52施加该脉冲激光束50。2成为矩形光束斑“s”。s”在所述加工-供给方向X上,即沿着该渠道23相互部分交迭,如图8所示。s”的交迭比为50%。20的一对激光槽241和241,该叠层21形成该半导体晶圆2的渠道23。20,所以形成所述渠道23的叠层21与该半导体芯片22侧完全分离。S”不同,并且消除了该叠层21从所述锐角部分“T”剥离的问题。而,通过向该叠层21的残留部分211施加脉冲激光束,可以去除该叠层21的残留部分211,如图10所示。