これによって、分離層として働く層が、投影飛程の深さの所に微小気泡層あるいは注入イオン種高濃度層による歪み層として形成された。range.【0228】そして、自然酸化膜を除去した同径のシリコンウエハに接触させ、500°Cで熱処理を行って貼り合わせ、多層構造体を形成するとともに、同時に第1の基板と第2の基板を分離した。did.【0229】第2の基板上には単結晶半導体層が移設されていた。transferred.【0230】第2の基板上に移設された単結晶半導体層の表面上の残留分離層を水素アニール処理して除去するとともに平滑化し、SOIウエハを得た。このSOIウエハを用いて、完全空乏型薄膜トランジスタを作製した。transistor.【0231】一方、剥離された第1の基板には、分離層の残留部が存在していたので、水素アニールによりこれを除去しつつ、平滑化しバルクウエハを得た。that,低濃度のP型エピタキシャル層を形成し、エピタキシャルウエハとした。(実施例6)第1の単結晶Si基板上にCVDにより単結晶Siを1μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。