石英のような無定形状態を有する酸化物半導体膜が一例である。高分解能TEM像において結晶部を確認することができない。対し、XRD装置を用いた構造解析を行うと、out−of−plane法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターンが観測される。水素などの不純物を高い濃度で含む酸化物半導体膜である。欠陥準位密度の高い酸化物半導体膜である。0181不純物濃度が高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜は、キャリアトラップやキャリア発生源が多い酸化物半導体膜である。nc−OS膜と比べて、さらにキャリア密度が高くなる場合がある。用いたトランジスタは、ノーマリーオンの電気特性になりやすい。従って、ノーマリーオンの電気特性が求められるトランジスタに好適に用いることができる場合がある。欠陥準位密度が高いため、キャリアトラップが多い。電気特性の変動が大きく、信頼性の低いトランジスタとなる。不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い(酸素欠損が少ない)酸化物半導体膜である。そのため、キャリア密度を低くすることができる。用いたトランジスタは、ノーマリーオンの電気特性になることが少ない。不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低いため、キャリアトラップが少ない。性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。0185なお、酸化物半導体膜は、欠陥が少ないと密度が高くなる。晶性が高いと密度が高くなる。CAAC−OS膜よりも密度が高い。