装置の放出特性をシミュレートします。層を持つ二重ヘテロ構造設計です。層のインジウム配合は、発光波長を制御するために変更できます。装置の電流、強度、効率はすべて、単独の電圧について、あるいはユーザー定義の範囲内の電圧の関数として計算します。値が計算され、発光色が表示されます。LEDアプリのスクリーンショット。LEDアプリのスクリーンショット。間接光学遷移シリコンや、その他間接的バンドギャップ材料における光吸収は、新しい間接光学遷移機能でモデル化できるようになりました。シリコンの光発生率は、経験的モデルで自動的に計算でき、短時間に簡単にシリコン光起電装置をシミュレートできます。その他の材料では、ユーザー定義のオプションにより、屈折率と、吸収係数の値のいずれかで光発生率を指定できます。(波動光学モジュールが必要)。つのオプションがあります。電磁波インタフェースで電磁場を計算する場合、経験的モデルにはそれ以外の入力は不要です。つのオプションがあります。電磁波インタフェースで電磁場を計算する場合、経験的モデルにはそれ以外の入力は不要です。半導体材料ライブラリでダイヤモンドを利用できるようになりました。新しいポストプロセス変数を追加しました。これによって、自然放出スペクトルを光子エネルギー、波長、周波数の関数としてプロットできるようになりました。光子エネルギー、波長、周波数の各変数は、光学遷移機能で追加された余剰次元によって、直接アクセスできるようになりました。