に金属からなる配線回路パターン13がろう材により接合されるとともに、配線回路パターン13の表面にめっき層が形成されて構成されている。11の表面粗さRzが3μmより大きく20μm以下である。可能なパワー半導体モジュール(IGBT、MOSFET等)が用いられている。耐熱疲労特性に優れていることから最近注目されている。金属箔又は金属板としては、銅(Cu)又はアルミニウム(Al)等が使用されている。窒化珪素基板と金属箔又は金属板との接合は、例えば、活性金属ろう付け法等が用いられている。ここで、活性金属ろう付け法とは、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)又はハフニウム(Hf)等の活性金属と低融点合金を作る銀(Ag)、銅(Cu)等の金属を混合又は合金としたろう材を用いて金属箔又は金属板を窒化珪素基板の表面にろう材相を介して不活性ガス又は真空雰囲気中で加熱圧着接合するものである。無電解めっき層の表面に半導体素子等が搭載されてパワー半導体モジュールが作製される。配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面にまでめっきされてしまい、めっき付着による黒ずみ斑点等の外観不良、さらには配線回路パターン間でショートするといった不具合が発生するという問題があった。黒ずみ斑点は、配線回路パターンの絶縁抵抗を低下させてしまう。板の表面における少なくとも隣接する配線回路パターン間の窒化珪素基板表面の表面粗さRzを1〜3μmとし、かつ、窒化珪素基板の厚みを0.3〜0.7mmとしたものがある(例えば、特許文献1参照。高靭性の窒化珪素基板を提供し、熱抵抗が低く、信頼性の高い窒化珪素基板を提供する。なる窒化珪素基板11の表面に金属からなる配線回路パターン13がろう材により接合されるとともに、配線回路パターン13の表面にめっき層が形成されて構成されている。11の表面粗さRzが3μmより大きく20μm以下である。0001本発明は、窒化珪素(Si3N4)質焼結体からなる窒化珪素基板の表面に金属からなる配線回路パターンが形成されて構成され、各種配線基板や半導体素子収納用パッケージ等に適用される窒化珪素基板に関する。可能なパワー半導体モジュール(IGBT、MOSFET等)が用いられている。耐熱疲労特性に優れていることから最近注目されている。金属箔又は金属板としては、銅(Cu)又はアルミニウム(Al)等が使用されている。0003窒化珪素基板と金属箔又は金属板との接合は、例えば、活性金属ろう付け法等が用いられている。ここで、活性金属ろう付け法とは、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)又はハフニウム(Hf)等の活性金属と低融点合金を作る銀(Ag)、銅(Cu)等の金属を混合又は合金としたろう材を用いて金属箔又は金属板を窒化珪素基板の表面にろう材相を介して不活性ガス又は真空雰囲気中で加熱圧着接合するものである。無電解めっき層の表面に半導体素子等が搭載されてパワー半導体モジュールが作製される。配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面にまでめっきされてしまい、めっき付着による黒ずみ斑点等の外観不良、さらには配線回路パターン間でショートするといった不具合が発生するという問題があった。黒ずみ斑点は、配線回路パターンの絶縁抵抗を低下させてしまう。板の表面における少なくとも隣接する配線回路パターン間の窒化珪素基板表面の表面粗さRzを1〜3μmとし、かつ、窒化珪素基板の厚みを0.3〜0.7mmとしたものがある(例えば、特許文献1参照。限定されるなど生産性が低いという課題があった。温焼成可能とするため、熱伝導において抵抗となる粒界相の量が多く、熱伝導率が60W/m・K程度に留まってしまうという課題があった。冷熱繰り返し等によって生じる損傷に対して十分な耐久性がなく高い信頼性を維持できないという課題があった。0009本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、上述のような課題を解決することができる窒化珪素基板を提供することを目的とする。表面に形成される前記配線回路パターン間の前記窒化珪素基板の表面に残留するパラジウム(Pd)が0.05ppm以下となることを特徴とする。高靭性の窒化珪素基板を得ることができる。このため、熱抵抗が低く、信頼性の高い窒化珪素基板を提供することができる。図面の簡単な説明0012本発明の実施の形態に係る窒化珪素配線基板を適用した半導体モジュールの概略構成の一例を示す断面図である。図1に示す窒化珪素配線基板の製造工程を示す製造工程図である。