etching.与前面一样,将图19和20的晶片2,22分别结合。53,如在图21中所示。在图23中用涂层研磨使YSZ结晶取向层56与聚酰亚胺层54一起变薄。together.与在图15中一样,在图24中蚀刻聚酰亚胺层54和部分的层51和60,露出脚金属58并穿孔到CMOS引线50,它是与CMOS装置20电连接的。connected.在电介质层62中做出一切口,其自身与YSZ膜56和脚金属部件58对齐,切口表示在图25中。在图27中,剩余的聚酰亚胺层51和60被蚀刻掉。58接触到CMOS引线金属50。它表示反射器69、YSZ6和CMR电阻10。还有,触点44和64,及脚金属16。structures.5.根据权利要求4所述的过程,其特征在于,第一晶片是硅。