14,达到大于空间15深度的高度。100°C的热处理,以便使聚酰亚胺层14部分固化,见图6。7-10.如在图7描绘的那样,在第一硅晶片22上形成CMOS装置20。circuit.如在图8中所见,跨过聚酰亚胺层24的整个表面沉积铝26,使之与筐形部21底部的引线23电接触,这样也与电子线路20电接触,铝充满筐形部21到高于聚酰亚胺层24的水平。24.通过化学机械研磨(CMP)使图9中的铝柱27齐平。28,如在图10中所示。