×この技術を簡単クリック査定この機能をご利用いただくには、会員登録(無料)が必要です。出願した特許の牽制数、引用された数などを知る事ができます。気になる技術や特許をブックマークしておけば、いつでも後から読むことができます。後で印刷するために、公報をPDFでダウンロードできます。会員登録してastamuseを使えば、もっと簡単に便利にお使いいただけます。会員登録(無料)「astamuse」は世界中の挑戦したい社会課題に挑戦し、未来を創る人のプラットフォームです。基板の処理方法及びその装置この技術は特許登録された実績があります。※この項目の情報は公開日時点(2001年4月13日)のものです。(3)課題この発明は基板を複数の処理液によって順次処理する場合、基板に残留する処理液と次の処理液とが化学反応を起すのを防止した基板の処理方法を提供することにある。基板6を種類の異なる複数の処理液によって順次処理する基板の処理方法において、上記基板に供給する処理液を種類の異なる次の処理液に切り換えるときに、基板に供給している処理液の濃度を低下させてから次の処理液を供給することを特徴とする。概要この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedIn背景たとえば、液晶表示装置や半導体装置やこれらの製造に使用するフォトマスクの製造工程においては、ガラス基板や半導体ウエハや石英基板などの基板にフォトマスクを用いて回路パターンを形成するためのリソグラフィ工程がある。上記基板にリソグラフィ工程によって回路パターンを形成するには、その基板にレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンによって基板をエッチングする工程と、エッチング後にレジストパターンを除去する工程と、レジストパターンを除去した基板に成膜する工程とが複数回にわたって繰り返して行われる。概要この発明は基板を複数の処理液によって順次処理する場合、基板に残留する処理液と次の処理液とが化学反応を起すのを防止した基板の処理方法を提供することにある。基板6を種類の異なる複数の処理液によって順次処理する基板の処理方法において、上記基板に供給する処理液を種類の異なる次の処理液に切り換えるときに、基板に供給している処理液の濃度を低下させてから次の処理液を供給することを特徴とする。請求項1基板を種類の異なる複数の処理液によって順次処理する基板の処理方法において、上記基板に供給する処理液を異なる種類の処理液に切り換えるときに、基板に供給している処理液の濃度を低下させてから次の処理液を供給することを特徴とする基板の処理方法。請求項2上記基板には、硫酸と過酸化水素水を混合した処理液を供給した後、この処理液の硫酸の濃度を低下させてから、純水からなる次の処理液を供給することを特徴とする請求項1記載の基板の処理方法。技術分野0001この発明は回転される基板に処理液を噴射して処理する基板の処理方法及び処理装置に関する。背景技術0002たとえば、液晶表示装置や半導体装置やこれらの製造に使用するフォトマスクの製造工程においては、ガラス基板や半導体ウエハや石英基板などの基板にフォトマスクを用いて回路パターンを形成するためのリソグラフィ工程がある。0003上記基板にリソグラフィ工程によって回路パターンを形成するには、その基板にレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンによって基板をエッチングする工程と、エッチング後にレジストパターンを除去する工程と、レジストパターンを除去した基板に成膜する工程とが複数回にわたって繰り返して行われる。発明が解決しようとする課題0004ところで、とくに液晶表示装置や半導体装置の製造で使用されるフォトマスクの製造工程では、難溶解性のレジストが用いられるようになってきており、そのようなレジストを用いて形成されたパターンは通常の方法では容易に剥離除去することができないということがあるため、難溶解性のレジストパターンを除去するためにプラズマアッシングが用いられている。0005しかしながら、プラズマアッシングはコストアップを招いたり、スループットに劣るなどのことがある。0006そこで、プラズマアッシングに代わって上記レジストパターンを硫酸と過酸化水素水とを混合した混合処理液を用いて分離除去する剥離工程がある。0007さらに、上記剥離工程で完全に分離除去できなかったレジスト残渣を除去するために基板を回転駆動される回転体に保持し、この回転体によって回転される基板に向けて上記混合処理液を噴射することで、基板に設けられたレジスト残渣を分解除去するということが行われる。混合処理液を用いてレジスト残渣を分解除去したならば、この基板に純水を供給し、基板に付着した硫酸を洗浄除去するリンス処理が行われる。0008ところで、リンス処理の際、純水を基板に供給すると、その純水が基板に残留する硫酸と溶解反応を起すということがある。そのため、その溶解反応によってミストの発生を招いたり、硫酸の飛散を招くなどのことがある。0009この発明は、基板を種類の異なる複数の処理液によって順次処理する場合、種類の異なる処理液が溶解反応することなく、処理液の切り換えを行うことができるようにした基板の処理方法及び処理装置を提供することにある。課題を解決するための手段0010請求項1の発明は、基板を種類の異なる複数の処理液によって順次処理する基板の処理方法において、上記基板に供給する処理液を異なる種類の処理液に切り換えるときに、基板に供給している処理液の濃度を低下させてから次の処理液を供給することを特徴とする基板の処理方法にある。0011請求項2の発明によれば、上記基板には、硫酸と過酸化水素水を混合した処理液を供給した後、この処理液の硫酸の濃度を低下させてから、純水からなる次の処理液を供給することを特徴とする請求項1記載の基板の処理方法にある。0012請求項3の発明によれば、異なる種類の複数の処理液を回転される基板に向けて順次供給して処理する基板の処理装置において、上記基板を保持するとともに回転駆動される回転体と、上記回転体に保持される基板に処理液を供給するノズル体と、このノズル体に供給される処理液の種類を切り換える切換え手段と、上記ノズル体に供給される処理液の濃度を調整する濃度調整手段とを具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。0013請求項1の発明によれば、基板に供給している処理液の濃度を低下させてから次の処理液を供給するため、濃度の低下した処理液に対して次の処理液が溶解反応を起すのを防止することができる。0014請求項2の発明によれば、硫酸と過酸化水素水を混合した処理液の硫酸の濃度を低下させてから、次の処理液として純水を供給するようにしたので、硫酸と純水との溶解反応が生じるのを防止することができる。0015請求項3の発明によれば、切換え手段によって処理液の種類を切換える際、濃度調整手段によって予め供給している処理液の濃度を低下させてから、次の処理液を供給できるから、種類の異なる処理液を順次供給しても、これら処理液が溶解反応を起すのを防止できる。発明を実施するための最良の形態0016以下、この発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。0017図1は基板の処理装置を示し、この処理装置はカップ体1を備えている。このカップ体1は、上面が開放した有底状の下カップ1aと、この下カップ1aの上端に着脱自在に保持された上カップ1bと、この上カップ1bの内面側にねじ2によって着脱自在に取付けられた中カップ1cとからなる。図10018上記下カップ1aの底部中心部には通孔3が形成されている。この通孔3には回転軸4が挿通されている。この回転軸4の上記カップ体1内に突出した上端は回転体5の下面に取付けられている。この回転体5の上面にはフォトマスク用石英基板などの基板6の下面を支持する複数の支持ピン7と、上記基板6の外周面に係合する複数の係合ピン8とが設けられている。0019上記通孔3から下カップ1aの外部に突出した上記回転軸4の下端部は第1のモ−タ9の回転軸9aに連結されている。したがって、上記第1のモ−タ9が作動すれば、上記回転体5が上記基板6とともに回転駆動されるようになっている。0020上記第1のモ−タ9は第1の取付板11に取付けられている。この第1の取付板11は第1のシリンダ12によって上下駆動されるようになっている。上記第1の取付板11が上昇方向に駆動されれば、上記回転体5が図1に鎖線で示すように一体的に上昇する。それによって、上記回転体5に対して基板6を図示せぬロボットなどによって着脱できる。図10021上記第1の取付板11の上面には、上記回転軸4を軸受12によって回転自在に支持した支持体13が設けられている。この支持体13には支持脚14が立設されている。この支持脚14は上記通孔3から上記下カップ1a内に突出し、その上端には上記通孔3を覆うカバ−15が取付けられている。このカバ−15は上記回転体5の上下動に連動する。したがって、上記回転体5が上昇したときでも、上記カバ−15は上記通孔3を覆っている。0022上記カバ−15は径方向中心から周辺部に向かって低く傾斜した傾斜面に形成されている。したがって、上記カバ−15の上面に滴下した洗浄液はその傾斜面に沿って流れて下カップ1aに滴下する。下カップ1aの底部周辺部には複数の排出管16が接続されていて、下カップ1aに滴下した洗浄液を排出するようになっている。0023上記回転体11に保持される基板6の上面側には、この基板6の上面に処理液を噴射するノズル体31が配置されている。このノズル体31は揺動機構32によって上記基板6の径方向に沿って揺動駆動されるようになっている。この揺動機構32は円筒状の水平ア−ム33を有し、この水平ア−ム33の先端部内に上記ノズル体31が設けられている。0024上記水平ア−ム33の基端部には軸線を垂直にした中空状のスプライン軸34の上端が連結部材35を介して連結されている。上記スプライン軸34の下端部は第2の支持板36に形成された通孔37を通され、取付板38の一端部に軸受39によって回転自在に支持されている。0025上記取付板38はクランク状に形成されていて、その他端部には上記第2の支持板36に取付けられた第2のシリンダ41のロッド41aが連結されている。したがって、上記第2のシリンダ41のロッド41aが後退方向に駆動されれば、上記取付板38を介して上記スプライン軸34が上昇駆動されることになる。0026上記スプライン軸34の中途部には従動プ−リ42が上下動自在かつスプライン軸34と一体的に回転するように設けられている。上記第2の支持板36には第2のモ−タ43が設けられ、その回転軸43aには駆動プ−リ44が嵌着されている。この駆動プ−リ44と上記従動プ−リ42との間にはタイミングベルト45が張設されている。したがって、上記第2のモ−タ43が作動すれば、上記スプライン軸34が回転されるようになっている。0027スプライン軸34が回転されると、その回転に水平ア−ム33が連動するから、この水平ア−ム33の先端部に設けられたノズル体31が回転体5に保持された基板6の径方向に沿って移動するようになっている。水平アーム33は揺動することになる。0028上記ノズル体31は、図2に示すように本体51を有する。この本体51には連通室52及びこの連通室52に一端を連通させ、他端を本体51の先端面に開口させた噴射孔53が形成されている。図20029上記連通室52には第1の供給管54と第2の供給管55とが接続されている。第1の供給管54の基端側は第1の分岐管54aと第2の分岐管54bとに分岐されている。)が供給されるようになっている。0030第1の分岐管54aには第1の流量調整弁56が設けられ、第2の分岐管54bには第2の流量調整弁57が設けられている。各流量調整弁56,57は流量を比例的に制御することができるようになっていて、各流量調整弁56,57で流量が制御された硫酸と過酸化水素水とは第1の供給管54で混合されて第1の処理液となる。0031第1の処理液はノズル体31の連通室52に流入し、ノズル孔53から噴射するようになっている。第1の流量調整弁56と第2の流量調整弁57は、硫酸と過酸化水素水との流量を制御することで、第1の処理液の硫酸の濃度を調整する濃度調整手段を構成している。0032上記第2の供給管55には純水が第2の処理液として供給される。この第2の処理液は第2の供給管55からノズル体31の連通室52を経て噴射孔53から噴射するようになっている。0033上記第1の供給管54と第2の供給管55とには、切換え手段を構成する第1の開閉弁58と第2の開閉弁59とがそれぞれ設けられている。第1の開閉弁58を閉じるとノズル体31への第1の処理液の供給が遮断され、第2の開閉弁59を閉じると第2の処理液の供給が遮断されるようになっている。0034上記第1の流量調整弁56、第2の流量調整弁57、第1の開閉弁58及び第2の開閉弁59は制御装置61によって開度及び開閉が制御されるようになっている。0035このような構成の処理装置において、基板6に形成された難溶解性のレジストパターンや有機膜などを除去及び除去後のリンス処理を行う場合には、まず、回転体5に基板6を保持したならば、この回転体5を回転させるとともに、ノズル体31を基板6の中心部分の上方に位置決めし、このノズル体31の連通室52に第1の供給管54から第1の処理液を供給する。0036第1の流量調整弁56と第2の流量調整弁57とは、制御装置61によって所定の開度に設定される。それによって、第1の処理液は硫酸が過酸化水素水によって所定の濃度に希釈された状態となっている。0037ノズル体31に供給された第1の処理液は、基板6の中心部分に噴射され、回転する基板6の遠心力で周辺部分へ流れるから、基板6に形成されたレジストパターンや有機膜などが分解処理されることになる。0038第1の処理液を基板6に所定時間供給したならば、この第1の処理液に含まれる硫酸の濃度を低下させる。制御装置61によって、硫酸を供給する第1の分岐管54aに設けられた第1の流量調整弁56を所定の開度から徐々に閉じ、過酸化水素水を供給する第2の分岐管54bに設けられた第2の流量調整弁57を所定の開度から全開方向へ徐々に開く。0039それによって、硫酸の流量が減少し、過酸化水素水の流量が増加するから、硫酸が過酸化水素水によって希釈されることになる。硫酸が所定の濃度に希釈されたならば、第1の開閉弁58を閉じ、第2の開閉弁59を開くことで、第1の処理液の供給を停止し、第2の処理液を供給する。0040ノズル体31から基板6に第2の処理液であるリンス用の純水が供給されると、この純水は基板6上に残留する第1の処理液と混合する。第1の処理液の硫酸濃度が高いと、その硫酸と純水とが溶解反応(化学反応)を起すため、ミストの発生や硫酸の飛散などを招くことがある。0041しかしながら、第1の処理液の供給を停止する前に、この第1の処理液に含まれる硫酸の濃度を十分に低下させているので、基板6上に残留する第1の処理液と純水とが溶解反応を起すのを防止することができる。0042そして、基板6を所定時間リンス処理したならば、第2の処理液の供給を停止して乾燥処理を行うことで、基板6の洗浄処理が終了する。0043上記一実施の形態では、第1の処理液の硫酸の濃度を低下させるために、硫酸の流量を減少させて過酸化水素水の流量を増大させるようにしたが、過酸化水素水の流量を一定にし、硫酸の流量を減少させるようにしてもよい。しては第1の流量調整弁56だけあればよく、第2の流量調整弁57はなくてもよいことになる。0044また、基板を処理する場合、2種類の処理液で行う場合だけでなく、3種類以上の処理液で行うこともある。そのよう場合、第1の処理液と第2の処理液とが溶解反応を起すだけでなく、第2の処理液と第3の処理液、さらには第3の処理液と第4の処理液とが溶解反応を起すこともある。0045したがって、3種類以上の処理液を順次用いて基板6を処理する場合にも、溶解反応を起す処理液を所定の液体で希釈してから次の処理液を供給するようにすればよい。0046さらに、基板としては液晶用ガラス基板や半導体ウエハ基板などであってもよく、要はレジストや有機膜などのように、処理液として溶解反応を起す薬液が用いられる場合にこの発明の方法及び装置を適用することができる。発明の効果0047請求項1の発明によれば、基板を複数の処理液で順次処理する場合、基板に供給している処理液の濃度を低下させてから次の処理液を供給するようにした。0048そのため、最初の処理液の濃度を低下させることで、その処理液が基板に残留していても、次の処理液と溶解反応を起すのを防止することができるから、ミストの発生や処理液の飛散を招くことがない。0049請求項2の発明によれば、硫酸と過酸化水素水を混合した処理液による処理と、純水からなる処理液とによって基板を順次処理する場合、最初の処理液の硫酸の濃度を低下させてから、次の処理液の純水を供給するようにした。0050そのため、最初の処理液が基板に残留していても、その処理液の硫酸濃度は十分に低下しているため、硫酸と次の処理液の純粋とが溶解反応を起すのを防止することができる。0051請求項3の発明によれば、切換え手段によって処理液の種類を切換える際、濃度調整手段によって予め供給している処理液の濃度を低下させてから、次の処理液を供給することができる。0052そのため、種類の異なる処理液を順次供給して基板を処理する場合、基板に残留する処理液と次に供給される処理液が溶解反応を起し、ミストの発生や処理液の飛散を招くのを防止することができる。図面の簡単な説明0053図1この発明の一実施の形態を示す全体の概略的構成図。図2同じくノズル体への処理液の供給を示す説明図。図1図2--00545...回転体6...基板31...ノズル体52...連通室53...噴射孔54...第1の供給管55...第2の供給管56...第1の流量調整弁57...第2の流量調整弁58...第1の開閉弁59...第2の開閉弁ページトップへこの技術を出願した法人この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedInこの技術を発明した人物この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedInページトップへ関連する挑戦したい社会課題この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedIn犯罪者のいない都市を実現する犯罪者のいない都市を実現するためには、年々変化する犯罪への予防対策・解決への取り組みが重要です。盗難や空き巣などは近年減少しており、日本国内では15年前と比べ約1/4に減少したとも言われていま...最終更新日:2018/06/15高い食料自給率を実現する高い食料自給率を実現すると、国内での食料の安定供給や、他国の問題による食料不足などの問題を防止する可能性が高まります。