窒化ガリウム(GaN)には、シリコンを凌ぐ基本的な利点があります。GaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性です。HEMTは、高速スイッチングに最適です。moreアプリケーションアプリケーションにおける窒化ガリウムCoolGaNTMエンハンスメント・モードHEMTインフィニオンの窒化ガリウムCoolGaNTMファミリーは、様々なアプリケーションのシステムに高い付加価値を提供します。エンハンスメント・モードHEMTは、サーバー、データ通信、テレコム、アダプター/充電器、ワイヤレス給電、オーディオなどの民生・産業アプリケーションを対象とし、高い堅牢性および市場における最高の価格性能を実現します。DC-DC段と組み合わせ、トーテムポール構成のPFC回路に、窒化ガリウムCoolGaNTMエンハンスメント・モードHEMTを実装することにより、98.5%以上のシステム効率(48V出力電圧システム向け)を実現。GaNベースのSMPSソリューションは、現在のシリコンベースのソリューションによる30~40W/in3から、80W/in3以上の高い電力密度に向上させることにより、ラックあたりの計算能力を向上させます。白書をダウンロード(英語)テレコムSMPS運用維持費(OPEX)および資本的経費(CAPEX)の節約、基板電源フットプリントの総合的な削減、ソリューションの堅牢性の高さは、今後も電気通信システムインフラ開発において重要な項目です。インフィニオンの窒化ガリウムCoolGaNTMソリューションは、インフィニオンの厳格な品質検査基準に準拠すると同時に、業界標準となる効率を全動作領域で提供することにより、このような課題に対応しています。白書をダウンロード(英語)アダプターおよび充電器インフィニオンのCoolGaNTMは、最大20W/in3の電力密度を実現するアダプターおよび充電器に対するブレークスルーで(最大出力65W)、ハーフブリッジトポロジーのCoolGaNTMが、スイッチング周波数と効率を同時に向上させることにより実現しています。窒化ガリウムCoolGaNTMエンハンスメント・モードHEMTは、(特に30W以上の)D級アンプで最適同調を実現し、6.78MHzのワイヤレス給電において、シリコンを凌ぐメリットを提供します。低VDS時に大きな増加をみせない、ほぼ線形の低出力容量が、広い負荷インピーダンス範囲でのZVS動作を可能にします。堅牢性の高いデバイス:ショットキーゲート構造ではなく自己クランプゲート白書をダウンロード(英語)D級オーディオアンプインフィニオンのCoolGaNTM技術により、D級オーディオアンプの理論的に最適な性能へと近づくことができます。CoolGaNTM独自の特性は、D級オーディオアンプに最適です。ボディーダイオードの逆回復電荷量(QRR)ゼロ、高い直線性の入出力容量、非常に速いスイッチング速度(低いQgdおよびRG)という利点により、最適なスイッチング波形が得られ、理想的なスイッチを実現します。した理想的なスイッチング波形は、オーディオ性能を最大化し、D級オーディオアンプにおける電力損失を最小化するための前提条件です。窒化ガリウムCoolGaNTM400Vエンハンスメント・モードHEMTは現在開発中。