間の物性を示す構造を有する場合がある。Semiconductor)膜と呼ぶ。OS膜は、高分解能TEM像において鬆(ボイドともいう。)が観察される場合がある。高分解能TEM像において、明確に結晶部を確認することのできる領域と、結晶部を確認することのできない領域と、を有する。晶化が起こり、結晶部の成長が見られる場合がある。良質なnc−OS膜であれば、TEMによる観察程度の微量な電子照射による結晶化はほとんど見られない。測は、高分解能TEM像を用いて行うことができる。InGaZnO4の結晶は層状構造を有し、In−O層の間に、Ga−Zn−O層を2層有する。InGaZnO4の結晶の単位格子は、In−O層を3層有し、またGa−Zn−O層を6層有する、計9層がc軸方向に層状に重なった構造を有する。よって、これらの近接する層同士の間隔は、(009)面の格子面間隔(d値ともいう。)と同程度であり、結晶構造解析からその値は0.29nmと求められている。そのため、高分解能TEM像における格子縞に着目し、格子縞の間隔が0.28nm以上0.30nm以下である箇所においては、それぞれの格子縞がInGaZnO4の結晶のa−b面に対応すると見なした。OS膜およびnc−OS膜の結晶部の大きさとする。結晶部の大きさは、0.8nm以上のものを選択的に評価する。OS膜およびnc−OS膜の結晶部(20箇所から40箇所)の平均の大きさの変化を調査した例である。部が大きくなっていくことがわかる。具体的には、TEMによる観察初期においては1.2nm程度の大きさだった結晶部が、累積照射量が4.2×108e−/nm2においては2.6nm程度の大きさまで成長していることがわかる。良質なnc−OS膜は、電子照射開始時から電子の累積照射量が4.2×108e−/nm2になるまでの範囲で、電子の累積照射量によらず結晶部の大きさに変化が見られないことがわかる。晶部の平均の大きさが正の値をとることがわかる。OS膜およびnc−OS膜の結晶部が、TEMによる観察前から存在していることがわかる。CAAC−OS膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。0192酸化物半導体膜が複数の構造を有する場合、構造解析の一つの手法がナノビーム電子回折である。カメラ218は、観察室220内部に向けて設置される。フィルム室222を有さなくても構わない。電子銃室210に設置された電子銃から放出された電子が、光学系212を介して試料室214に配置された物質228に照射される。物質228を通過した電子は、光学系216を介して観察室220内部に設置された蛍光板229に入射する。過電子回折パターンを測定することができる。図120195カメラ218は、蛍光板229を向いて設置されており、蛍光板229に現れたパターンを撮影することが可能である。カメラ218のレンズの中央、および蛍光板229の中央を通る直線と、蛍光板229の上面と、の為す角度は、例えば、15°以上80°以下、30°以上75°以下、または45°以上70°以下とする。該角度が小さいほど、カメラ218で撮影される透過電子回折パターンは歪みが大きくなる。角度がわかっていれば、得られた透過電子回折パターンの歪みを補正することも可能である。カメラ218をフィルム室222に設置しても構わない場合がある。カメラ218をフィルム室222に、電子224の入射方向と対向するように設置してもよい。この場合、蛍光板229の裏面から歪みの少ない透過電子回折パターンを撮影することができる。0196試料室214には、試料である物質228を固定するためのホルダが設置されている。ホルダは、物質228を通過する電子を透過するような構造をしている。ホルダは、例えば、物質228をX軸、Y軸、Z軸などに移動させる機能を有していてもよい。動させる精度を有すればよい。これらの範囲は、物質228の構造によって最適な範囲を設定すればよい。用いて、物質の透過電子回折パターンを測定する方法について説明する。0198例えば、図12(D)に示すように物質におけるナノビームである電子224の照射位置を変化させる(スキャンする)ことで、物質の構造が変化していく様子を確認することができる。このとき、物質228がCAAC−OS膜であれば、図12(A)に示したような回折パターンが観測される。物質228がnc−OS膜であれば、図12(B)に示したような回折パターンが観測される。図120199ところで、物質228がCAAC−OS膜であったとしても、部分的にnc−OS膜などと同様の回折パターンが観測される場合がある。したがって、CAAC−OS膜の良否は、一定の範囲におけるCAAC−OS膜の回折パターンが観測される領域の割合(CAAC化率ともいう。)で表すことができる場合がある。良質なCAAC−OS膜であれば、CAAC化率は、50%以上、80%以上、90%以上、あるいは95%以上となる。CAAC−OS膜と異なる回折パターンが観測される領域の割合を非CAAC化率と表記する。0200一例として、成膜直後(as−sputteredと表記。)、または酸素を含む雰囲気における450°C加熱処理後のCAAC−OS膜を有する各試料の上面に対し、スキャンしながら透過電子回折パターンを取得した。ここでは、5nm/秒の速度で60秒間スキャンしながら回折パターンを観測し、観測された回折パターンを0.5秒ごとに静止画に変換することで、CAAC化率を導出した。電子線としては、プローブ径が1nmのナノビームを用いた。同様の測定は6試料に対して行った。CAAC化率の算出には、6試料における平均値を用いた。0201各試料におけるCAAC化率を図14(A)に示す。成膜直後のCAAC−OS膜のCAAC化率は75.7%(非CAAC化率は24.3%)であった。理後のCAAC−OS膜のCAAC化率は85.3%(非CAAC化率は14.7%)であった。成膜直後と比べて、450°C加熱処理後のCAAC化率が高いことがわかる。高い温度(例えば400°C以上)における加熱処理によって、非CAAC化率が低くなる(CAAC化率が高くなる)ことがわかる。500°C未満の加熱処理においても高いCAAC化率を有するCAAC−OS膜が得られることがわかる。図140202ここで、CAAC−OS膜と異なる回折パターンのほとんどはnc−OS膜と同様の回折パターンであった。確認することができなかった。したがって、加熱処理によって、nc−OS膜と同様の構造を有する領域が、隣接する領域の構造の影響を受けて再配列し、CAAC化していることが示唆される。0203図14(B)および図14(C)は、成膜直後および450°C加熱処理後のCAAC−OS膜の平面の高分解能TEM像である。図14(B)と図14(C)とを比較することにより、450°C加熱処理後のCAAC−OS膜は、膜質がより均質であることがわかる。高い温度における加熱処理によって、CAAC−OS膜の膜質が向上することがわかる。図140204このような測定方法を用いれば、複数の構造を有する酸化物半導体膜の構造解析が可能となる場合がある。0205なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。0206(実施の形態4)本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る半導体装置が有する記憶装置に用いられるトランジスタの断面構造の一例について、図8乃至10を参照して説明する。本実施の形態で示すトランジスタの断面構造では、上記実施の形態2で説明したメモリセルの回路が有するトランジスタM1乃至M6と、トランジスタOM1、OM2と、容量素子Cp1、Cp2と、各配線とについて図示する。図80207図8(A)では、各素子の層構造についての模式図を示している。図8(A)に示す第1の層311は、Siトランジスタが設けられた層(図中、SiFETLayerと表記)である。Layerと表記)である。Layerと表記)である。Layerと表記)である。図80208図8(B−1)乃至(B−4)は、図8(A)の第1乃至4の層311乃至314に対応するレイアウト図である。子Cp1、容量素子Cp2に対応するレイアウト図である。図80210図8(B−2)に示す第3の層313のレイアウト図では、トランジスタOM1、OM2に対応するレイアウト図である。電位線V−VDM、ビット線BL、反転ビット線BLBに対応するレイアウト図である。図80212図8(B−4)に示す第1の層311のレイアウト図では、トランジスタM1乃至M6に対応するレイアウト図である。面積増加をすることなく、データをバックアップ/リカバリ−できるメモリセルのレイアウト図を実現できる。図80214次いで図9では、図8(B−1)乃至(B−4)の一点鎖線F−F’における断面図、図10では、図8(B−1)乃至(B−4)の一点鎖線G−G’における断面図を示している。層462、絶縁層464、導電層466、層間絶縁層472、配線層474、配線層476、層間絶縁層478および層間絶縁層480を示している。層間絶縁層458、絶縁層464、導電層466、層間絶縁層472、層間絶縁層478、導電層467、配線層477および層間絶縁層480を示している。(GaAs基板、InP基板、GaN基板、SiC基板、GaP基板、GaInAsP基板、ZnSe基板等)等を用いることができる。等を用いることができる。0219ゲート絶縁層410は、熱処理を行い、半導体基板400の表面に酸化した酸化シリコン膜を形成した後、選択的にエッチングして、形成する。属酸化物等を、CVD法、スパッタリング法等を用いて形成した後、選択的にエッチングして、形成する。線層476、導電層467及び配線層477は、アルミニウム、銅、チタン、タンタル、タングステン等の金属材料を用いることが好ましい。結晶シリコンを用いることができる。形成方法は、蒸着法、PE−CVD法、スパッタリング法、スピンコート法などの各種成膜方法を用いることができる。層448、層間絶縁層458、絶縁層464、層間絶縁層472、層間絶縁層478および層間絶縁層480は、無機絶縁層または有機絶縁層を、単層又は多層で形成することが好ましい。無機絶縁層としては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を、単層又は多層で形成することが好ましい。有機絶縁層としては、ポリイミド又はアクリル樹脂等を、単層又は多層で形成することが好ましい。Deposition)等を適宜用いることができる。0222半導体層452及び半導体層453は、酸化物半導体を単層または積層して設ければよい。酸化物半導体は、少なくともインジウム又は亜鉛を含む酸化物であり、In−Ga−Zn系酸化物(IGZOとも表記する)を用いることができる。酸化物とは、InとGaとZnを含む酸化物という意味であり、InとGaとZn以外の金属元素が入っていてもよい。In−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物を用いることができる。0223ゲート絶縁層450は、無機絶縁層を、単層又は多層で形成することが好ましい。ゲート絶縁層450は、半導体層452及び半導体層453に酸素を供給する効果があるとより好ましい。0224図9、10の構成とすることで半導体装置が有する記憶装置は、電源電位線V−VDMと、トランジスタOM1、OM2のチャネル形成領域とを積層して設けることができる。源電位線V−VDMの電源電位は、記憶装置に電源電圧を供給を行う場合には高電源電位となる。この場合電源電位線V−VDMを、トランジスタOM1、OM2のバックゲートとして用いることで、トランジスタOM1、OM2のオン電流を大きくすることができる。合には低電源電位となる。性を阻害することはない。そのためトランジスタOM1、OM2のオン電流を大きくし、オフ電流を低く保つことができる。図90225なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。0226(実施の形態5)上記実施の形態で開示された、導電層や半導体層はスパッタ法により形成することができるが、他の方法、例えば、熱CVD法により形成してもよい。Deposition)法を使っても良い。0227熱CVD法は、プラズマを使わない成膜方法のため、プラズマダメージにより欠陥が生成されることが無いという利点を有する。0228熱CVD法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、原料ガスと酸化剤を同時にチャンバー内に送り、基板近傍で反応させて基板上に堆積させることで成膜を行ってもよい。化剤を順次にチャンバーに導入し、これを繰り返すことで成膜を行ってもよい。不活性ガスをキャリアガスとして原料ガスと同時に導入してもよい。2種類以上の原料ガスを用いても良い。上の原料ガスを順番にチャンバーに供給する。第2の原料ガスを導入する。不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第1の原料ガスを排出した後、第2の原料ガスを導入してもよい。・反応することで、第2の単原子層が第1の単原子層上に積層されて薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さになるまで複数回繰り返すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、ガス導入を繰り返す回数によって調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微細なFETを作製する場合に適している。0230MOCVD法やALD法などの熱CVD法は、これまでに記載した実施形態に開示された導電層や半導体層を形成することができ、例えば、InGaZnOX(X>0)膜を成膜する場合には、トリメチルインジウム((CH3)3In)、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)、及びジメチル亜鉛((CH3)2Zn)を用いる。これらの組み合わせに限定されず、トリメチルガリウムに代えてトリエチルガリウム((C2H5)3Ga)を用いることもでき、ジメチル亜鉛に代えてジエチル亜鉛((C2H5)2Zn)を用いることもできる。0231例えば、ALDを利用する成膜装置によりタングステン膜を成膜する場合には、WF6ガスとB2H6ガスを順次導入して初期タングステン膜を形成し、その後、WF6ガスとH2ガスを順次導入してタングステン膜を形成する。B2H6ガスに代えてSiH4ガスを用いてもよい。えばInGaZnOX(X>0)膜を成膜する場合には、In(CH3)3ガスとO3ガスを順次繰り返し導入してInO2層を形成し、その後、Ga(CH3)3ガスとO3ガスを順次導入してGaO層を形成し、更にその後Zn(CH3)2とO3ガスを順次導入してZnO層を形成する。これらの層の順番はこの例に限らない。これらのガスを混ぜてInGaO2層やInZnO2層、GaInO層、ZnInO層、GaZnO層などの混合化合物層を形成しても良い。O3ガスに変えてAr等の不活性ガスで水をバブリングして得られたH2Oガスを用いても良いが、Hを含まないO3ガスを用いる方が好ましい。0233以上、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。0234(実施の形態6)本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した記憶装置を電子部品に適用する例、及び該電子部品を具備する電子機器に適用する例について、図15、図16を用いて説明する。図15図160235図15(A)では上述の実施の形態で説明した記憶装置を電子部品に適用する例について説明する。電子部品は、半導体パッケージ、又はIC用パッケージともいう。子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。そこで、本実施の形態では、その一例について説明することにする。図150236上記実施の形態4の図9、10に示すようなトランジスタで構成される記憶装置は、組み立て工程(後工程)を経て、プリント基板に脱着可能な部品が複数合わさることで完成する。図90237後工程については、図15(A)に示す各工程を経ることで完成させることができる。体的には、前工程で得られる素子基板が完成(ステップS1)した後、基板の裏面を研削する(ステップS2)。この段階で基板を薄膜化することで、前工程での基板の反り等を低減し、部品としての小型化を図るためである。図150238基板の裏面を研削した後、基板を複数のチップに分離するダイシング工程を行う。分離したチップを個々にピックアップしてリードフレーム上に搭載し接合する、ダイボンディング工程を行う(ステップS3)。このダイボンディング工程におけるチップとリードフレームとの接着は、樹脂による接着や、テープによる接着等、適宜製品に応じて適した方法を選択する。ダイボンディング工程は、インターポーザ上に搭載し接合してもよい。0239次いでリードフレームのリードとチップ上の電極とを、金属の細線(ワイヤー)で電気的に接続する、ワイヤーボンディングを行う(ステップS4)。線を用いることができる。ワイヤーボンディングは、ボールボンディングや、ウェッジボンディングを用いることができる。0240ワイヤーボンディングされたチップは、エポキシ樹脂等で封止される、モールド工程が施される(ステップS5)。機械的な外力による内蔵される回路部やワイヤーに対するダメージを低減することができ、また水分や埃による特性の劣化を低減することができる。0241次いでリードフレームのリードをメッキ処理する。リードを切断及び成形加工する(ステップS6)。このめっき処理によりリードの錆を防止し、後にプリント基板に実装する際のはんだ付けをより確実に行うことができる。0242次いでパッケージの表面に印字処理(マーキング)を施す(ステップS7)。的な検査工程(ステップS8)を経て電子部品が完成する(ステップS9)。0243以上説明した電子部品は、上述の実施の形態で説明した記憶装置を含む構成とすることができる。そのため、低消費電力化が図られた電子部品を実現することができる。0244また、完成した電子部品の斜視模式図を図15(B)に示す。Package)の斜視模式図を示している。図15(B)に示す電子部品700は、リード701及び回路部703を示している。図15(B)に示す電子部品700は、例えばプリント基板702に実装される。的に接続されることで電子機器の内部に搭載することができる。完成した半導体装置704は、電子機器等の内部に設けられる。図150245次いで、コンピュータ、携帯情報端末(携帯電話、携帯型ゲーム機、音響再生装置なども含む)、電子ペーパー、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう)、デジタルビデオカメラなどの電子機器に、上述の電子部品を適用する場合について説明する。0246図16(A)は、携帯型の情報端末であり、筐体901、筐体902、第1の表示部903a、第2の表示部903bなどによって構成されている。筐体901と筐体902の少なくとも一部には、先の実施の形態に示す半導体装置が設けられている。費電力化が図られた携帯型の情報端末が実現される。図160247なお、第1の表示部903aはタッチ入力機能を有するパネルとなっており、例えば図16(A)の左図のように、第1の表示部903aに表示される選択ボタン904により「タッチ入力」を行うか、「キーボード入力」を行うかを選択できる。選択ボタンは様々な大きさで表示できるため、幅広い世代の人が使いやすさを実感できる。ここで、例えば「キーボード入力」を選択した場合、図16(A)の右図のように第1の表示部903aにはキーボード905が表示される。これにより、従来の情報端末と同様に、キー入力による素早い文字入力などが可能となる。示部903a及び第2の表示部903bのうち、一方を取り外すことができる。示部903bもタッチ入力機能を有するパネルとし、持ち運びの際、さらなる軽量化を図ることができ、一方の手で筐体902を持ち、他方の手で操作することができるため便利である。示した情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を有することができる。筐体の裏面や側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子など)、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。図160250また、図16(A)に示す携帯型の情報端末は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。電話として用いてもよい。図160252図16(B)は、電子ペーパーを実装した電子書籍910であり、筐体911と筐体912の2つの筐体で構成されている。筐体911及び筐体912には、それぞれ表示部913及び表示部914が設けられている。続されており、該軸部915を軸として開閉動作を行うことができる。筐体911は、電源916、操作キー917、スピーカー918などを備えている。体912の少なくとも一には、先の実施の形態に示す半導体装置が設けられている。そのため、低消費電力化が図られた電子書籍が実現される。図160253図16(C)は、テレビジョン装置であり、筐体921、表示部922、スタンド923などで構成されている。テレビジョン装置920の操作は、筐体921が備えるスイッチや、リモコン操作機924により行うことができる。筐体921及びリモコン操作機924には、先の実施の形態に示す半導体装置が設けられている。そのため、低消費電力化が図られたテレビジョン装置が実現される。図160254図16(D)は、スマートフオンであり、本体930には、表示部931と、スピーカー932と、マイク933と、操作ボタン934等が設けられている。先の実施の形態に示す半導体装置が設けられている。そのため低消費電力化が図られたスマートフオンが実現される。図160255図16(E)は、デジタルカメラであり、本体941、表示部942、操作スイッチ943などによって構成されている。本体941内には、先の実施の形態に示す半導体装置が設けられている。そのため、低消費電力化が図られたデジタルカメラが実現される。図160256以上のように、本実施の形態に示す電子機器には、先の実施の形態に係る半導体装置が設けられている。このため、低消費電力化が図られた電子機器が実現される。操作スイッチページトップへこの技術を出願した法人この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedInこの技術を発明した人物この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedInページトップへ関連する挑戦したい社会課題この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedIn交通渋滞のない社会を実現する交通渋滞のない社会を実現すると、移動時のストレスがなくなり、廃棄ガス量の減少など環境問題の解決にも大きく貢献します。交通渋滞によって生じる経済的な損失は非常に大きく、2017年には国内だけで年...最終更新日:2018/06/18手足の欠損や麻痺をおぎなう社会を実現する手足の欠損や麻痺をおぎなうことが出来ると、日本国内だけでも約200万人の対象者とその家族の生活を快適にすることができます。イノベーションを導く多くの企業が膨大な労力と費用をかけて新たな市場や事業を生み出そうとしている中「イノベーション」にかかわるデータのニーズはかつてないほどの高まりを見せいます。2019/09/19)【課題】精度の高い読み出しが可能なメモリ装置を提供する。課題の一つとして、コランダム構造を有する結晶性酸化膜が積層されている積層体を提示することを目的とする。2019/09/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