0110また、非晶質領域の表面に結晶層を設けることで、酸化物半導体層の電気的特性を変化させることも可能である。ターゲットを用いて酸化物半導体層を形成する場合には、電気的異方性を有するIn2Ga2ZnO7の結晶粒が配向した結晶部を形成することで、酸化物半導体層の電気的特性を変化させることができる。0111より具体的には、例えば、In2Ga2ZnO7のc軸が酸化物半導体層の表面に垂直な方向をとるように配向させることで、酸化物半導体層の表面に平行な方向の導電性を向上させ、酸化物半導体層の表面に垂直な方向の絶縁性を向上させることができる。水や水素などの不純物の侵入を抑制する機能を有する。熱によって形成することができる。Znの含有量がInまたはGaの含有量より小さいスパッタターゲットを用いることで、より好適に形成することが可能である。0113酸化物半導体層140に対する第1の熱処理は、島状の酸化物半導体層140に加工する前の酸化物半導体層に行うこともできる。その場合には、第1の熱処理後に、加熱装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行うことになる。140上にソース電極またはドレイン電極を積層させた後、ソース電極またはドレイン電極上に保護絶縁層を形成した後、などのタイミングにおいて行うことが可能である。一回に限らず複数回行っても良い。0115次に、酸化物半導体層140に接するように、ソース電極またはドレイン電極142a、ソース電極またはドレイン電極142bを形成する(図4(F)参照)。ソース電極またはドレイン電極142a、ソース電極またはドレイン電極142bは、酸化物半導体層140を覆うように導電層を形成した後、当該導電層を選択的にエッチングすることにより形成することができる。図40116導電層は、スパッタリング法をはじめとするPVD法や、プラズマCVD法などのCVD法を用いて形成することができる。導電層の材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素や、上述した元素を成分とする合金等を用いることができる。マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、トリウムから選択されたいずれか一または複数の材料を用いてもよい。アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素を単数、または複数組み合わせた材料を用いてもよい。0117また、導電層は、導電性の金属酸化物で形成しても良い。化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム酸化スズ合金(In2O3—SnO2、ITOと略記する場合がある)、酸化インジウム酸化亜鉛合金(In2O3—ZnO)または、これらの金属酸化物材料にシリコン若しくは酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。0118導電層は、単層構造であっても良いし、2層以上の積層構造としてもよい。造、チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜とが積層された3層構造などが挙げられる。0119ここで、エッチングに用いるマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレーザ光を用いるのが好適である。0120トランジスタのチャネル長(L)は、ソース電極またはドレイン電極142aの下端部と、ソース電極またはドレイン電極142bの下端部との間隔によって決定される。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成されるトランジスタのチャネル長(L)を10nm以上1000nm以下とすることも可能であり、回路の動作速度を高速化できる。消費電力が大きくならずに済む。0121なお、導電層のエッチングの際には、酸化物半導体層140が除去されないように、それぞれの材料およびエッチング条件を適宜調節する。材料およびエッチング条件によっては、当該工程において、酸化物半導体層140の一部がエッチングされ、溝部(凹部)を有する酸化物半導体層となることもある。導体層140とソース電極またはドレイン電極142bの間には、酸化物導電層を形成してもよい。酸化物導電層と、ソース電極またはドレイン電極142aやソース電極またはドレイン電極142bを形成するための導電層は、連続して形成すること(連続成膜)が可能である。酸化物導電層はソース領域またはドレイン領域として機能しうる。このような酸化物導電層を設けることで、ソース領域またはドレイン領域の低抵抗化を図ることができるため、トランジスタの高速動作が実現される。異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる。一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。よって、露光マスク数を削減することができ、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が図れる。0124なお、上述の工程の後には、N2O、N2、またはArなどのガスを用いたプラズマ処理を行うのが好ましい。当該プラズマ処理によって、露出している酸化物半導体層の表面に付着した水などが除去される。酸素とアルゴンの混合ガスなど、酸素を含有するガスを用いたプラズマ処理を行ってもよい。酸素欠乏に起因する欠陥を低減することが可能である。0125次に、大気に触れさせることなく、酸化物半導体層140の一部に接する保護絶縁層144を形成する(図4(G)参照)。図40126保護絶縁層144は、スパッタリング法など、保護絶縁層144に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。その厚さは、1nm以上とする。