近年、半導体の性能向上を支えてきたムーアの法則が限界を迎えつつある。そのため、従来のノイマン型コンピューティングからニューロモルフィックコンピューティングへの関心が高まっている。その中でも特に不揮発性メモリを用いたニューロモルフィック集積回路が注目されている。従来回路は重みの記憶容量が小さく、消費電力が高くなってしまう問題がある。本論文では強誘電体トランジスタ(FeFET)を用いたニューロモルフィック集積回路を提案する。FeFETは不揮発性メモリの一種であり、電流のダイナミックレンジが広いため重みの記憶容量が大きくなる。提案回路は低消費電力かつ並列に積和演算が可能である。