450摄氏度(C)的温度下处理,这在实践上限制了CMOS装置。2%/C到高的值3.5%/C。12%/C的值下测量,有比VOx(氧化钒)(K=10-13)膜低得多的1/f(K=10-14)噪音。holes.图22表示除去硅晶片,以及除去图21的蚀刻停止层。(hastalloy)层4。(YSZ)结晶取向膜6,并且图案化,留下台面6。4区域上以及在YSZ台面6的表面上沉积BixTiOy层8。CMR(大磁阻)膜10。将Si3N4层12沉积到CMR膜10上,从而钝化该膜。BixTiOy层8,CMR层10和Si3N4层12的台面。