×この技術を簡単クリック査定この機能をご利用いただくには、会員登録(無料)が必要です。出願した特許の牽制数、引用された数などを知る事ができます。気になる技術や特許をブックマークしておけば、いつでも後から読むことができます。後で印刷するために、公報をPDFでダウンロードできます。会員登録してastamuseを使えば、もっと簡単に便利にお使いいただけます。会員登録(無料)「astamuse」は世界中の挑戦したい社会課題に挑戦し、未来を創る人のプラットフォームです。プロセスカートリッジ及び電子写真装置この技術は特許登録された実績があります。※この項目の情報は公開日時点(2016年1月28日)のものです。新規なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、ならびに常温常湿環境下だけでなく、低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥を抑制した電子写真感光体を提供する。解決手段CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°において7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有し、9.9°のピーク強度が7.5°のピーク強度よりも高いことを特徴とするヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。露光手段としてよく用いられている半導体レーザーの発振波長は、650〜820nmと長波長であるため、これらの長波長の光に高い感度を有する電子写真感光体の開発が進められている。フタロシアニン顔料は、こうした長波長領域までの光に高い感度を有する電荷発生物質として有効であり、電子写真感光体の感光層に用いられる。オキシチタニウムフタロシアニンやガリウムフタロシアニンは、優れた感度特性を有しており、これまでに様々な結晶形が報告されている。中でも、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに関しては、特許文献1、特許文献2および特許文献3等に様々な結晶形が報告されている。特許文献1では、CuKαのX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°が7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°および28.3°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が優れた感度特性を有することが記載されている。特許文献3では、CuKαのX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°が28.1°に最も強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、優れた感度特性を有することが記載されている。新規なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、ならびに常温常湿環境下だけでなく、低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥を抑制した電子写真感光体を提供する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°において7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有し、9.9°のピーク強度が7.5°のピーク強度よりも高いことを特徴とするヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。請求項1CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°において7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であって、該9.9°のピーク強度が該7.5°のピーク強度よりも高いことを特徴とするヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。請求項2前記7.5°のピーク強度を1としたとき、前記9.9°のピーク強度が1.1以上2.0以下の範囲である請求項1に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。請求項3前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、結晶内にアミド化合物を含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項1または2に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。請求項4前記アミド化合物の含有量が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、0.1質量%以上3質量%以下である請求項3に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。請求項5前記アミド化合物が、N−メチルホルムアミドである請求項3または4に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。請求項6前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、結晶内にフェノール性化合物、アミン化合物またはカルボニル化合物を含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項1から4のいずれか1項に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。プロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。露光手段としてよく用いられている半導体レーザーの発振波長は、650〜820nmと長波長であるため、これらの長波長の光に高い感度を有する電子写真感光体の開発が進められている。0003フタロシアニン顔料は、こうした長波長領域までの光に高い感度を有する電荷発生物質として有効であり、電子写真感光体の感光層に用いられる。オキシチタニウムフタロシアニンやガリウムフタロシアニンは、優れた感度特性を有しており、これまでに様々な結晶形が報告されている。0004中でも、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに関しては、特許文献1、特許文献2および特許文献3等に様々な結晶形が報告されている。特許文献1では、CuKαのX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°が7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°および28.3°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が優れた感度特性を有することが記載されている。特許文献3では、CuKαのX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°が28.1°に最も強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、優れた感度特性を有することが記載されている。発明が解決しようとする課題0006以上のように、電荷発生物質として、様々なヒドロキシガリウムフタロシアニンの結晶形が検討されている。0007しかしながら、近年のさらなる高画質化に対しては、様々な環境下においてゴースト現象による画質欠陥の改善が望まれている。本発明者らの検討の結果、特許文献1から3に記載のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いた電子写真感光体は、ゴースト現象の改善をより改良する余地があることがわかった。0008本発明の目的は、新規なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を提供することにある。本発明の他の目的は、常温常湿環境下だけでなく、特に厳しい条件である低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥を抑制した画像を出力可能な電子写真感光体を提供することにある。有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。課題を解決するための手段0009本発明者らは、常温常湿環境下だけでなく、特に厳しい条件である低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥が抑制された画像を出力可能な電子写真感光体を得るべく鋭意検討を重ねた。その結果、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角において、特定の位置にピークを有し、特定のピーク強度を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生物質として用いることによって、常温常湿環境下および低温低湿環境下でのゴースト現象による画像欠陥が抑制された画像が出力可能となることを見出した。該9.9°のピーク強度が該7.5°のピーク強度よりも高いことを特徴とするヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である。該感光層が上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする電子写真感光体である。着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。転写手段を有する電子写真装置である。発明の効果0014本発明によれば、電荷発生物質として優れた特性を有するヒドロキシガリウムフタロシアニンを提供することができる。本発明によれば、常温常湿環境下だけでなく、特に厳しい条件である低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥が抑制された画像を出力可能な電子写真感光体を提供することができる。有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。図面の簡単な説明0015電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。実施例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。実施例1−2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。実施例1−3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。実施例1−4で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。実施例1−5で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。実施例1−6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。比較例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。比較例1−2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。比較例1−3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図である。0016本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、図2に示すようにCuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°において7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。9.9°のピーク強度が7.5°のピーク強度よりも高いこと特徴とする。図20017ヒドロキシガリウムフタロシアニンは、下記式(A)で示される化合物である。00180019式(A)中、X1、X2、X3、X4は、塩素原子を示す。n、m、p、およびkは、それぞれ独立に0〜4の整数である。n、m、p、およびkが0の場合は、水素原子となる。0020より好ましくは、n、m、p、およびkが0または1である。好ましくは、n+m+p+kが0または1である。0021特許文献1に記載されているように、これまでのヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のCuKαのX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の9.9°のピーク強度は、7.5°のピーク強度より低いものであった。そのピーク強度の程度に関しても、9.9°のピーク強度は、7.5°のピーク強度の半分程度であった。0022一方、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の9.9°のピーク強度が7.5°のピーク強度よりも高いという新規な結晶型である。本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生物質として感光層に含有させると、低温低湿環境下であっても、ゴースト現象が抑制されることが本発明者らの検討の結果、明らかとなった。0023ゴースト抑制の観点から、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、7.5°のピーク強度を1にしたときの9.9°のピーク強度が、1.1以上2.0以下の範囲であることが好ましい。0024また、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内にアミド化合物を含有していることが好ましい。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のアミド化合物の含有量としては、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して0.1質量%以上3質量%以下であることが好ましい。0025アミド化合物としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N−プロピルホルムアミド、N−メチルプロピオアミドが挙げられる。好ましくは、N−メチルホルムアミドである。0026アミド化合物を結晶内に含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内にアミド化合物を取込んでいることを意味する。0027アミド化合物を結晶内に含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法について説明する。0028アミド化合物を結晶内に含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、アミド化合物と、添加剤とをヒドロキシガリウムフタロシアニンと共にミリング処理することにより、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの結晶変換を行う工程で得られる。添加剤としては、フェノール性化合物、アミン化合物またはカルボニル化合物が挙げられる。そのため、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内にフェノール性化合物、アミン化合物またはカルボニル化合物を含有してもよい。ミリング処理時には、アミド化合物および添加剤の他に、必要に応じて溶剤を加えてもよい。0029ミリング処理に用いるヒドロキシガリウムフタロシアニンは、アシッドペースティング法により得られたヒドロキシガリウムフタロシアニンであることが好ましい。0030ミリング処理(湿式ミリング処理)とは、例えば、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールなどの分散剤とともにサンドミル、ボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理である。ミリング時間は、100〜2000時間程度が好ましい。好ましい方法は、10〜50時間おきにサンプルをとり、結晶のブラッグ角を確認することである。ミリング処理で用いる分散剤の量は、質量基準でヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して10〜50倍が好ましい。0031また、フェノール性化合物としては、例えば、アゾ化カリックスアレーン化合物、アゾ化カリックスレゾルシアレーン化合物、カリックスアレーン化合物、カリックスレゾルシアレーンが挙げられる。フェノール性化合物の使用量は、質量基準でヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して0.01〜2倍が好ましい。0032アミン化合物としては、例えば、モルホリン化合物、ピペリジン化合物、4−ピペリドン化合物、イミダゾール化合物が挙げられる。アミン化合物の使用量は、質量基準でヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して0.1〜2倍が好ましい。0033カルボニル化合物としては、例えば、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物、アントラキノン化合物、ウレア化合物が挙げられる。カルボニル化合物の使用量は、質量基準でヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して0.1〜2倍が好ましい。0034アミド化合物としては、上述で挙げた化合物を用いることができる。中でも、N−メチルホルムアミドを用いてN−メチルホルムアミドを結晶内に含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が特に好ましい。アミド化合物の使用量は、質量基準でヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して10〜30倍が好ましい。0035溶剤としては、例えば、クロロホルムなどのハロゲン系溶剤、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶剤、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶剤が挙げられる。溶剤の使用量は、質量基準でヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して5〜20倍が好ましい。0036本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶がアミド化合物を結晶内に含有していること、およびアミド化合物の含有量は、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶をNMR測定し、データを解析することにより決定した。0037本発明のフタロシアニン結晶のX線回折およびNMRの測定は、次の条件で行ったものである。太陽電池、センサー、スイッチング素子などに適用することができる。0039次に、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を電子写真感光体における電荷発生物質として適用する場合を説明する。形成された感光層を含有する。感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質をともに単層型感光層や、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とに分離した積層型感光層がある。形成された電荷輸送層を有する積層型感光層が好ましい。0041(支持体)支持体としては、導電性を有するもの(導電性支持体)が好ましい。アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、インジウム、金および白金などの金属製、合金製の支持体が挙げられる。アルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム、酸化スズおよび酸化インジウム−酸化スズ合金を真空蒸着法によって被膜形成された層を有する樹脂支持体も用いることができる。導電性粒子を結着樹脂とともにプラスチックまたは金属、合金の上に被覆した支持体も用いることができる。導電性粒子をプラスチックや紙に含浸させた支持体や、導電性ポリマーを有するプラスチックなどを支持体として用いることができる。ホーニング処理、乾式ホーニング処理などを施してもよい。0042支持体と後述の下引き層との間には、レーザー光の散乱による干渉縞の抑制や、支持体の傷の隠蔽(被覆)などを目的として、導電層を設けてもよい。溶剤を分散処理することによって得られる導電層用塗布液を塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。カーボンブラック、銀粒子が挙げられる。結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂が挙げられる。0044支持体および感光層の間には、バリア機能と接着機能とを持つ下引き層(バリア層、中間層とも呼ばれる。)を設けることもできる。下引き層は、結着樹脂、および溶剤を混合することによって得られる下引き層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって下引き層を形成することができる。0045結着樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン610、共重合ナイロンおよびN−アルコキシメチル化ナイロンなど)、ポリウレタンなどが挙げられる。下引き層の膜厚は0.1〜10μmであることが好ましく、より好ましくは0.5〜5μmである。結着樹脂溶を溶剤に混合して、感光層用塗布液を調製する。この感光層用塗布液の塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって単層型感光層を形成することができる。塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。蒸着によって電荷発生層を形成することもできる。0048単層型感光層または電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル、ブチラール樹脂、ポリビニルアセタール、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、尿素樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ブチラール樹脂が好ましい。これらの結着樹脂は、1種のみを使用してもよく、混合または共重合体として2種以上を併用してもよい。0050感光層が単層型である場合、膜厚は、5〜40μmであることが好ましく、10〜30μmであることがより好ましい。含有量は、感光層の全質量に対して3〜30質量%であることが好ましい。電荷輸送物質の含有量は、感光層の全質量に対して30〜70質量%であることが好ましい。単層型感光層の膜厚は、4〜40μmであることが好ましく、5〜25μmであることがより好ましい。含有量は、電荷発生層の全質量に対して20〜90質量%であることが好ましく、50〜80質量%であることがより好ましい。0053電荷発生層の膜厚は、0.01〜10μmであることが好ましく、0.1〜3μmであることがより好ましい。塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。0055電荷輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物、トリアリルメタン化合物などが挙げられる。0056電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾール、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、ポリアリレート、ポリ塩化ビニリデン、アクリロニトリル共重合体、ポリビニルベンザールなどの樹脂が用いられる。0057電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して20〜80質量%であることが好ましく、30〜70質量%であることがより好ましい。電荷輸送層の膜厚は、5〜40μmであることが好ましく、10〜30μmであることがより好ましい。0058感光層の塗布方法としては、ディッピング法、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法、ビームコーティング法などの塗布方法を用いることができる。0059本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生物質として用いるが、他の電荷発生物質と混合して用いることも可能である。この場合、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の含有率は、全電荷発生物質に対して50質量%以上が好ましい。0060感光層上には、必要に応じて保護層を設けてもよい。保護層は、樹脂を溶剤に溶解させて得られた保護層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することができる。樹脂としては、ポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート(ポリカーボネートZ、変性ポリカーボネートなど)、ナイロン、ポリイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマーなどが挙げられる。用いて硬化させることによって保護層を形成してもよい。有する電荷輸送性化合物(正孔輸送性化合物)を重合または架橋させ、硬化させることによって保護層を形成することが好ましい。0062保護層の膜厚は、0.05〜20μmであることが好ましい。保護層には、導電性粒子や紫外線吸収剤などを含有させてもよい。導電性粒子としては、例えば、酸化スズ粒子などの金属酸化物粒子が挙げられる。0063図1は、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。図100641は円筒状(ドラム状)の電子写真感光体であり、軸2を中心に矢印方向に所定の周速度(プロセススピード)をもって回転駆動される。電子写真感光体1の表面は、回転過程において、帯電手段3により、正または負の所定電位に帯電される。帯電された電子写真感光体1の表面には、像露光手段(不図示)から像露光光4が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成されていく。像露光光4は、例えば、スリット露光やレーザービーム走査露光などの像露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。0065電子写真感光体1の表面に形成された静電潜像は、現像手段5内に収容された現像剤(トナー)で現像(正規現像または反転現像)され、電子写真感光体1の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体1の表面に形成されたトナー像は、転写手段6により、転写材7に転写されていく。このとき、転写手段6には、バイアス電源(不図示)からトナーの保有電荷とは逆極性のバイアス電圧が印加される。転写材7は転写材供給手段(不図示)から電子写真感光体1の回転と同期して取り出されて、電子写真感光体1と転写手段6との間に給送される。0066トナー像が転写された転写材7は、電子写真感光体1の表面から分離されて、定着手段8へ搬送されて、トナー像の定着処理を受け、画像形成物(プリント、コピー)として電子写真装置の外へプリントアウトされる。0067トナー像が転写材7に転写された後の電子写真感光体1の表面は、クリーニング手段9により、トナー(転写残りトナー)などの付着物の除去を受けて清浄される。近年、クリーナレスシステムも開発され、転写残りトナーを直接、現像器などで除去することもできる。電子写真感光体1の表面は、前露光手段(不図示)からの前露光光10により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。帯電手段3が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。0068本発明においては、上述の電子写真感光体1、帯電手段3、現像手段5およびクリーニング手段9などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成することができる。このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。帯電手段3、現像手段5およびクリーニング手段9から選択される少なくとも1つを電子写真感光体1とともに一体に支持してカートリッジ化する。レールなどの案内手段12を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ11とすることができる。0069像露光光4は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、LEDアレイの駆動もしくは液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。0070本発明の電子写真感光体1は、レーザービームプリンター、CRTプリンター、LEDプリンター、FAX、液晶プリンターおよびレーザー製版などの電子写真応用分野にも幅広く適用することができる。0071以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、これらに限定されるものではない。以下に示す「部」は、「質量部」を意味する。実施例および比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計(Fischerscope、フィッシャーインスツルメント社製)で求め、または、単位面積当たりの質量から比重換算で求めた。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のアミド化合物の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のヒドロキシガリウムフタロシアニンに対するものである。特開2011−94101号公報に記載の(合成例1)および(実施例1−1)と同様の製造方法にて、以下のようにヒドロキシガリウムフタロシアニンを製造した。0073窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル5.46部およびα−クロロナフタレン45部を反応釜に投入した後、加熱し、温度30°Cまで昇温させた後、この温度を維持した。次に、この温度(30°C)で三塩化ガリウム3.75部を投入した。投入時の混合液の水分値は150ppmであった。その後、温度200°Cまで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度200°Cで4.5時間反応させた後、冷却し、温度150°Cに達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をN,N−ジメチルホルムアミドを用いて温度140°Cで2時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を4.65部(収率71%)得た。次に、得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料4.65部を、温度10°Cで濃硫酸139.5部に溶解させ、攪拌下、氷水620部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ(濾過物)を2%アンモニア水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ(濾過物)をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を3回繰り返し、その後、固形分23%のヒドロキシガリウムフタロシアニン(含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン)を得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン(含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン)6.6kgをハイパー・ドライ乾燥機(商品名:HD−06R、周波数(発振周波数):2455MHz±15MHz、日本バイオコン(株)製)を用いてマイクロ波照射を行い、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを乾燥させた。0074このヒドロキシガリウムフタロシアニン0.5部、下記式(1)で示されるフェノール性化合物0.001部、および、N−メチルホルムアミド10部を、直径0.8mmのガラスビーズ20部とともにボールミルでミリング処理を室温(23°C)下で470時間行った。)を用い、容器が1分間に120回転する条件で行った。この分散液からヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶をN−メチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をN−メチルホルムアミドで洗浄し、続いてテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.33部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図2に示す。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にしたとき、9.9°のピーク強度は1.54であった。図20075また、NMR測定により、実施例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、N−メチルホルムアミドが0.60質量%含有されていることが確認された。N−メチルホルムアミドはテトラヒドロフランに溶解することから、N−メチルホルムアミドは結晶内に含有することが分かる。実施例1−1において、ミリング処理時間を470時間から1000時間に変更した。それ以外は、実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図3に示す。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は1.68であった。図30078また、NMR測定により、実施例1−2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、N−メチルホルムアミドが0.84質量%含有されていることが確認された。実施例1−1において、式(1)で示されるフェノール性化合物0.001部を1,3−ジメチル−1,3−ジフェニルウレア0.5部に変更した。それ以外は、実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.43部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図4に示す。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は1.07あった。図40080NMR測定により、実施例1−3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、1,3−ジメチル−1,3−ジフェニルウレアが0.12質量%、N−メチルホルムアミドが0.68質量%含有されていることが確認された。1,3−ジメチル−1,3−ジフェニルウレアはN−メチルホルムアミドに溶解することから、1,3−ジメチル−1,3−ジフェニルウレアは結晶内に含有することが分かる。実施例1−3において、ミリング処理時間を470時間から1000時間に変更した以外は、実施例1−3と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図5に示す。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は1.45であった。図50082また、NMR測定により結晶中に1,3−ジメチル−1,3−ジフェニルウレアが0.17質量%、N−メチルホルムアミドが0.84質量%含有されていることが確認された。実施例1−1において、式(1)で示されるフェノール性化合物0.001部をビス−(4−ジエチルアミノ−フェニル)−メタノン1.0部に変更した。それ以外は、実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.36部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図6に示す。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は1.01であった。図60084また、NMR測定により、実施例1−5で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ビス−(4−ジエチルアミノ−フェニル)−メタノンが0.23質量%含有されていることが確認された。N−メチルホルムアミドが0.70質量%含有されていることが確認された。ビス−(4−ジエチルアミノ−フェニル)−メタノンは、N−メチルホルムアミドに溶解することから、ビス−(4−ジエチルアミノ−フェニル)−メタノンもN−メチルホルムアミドと同様に結晶内に含有することが分かる。実施例1−5において、ミリング処理時間を470時間から1000時間に変更した以外は、実施例1−5と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.47部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図7に示す。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は1.35であった。図70086また、NMR測定により結晶中にビス−(4−ジエチルアミノ−フェニル)−メタノンが2.32質量%、N−メチルホルムアミドが0.82質量%含有されていることが確認された。実施例1−1で使用したものと同じヒドロキシガリウムフタロシアニン0.5部、および、N,N−ジメチルホルムアミド10部を、直径0.8mmのガラスビーズ20部とともにボールミルでミリング処理を室温(23°C)下で30時間行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をN,N−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をN、N−ジメチルホルムアミドで洗浄し、続いてテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.45部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図8に示す。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、25.2°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°における7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は0.33であった。実施例1−1において、式(1)で示されるフェノール化合物0.001部を加えなかった以外は、実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.44部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図9に示す。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は0.45であった。実施例1−1において、ミリング処理時間を470時間から94時間に変更した以外は、実施例1−1と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.40部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図10に示す。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°、9.9°、および28.3°にピークを有する。CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.5°のピーク強度を1にした場合、9.9°のピーク強度は0.70であった。JR、テイカ(株)製)15部、レゾール型フェノール樹脂(商品名:フェノライトJ−325、大日本インキ化学工業(株)製、固形分70質量%)43部、シリコーンオイル(商品名:SH28PA、東レシリコーン(株)製)0.015部、シリコーン樹脂(商品名:トスパール120、東芝シリコーン(株)製)3.6部、2−メトキシ−1−プロパノール50部、メタノール50部からなる溶液を20時間、ボールミルで分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。0091この導電層用塗布液を、支持体としてのアルミニウムシリンダー(直径24mm)上に浸漬塗布し、得られた塗膜を30分間140°Cで乾燥させることによって、膜厚が15μmの導電層を形成した。0092次に、共重合ナイロン樹脂(商品名:アミランCM8000、東レ(株)製)10部およびメトキシメチル化6ナイロン樹脂(商品名:トレジンEF−30T、帝国化学(株)製)30部を、メタノール400部/n−ブタノール200部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。0093この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が0.5μmの下引き層を形成した。0094次に、実施例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶(電荷発生物質)10部、ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBX−1、積水化学工業(株)製)5部、および、シクロヘキサノン250部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、4時間分散処理して分散液を調製した。下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を10分間100°Cで乾燥させることによって、膜厚が0.16μmの電荷発生層を形成した。電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を1時間110°Cで乾燥させることによって、膜厚が23μmの電荷輸送層を形成した。0099このようにして、円筒状(ドラム状)の実施例2−1の電子写真感光体を作製した。調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例1−2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして実施例2−2の電子写真感光体を作製した。調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例1−3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして実施例2−3の電子写真感光体を作製した。調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例1−4で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして実施例2−4の電子写真感光体を作製した。調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例1−5で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして実施例2−5の電子写真感光体を作製した。調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例1−6で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして実施例2−6の電子写真感光体を作製した。調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例1−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして比較例2−1の電子写真感光体を作製した。調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例1−2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして比較例2−2の電子写真感光体を作製した。調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例1−3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして比較例2−3の電子写真感光体を作製した。実施例2−1〜2−6および比較例2−1〜2−3の電子写真感光体について、ゴースト画像評価を行った。CP3525dn)を、以下に示す改造を施して用いた。前露光は点灯せず、帯電条件と像露光量は可変で作動するようにした。シアン色用のプロセスカートリッジに作製した電子写真感光体を装着してシアンのプロセスカートリッジのステーションに取り付け、他の色用のプロセスカートリッジをプリンター本体に装着せずとも作動するようにした。0110画像の出力に際しては、シアン色用のプロセスカートリッジのみを本体に取り付け、シアントナーのみによる単色画像を出力した。0111まず、温度23°C湿度55%RHの常温常湿環境下で、初期の暗部電位が−500V、明部電位が−100Vになるように帯電条件と露光量を調整した。電位設定の際の電子写真感光体の表面電位の測定は、カートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ(商品名:model6000B−8、トレック・ジャパン(株)製)を装着した。電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計(商品名:model344、トレック・ジャパン(株)製)を使用して測定した。0112その後、同条件下でゴースト画像評価を行った。その後、1000枚の繰り返し通紙試験を行い、繰り返し通紙試験直後および繰り返し通紙試験15時間後でのゴースト画像評価を行った。常温常湿環境下における評価結果を表1に示す。0113次に、電子写真感光体を評価用の電子写真装置とともに温度15°C湿度10%RHの低温低湿環境下で3日間放置した後、ゴースト画像評価を行った。同条件下で1000枚の繰り返し通紙試験を行い、繰り返し通紙試験直後および繰り返し通紙試験15時間後でのゴースト画像評価を行った。低温低湿環境下における評価結果を表1に合わせて示す。0114なお、繰り返し通紙試験は、印字率1%でE文字画像をA4サイズの普通紙にシアン単色で印字する条件で行った。0115また、ゴースト画像評価の方法は、以下のようにした。0116ゴースト画像評価は、1枚目にベタ白画像を出力し、その後ゴーストチャートを4種類各1枚の計4枚出力する。次に、ベタ黒画像を1枚出力した後に再度ゴーストチャートを4種類各1枚の計4枚出力する。この順番で画像出力を行い、計8枚のゴースト画像で評価した。ゴーストチャートは、出力画像書き出し(紙上端10mm)位置から30mmの範囲をベタ白背景に25mm四方のベタ黒の正方形を等間隔、かつ、平行に4つ並べ、出力画像書き出し位置から30mm以降はハーフトーンの印字パターンを4種類出力した。4種類のゴーストチャートをもとに、ランク分けを行った。01174種類のゴーストチャートとは、プリント書き出し位置から30mm以降のハーフトーンパターンのみ異なるチャートで、ハーフトーンのパターンは、以下の4種類である。(1)横*1ドット、1スペースの印字(レーザー露光)パターン。(2)横*2ドット、2スペースの印字(レーザー露光)パターン。(3)横*2ドット、3スペースの印字(レーザー露光)パターン。(4)桂馬パターンの印字(レーザー露光)パターン。(将棋の桂馬の動きのように6マスに2ドット印字するパターン)*:横とは、電子写真感光体の表面に照射されるレーザービームの走査方向(上記レーザービームプリンターにおいて出力された用紙では、用紙の出力方向に直交する方向)を指す。0118ゴースト画像のランク分けは以下のように行った。ランク4、5、6は、本発明の効果が十分に得られていないレベルと判断した。ランク1:いずれのゴーストチャートでもゴーストは見えない。ランク2:特定のゴーストチャートでゴーストがうっすら見える。ランク3:いずれのゴーストチャートでもゴーストがうっすら見える。ランク4:特定のゴーストチャートでゴーストが見える。ランク5:いずれのゴーストチャートでもゴーストが見える。ランク6:特定のゴーストチャートでゴーストがはっきり見える。案内手段ページトップへこの技術を出願した法人この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedInこの技術を発明した人物この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedInページトップへ関連する挑戦したい社会課題この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedIn地球温暖化のない社会を実現する地球温暖化のない社会の実現は、未来の都市生活と密接に結びついています。地球温暖化は、洪水など多くの異常気象を発生させ、過去100年間で地球上の海面は約19cm上昇しました。仮にこのまま推移...最終更新日:2018/06/18環境にやさしいエネルギーを実現する環境にやさしいエネルギーの実現は、経済成長と環境や健康面への配慮を両立させる社会につながります。蛍光性シアニン色素を含む化合物のファミリーに関する。