5を蒸気化した後に、シャッタ5を開いて回転ドーム2の下面に向けて蒸気を放出する。5.【0036】この場合、電子ガン4内の電極に、例えば6.0kVの電圧を印加する。1.0Å/sの蒸着速度で蒸着する。rate,電子ガン4に流す電流量によって調整される。4.【0037】このTiONの成長は回転ドーム2側の光電式膜厚モニタ13により検出される。その光電式膜厚モニタ13は光源と光検出器を有し、光源から照射された光は、そのモニタ用ガラス基板14又はその表面に堆積したTiON膜で反射される。その反射量は光検出器によって検出され、その反射量に基づいて膜厚が求められる。15によっても検出される。モニター12内の水晶板の上に堆積し、その堆積量の増加によって生じる水晶板の振動数の変動によって蒸着速度が測定される。2.55とし、有効範囲を±0.05とすると、蒸着速度を0.44〜0.51Å/secの比較的狭い範囲で制御することが必要である。sec.【0039】次に、電子ガン4に印加する電圧をパラメータにして、蒸着速度と屈折率の関係を図2に基づいて説明する。TiONからなる光学膜の蒸着速度を示し、縦軸は屈折率を示している。index.【0040】図2の曲線aは、既に述べたように、原料物質に電子を照射する電子ガン4の電圧を6.0kVに固定し、電子ガン4の電流を変えることによってTiON膜の蒸着速度を変え、そのときの屈折率を測定した結果を示している。これによれば、TiON膜の屈折率が大幅に変わる蒸着速度範囲が存在する。図2の曲線bは、電子ガン4の電圧を7.0kVに固定し、電子ガン4の電流を変えて蒸着速度を変化した場合の屈折率の変化を示している。曲線aに比べて屈折率の蒸着速度依存性が緩和され、TiON膜の屈折率のバラツキが抑制されることがわかる。0.60Å/secと広くなり、蒸着速度の屈折率のバラツキに与える影響が少なくなるため、屈折率の制御が容易になっていることがわかる。facilitated.【0041】図2の曲線cと曲線dは、電子ガン4の電圧の調整限界を示している。abruptly,屈折率の制御が困難であることを示している。difficult.【0042】このような電圧を電子ガン4に印加し、屈折率が急激に変化する蒸着速度範囲でTiON膜を成長すると、光学膜の屈折率の再現性が悪く、同一光学膜内の屈折率にバラツキを生じることになる。この好ましくない事実は、印加電圧が6.0kVより低い場合にも生じる。曲線dは、電子ガンの電圧を9.0kVに固定して電子ガンの電流を変えて蒸着速度を操作した場合の屈折率の変動を示している。これによれば、曲線bに比べて緩やかな変化を有することがわかるが、蒸着速度を1.0Å/sとしても屈折率2.50が得られない。rate.【0043】このように電子ガン4への印加電圧が高くなるほど屈折率の蒸着速度依存性が小さくなる傾向にある。電子ガン4への印加電圧が高過ぎると、光学膜の屈折率の調整範囲が狭くなり、光学膜の屈折率を調整の有効性が低くなる。このように電子ガン4に流す電流によって蒸着速度を調整する場合、電子ガン4の印加電圧値に最適範囲が存在することがわかる。film,任意の屈折率を有する光学膜の形成が容易になる。上記した条件は、アルミニウム酸素窒素化合物、シリコン酸素窒素化合物、その他の酸素窒素化合物の屈折率を調整する場合にも適用できる。gunTiON膜の屈折率を調整する光学膜の形成方法を提供するものである。この場合、原料物質に加えて、酸素と窒素のイオンをその割合を変えて基板上に形成することによって光学材料自体の屈折率を調整することもできる。ratio.【0046】(第2実施例)第1実施例では、光波長1.55μmの半導体レーザの反射防止膜の高屈折率層を形成する際に、イオンガン6から導入するガスを酸素だけにしたが、これは屈折率の制御性を高めるためである。次に、その詳細を説明する。従来、イオンアシスト蒸着法により成膜する目的は、基板を加熱せずに膜の密着性を向上させるためであり、この性質は、半導体装置を構成する膜を形成する場合に特に魅力的であった。was.【0047】また、前記のように光学膜を構成する元素を基板にイオン照射し、これにより成長した膜の屈折率が大きくなるという効果があるために、その光学膜の屈折率を操作ができる。図3は、TiONからなる光学膜をイオンアシスト蒸着法により形成する場合に、イオン電流と光学膜の屈折率の関係を示す図で、縦軸はイオン電流を示し、横軸は成長した光学膜の屈折率を示している。2に変換されて、イオン電流の増加にともなって形成された光学膜の屈折率が僅かであるが大きくなることがわかる。ところが、この光学膜の形成方法を半導体レーザの光学膜製造に応用し、イオン電流を増加する目的でイオン照射強度を上げると、半導体レーザに損傷を与えるために、十分なエネルギーを与えることができず、必要な屈折率のある光学膜が得られないことがある。index.【0049】これを補う方法として、カートリッジ式ハース3内の原料物質に含まれないイオンを意図的に照射して原料物質とは異なる化合物を形成する方法が考えられ、これによれば、イオンの量を変化することによって屈折率を大きく変化できる。5に窒素イオンを照射してTiON膜を形成すると、図3の曲線bのようにTiON膜の屈折率が大きく変化する。5に加えて、原料物質とは異なる元素のイオン種、即ち窒素を注入することにより屈折率を大きく変えることができる。曲線bに見られるように、イオン電流が20mAとなる前後の領域でイオン電流の増加に伴って屈折率が急激に増大し、例えば2.45〜2.90の制御性良くなくいことがわかる。O5に酸素が導入され難くなって、光学膜の屈折率を大幅に変化できないことが分かった。これは、酸素より窒素のイオン化が強いためであると考えられる。TiONを形成する実験を行ったところ、図4に示すように、混合ガスを1としてそこに酸素の占める割合を0.9以上としたところで、屈折率に大幅な変化が見られた。図4において、横軸は窒素と酸素の混合ガスに占める酸素の割合を示し、縦軸は、光学膜の屈折率を示している。film.【0052】そこで、窒素のように比較的イオン化が強い元素をイオンガン6から離れたガス導入口9のみから導入し、酸素のように比較的イオン化が弱い元素をイオンガン6に直接導入して光学膜中の窒素と酸素のイオンの結合状態の制御したところ、図5のような実験結果が得られた。図5の縦軸は屈折率を示し、横軸は蒸着速度を示し、その蒸着速度は、電子ガン4の電流を変えることにより制御される。4.【0053】この図の曲線から形成された光学膜の屈折率が広範囲にわたって一様に変化していることが確認できる。6,その酸素イオンはイオン加速電極8に印加される電圧によって加速されて引き出され、引き出された酸素イオンは、蒸着室ガス導入口9から導入された窒素をイオン化して基板16の上にTiONを成長させる。TiON膜に導入された窒素と酸素のイオンの結合状態によって屈折率が決定され、この結合状態は蒸着速度を変化することによって調整される。rate.【0054】このような方法によると、成長した光学膜の屈折率がイオン電流の変化に依存しないことがわかり、低いイオン照射で形成することができ、半導体レーザへの損傷を軽減することができる。構成する高屈折率層の形成工程を説明する。1.37の低屈折率光学膜と、屈折率が2.44の高屈折率光学膜から構成される。5を充填して蒸着室1内に装着する。次に、基板装着用回転ドーム2の下面の中央に蒸着膜の膜厚を測定するためのモニタ用ガラス基板14を下向きにセットし、その周囲に複数の基板16を蒸着される面を下向きにしてセットする。2,面内の堆積流の分布のムラが無視できる程度の速度で回転する。基板16は、具体的には半導体レーザであり、その端面に反射防止膜が形成される。