100nm以下、10nm以上,电子迁移率为30000cm2/Vs以上。其特征在于,上述基板是GaAs基板,上述AlxIni.xSb混晶层是AlaiInQ.9Sb混晶层,上述InAs,Sb^薄膜导电层是InAsQ.。+1.3%~-0.8%。权利要求11记载的薄膜积层体,其特征在于,上述基板是GaAs基板,上述AlxIni.xSb混晶层是AlaiIn。.9Sb混晶层,上述InASxSb^薄膜导电层是InAs。