NチャネルパワーMOSFET3種を発表した。NチャネルパワーMOSFETの新製品「SiHX21N65EF」「SiHX28N65EF」「SiHG33N65EF」を発表した。Junction技術で設計され、標準のMOSFETに比べて10倍低い逆回復電荷(Qrr)を提供できる。フルのブレークダウン電圧をより早くブロックすることで、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)/ソフトスイッチングトポロジーの用途で、シュートスルーや過熱ストレスを防止できるという。低オン抵抗と低ゲートチャージSiHX21N65EFは5種、SiHX28N65EF/SiHG33N65EFは2種類のパッケージで提供され、10V時のオン抵抗はそれぞれ157mΩ/102mΩ/95mΩ。ゲート電荷量(Qg)は、68nC/97nC/114nCとなっている。充電所などのスイッチモード電源アプリケーションに適している。サンプルと製品は既に提供可能で、量産時の標準納期は16〜18週間としている。関連記事1700V耐圧SiC-MOSFET、オン抵抗1.15Ωを達成ロームは、産業機器向けに1700V耐圧のSiC-MOSFET「SCT2H12NZ」を開発した。産業機器で使用される1500V耐圧のSi-MOSFETに比べ、8分の1となるオン抵抗1.15Ωを可能にした。SJ-MOSFET搭載パワー半導体モジュール拡充、容量2.2〜8.0kWのエアコン向け三菱電機の「DIPIPM」は、SJ-MOSFET搭載の小型インバータ駆動用パワー半導体モジュールで、今回は新たに3品種を追加した。容量が2.2〜8.0kWのエアコン用途に向ける。MOSFET」を発表した。F7」として、新たに耐圧60VのパワーMOSFET製品を発表した。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。