4和5上的CMD/ADD寄存器8。如图4B所示,DQ线3是非短线布线的。DRAM芯片21和22。40欧姆,且由DRAM芯片21和22引起的附加电容是4.5皮法。DRAM芯片27、28的附加电容可能与DRAM芯片21、22的相同。此外,导线31和32的长度可能与导线25和26的长度相同。对应于母板阻抗“Z0未加载”的导线阻抗“Z0加载”,导线宽度“W微”和电节距Ep之间的关系。附加的电容是2.4皮法。附加的电容是4.5皮法。