ポテンシャル、局所構造・歪などの分布・変調を理解することは重要である。本研究では、放射光X線吸収分光やケルビンプローブ顕微鏡などの計測・観察技術を駆使し、蓄電固体界面のオペランド計測を行うことで、これらを実測する。電子・化学状態を数nmの深さ分解能で評価できるオペランド軟X線斜出射蛍光X線吸収分光法を確立しており、その結果、界面に掛かる電位状態に応じたSEI層形成の様子を直接観察することに成功している。本研究ではオペランド計測を通して、蓄電固体界面の諸物性を支配する因子を明らかにし、高・新機能界面の設計・創製を可能とする学理の構築へと繋げる。