実現するキーデバイスとして昨今、注目が高まっています。従来の125~150°Cで動作するシリコン(Si)素子に比べ、SiC素子やGaN素子は200°C以上と高温での動作が可能であり、パワーデバイスを構成する半導体封止材をはじめとした各種材料においてさらなる高耐熱性や長期信頼性などが求められます。当社では業界最高※1の耐熱性能を実現し、さらに長期信頼性に優れた半導体封止材を製品化しました。SiCパワーデバイスやGaNパワーデバイス用の半導体封止材として。2015年10月1日現在、当社調べ。展開が進んでいるパワーデバイスのSiC素子やGaN素子は、従来のSi素子の動作温度が125~150°C程度であるのに比べ、200°C以上の高温でも動作が可能であり、半導体封止材にも高温動作に対応するニーズが高まっています。従来の封止材では、高温環境下では絶縁性や密着性の低下が課題でした。採用により、業界最高の耐熱性能を実現しました。封止材の耐熱性向上により、産業用、車載用インバータなどに使用される大電流パワーデバイスのさらなる高温での性能向上に貢献します。長期信頼性に優れ、パワーデバイスの信頼性向上に貢献パワーデバイスが搭載される産業用、車載用のインバータなどでは、長時間高温にさらされると封止材の強度低下により、封止材のクラックや剥離が発生するなどの課題がありました。より、業界最高レベルの200°C以上の高いガラス転移温度と熱安定性を実現しました。[1]パワーデバイス電力の変換や制御を行う半導体。基本的な動作原理はメモリ、マイコン、ICといった半導体デバイスと同じであるが、ICと比較して高耐圧・大電流を制御することができる。適した炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いる。有する材料の耐熱性を表す温度。高分子物質を加熱した場合にガラス状の硬い状態からゴム状に変わる現象をガラス転移といい、ガラス転移がおこる温度をガラス転移温度という。この温度が高いほうが、樹脂封止部分のクラックや剥離の発生を抑え、パワーデバイスの優れた長期信頼性に貢献できる。RSSプレスリリースの内容は発表時のものです。商品の販売終了や、組織の変更等により、最新の情報と異なる場合がありますのでご了承ください。テーマ別RSS一覧Newsroomについてソーシャルメディアアカウント。