これによって、分離層として働く層が、投影飛程の深さの所に微小気泡層あるいは注入イオン種高濃度層による歪み層として形成された。range.【0291】そして、表面に酸化膜を形成した同径のシリコンウエハ(第2の基板)の貼り合わせ面を窒素プラズマ処理して、第1及び第2の基板を接触させて貼り合わせ、多層構造体を形成した。この多層構造体の側面にウオータージェットを吹き付けて側面側から中心に向かって第1の基板と第2の基板を分離した。that,分離は熱処理でも行なうことができた。treatment.【0292】第2の基板上には単結晶半導体層が移設されていた。transferred.【0293】第2の基板上に移設されたエピタキシャル層の表面上の残留分離層を水素アニール処理して除去するとともに平滑化し、SOIウエハを得た。SOIウエハを用いて、完全空乏型薄膜トランジスタを作製した。layer.【0294】一方、剥離された第1の基板には、エピタキシャル層とその表面上に分離層の残留部が存在していたので、水素アニールによりこれを除去しつつ、平滑化しバルクウエハを得た。このバルクウエハはその表面にエピタキシャル層を水素アニールした層を有しているので、エピタキシャルウエハ並みの性能をもつ。wafer.【0295】このバルクウエハを用いてCMOS論理回路を作製した。(実施例14)第1の単結晶Si基板の表面にHF溶液中において陽極化成処理を施した。陽極化成条件は以下の通りであった。-2)の多孔質層より厚い第2の多孔質Si層の多孔度は他の多孔質Si層の多孔度に比べて大きくなり、構造的に脆弱な層となる。layer.【0297】この基板を酸素雰囲気中400°Cで1時間酸化した。この酸化により多孔質Siの孔の内壁表面は熱酸化膜で覆われた。このウエハをエピタキシ装置の水素雰囲気中に配置した後、1040°Cで5分間ベークした。この熱処理(ベーキング)により多孔質Siの表面孔は埋められた。-2で形成した第1の多孔質Si層はSi原子のマイグレーションにより、非多孔質化した。VaporDeposition)法により単結晶Siを0.3μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りであった。ベーキング工程を行ってもよい。2層表面と、別に用意したSi基板(第2の基板)の表面と、を重ね合わせ、接触させた後、1180°C5分間熱処理したところ、貼り合わせは強固になった。firm.【0300】貼り合わせ基板に外力を加えて分離させたところ、多孔度の大きい第2の多孔質層が崩壊し、非多孔質の層と多孔質の層との界面で分割された。substrate基板が形成できた。単結晶Si層の表面(分離面)には多孔質Siは残留していなかった。このように、非多孔質の層と多孔質層との界面で分離することにより、表面平滑なSOI層を得るための、種々の工程を省略できる。steps.【0302】このように界面分離できるのは、界面付近に応力を集中させることができるからである。Other,シリコン上のSiGeなどのヘテロエピタキシャル膜などの場合も、界面に応力を集中させることができる。substrate,49%弗酸と30%過酸化水素水との混合液で攪拌しながら選択エッチングし表面の平滑なバルクウエハを得た。前述の第1の基板あるいは、第2の基板として再利用することなく、デバイス形成用ウエハ、あるいはモニターウエハとして用いた。invention,より大量生産及び再現性に優れた半導体ウエハの製造方法を得ることができる。半導体ウエハの利用効率を高め、市場に出回るウエハの数を減らすことなく、良質のSOIウエハを提供できる半導体ウエハの製造方法を得ることができる。DRAWINGS【図1】本発明の基本的な実施の形態による半導体ウエハの製造方法のフローチャートである。FIG.【図2】本発明の基本的な他の実施の形態による半導体ウエハの製造方法のフローチャートである。FIG.【図3】本発明の基本的な他の実施の形態による半導体ウエハの製造方法のフローチャートである。FIG.【図4】本発明の第1実施形態によるウエハの製造方法を示す工程図である。invention.【図5】本発明の第2実施形態によるウエハの製造方法を示す工程図である。invention.【図6】本発明の第4実施形態によるウエハの製造方法を示す工程図である。invention.【図7】本発明の第5実施形態によるウエハの製造方法を示す工程図である。invention.【図8】本発明の第7実施形態によるウエハの製造方法を示す工程図である。invention.【図9】本発明の第8実施形態によるウエハの製造方法を示す工程図である。invention.【図10】製造システムの一例を示す模式的説明図である。system.【図11】製造システムの他の例を示す模式的説明図である。system.【図12】分離後の第1のウエハの転用先を決めるための検査工程のフローチャートである。separation.【図13】製造システムの一例を示す模式的説明図である。system.【図14】製造システムの他の例を示す模式的説明図である。system.【図15】本発明に係るウエハの製造方法を示す工程図である。FIG.【図16】本発明に係る太陽電池の製造方法を示す図である。invention.【図17】従来のエピタキシャル層移設法を示す模式図である。含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。FZシリコンウエハ、エピタキシャルシリコンウエハ、あるいは水素アニールされたシリコンウエハである請求項1〜8のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。layer〜6のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。ある請求項2、4、5、6、7のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。anodizationに記載の半導体ウエハの製造方法。前記分離層は、水素、窒素、あるいは希ガスのイオン注入により形成される請求項11に記載の半導体ウエハの製造方法。前記イオン注入は、プラズマ浸漬イオン注入法により行われる請求項13に記載の半導体ウエハの製造方法。surface,4、5、6、7のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。layer5に記載の半導体ウエハの製造方法。前記半導体層の形成に先だって、前記多孔質層を水素を含む還元性雰囲気で熱処理する工程を含む請求項15に記載の半導体ウエハの製造方法。以下の低成長速度で前記半導体層を形成する工程を含む請求項15に記載の半導体ウエハの製造方法。熱処理する工程を含む請求項15に記載の半導体ウエハの製造方法。a4、5、6、7のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。layer,4、5、6、7のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。-シリコンウエハである請求項1又は請求項2に記載の半導体ウエハの製造方法。エピタキシャル層を形成し、該エピタキシャル層表面を多孔質化して前記分離層を形成した後、該分離層表面に前記半導体層を形成する請求項2、4、5、6、7のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。substrateになるように行なう請求項23に記載の半導体ウエハの製造方法。+層である請求項23に記載の半導体ウエハの製造方法。inside,該多層構造体を分離する分離工程と、を含む請求項1又は請求項2に記載の半導体ウエハの製造方法。前記貼り合わせ工程は、絶縁層を介して行われる請求項26に記載の半導体ウエハの製造方法。前記半導体層表面に絶縁層を形成した後、前記貼り合わせ工程を行なう請求項26に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第2の部材の表面に絶縁層を形成した後、前記貼り合わせ工程を行なう請求項26に記載の半導体ウエハの製造方法。前記分離工程は、前記多層構造体を加熱処理する方法、あるいは分離層及び/又はその近傍を側面から酸化する方法により行われる請求項26に記載の半導体ウエハの製造方法。C.°Cで行われる請求項30に記載の半導体ウエハの製造方法。しくは前記分離層側面に流体を吹き付ける方法、前記分離層に引張り力、圧縮力、若しくは剪断力を加える方法、前記分離層にてスライスする方法、前記分離層に超音波振動を与える方法の少なくとも一つの方法により行われる請求項26に記載の半導体ウエハの製造方法。前記流体は、水、アルコール、エッチング液、空気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガスから選ばれる請求項32に記載の半導体ウエハの製造方法。前記半導体ウエハとは、エピタキシャルウエハである請求項1又は請求項2に記載の半導体ウエハの製造方法。前記半導体ウエハあるいは前記第2の半導体ウエハを用いて、半導体装置、あるいは太陽電池を作製する請求項1〜8のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。glass,プラスチック、フレキシブルフィルム、セラミックスあるいは導電性基板である請求項1〜8のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第2の部材は、表面に酸化膜を有するシリコンウエハである請求項1〜8のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。前記平坦化工程は、前記半導体基体に表面研磨、研削、エッチング、熱処理の少なくとも一つを施す工程である請求項1又は請求項2に記載の半導体ウエハの製造方法。タッチポリッシュである請求項38に記載の半導体ウエハの製造方法。前記熱処理は、水素アニールである請求項38に記載の半導体ウエハの製造方法。前記水素アニールの温度が800°C以上であって且つ前記半導体基体の構成材料の融点以下である請求項40に記載の半導体ウエハの製造方法。前記水素アニールとは、少なくとも水素を含む還元性雰囲気下で行われる熱処理である請求項40に記載の半導体ウエハの製造方法。請求項1又は請求項2の平坦化工程後の前記半導体基体を、非SOIウエハとして使用する半導体ウエハの使用方法。請求項1又は請求項2の平坦化工程後の前記半導体基体を、半導体装置の作製に用いる半導体ウエハとして利用する半導体ウエハの使用方法。請求項1又は請求項2の平坦化工程後の前記半導体基体を、ダミーウエハとして使用する半導体ウエハの使用方法。請求項1又は請求項2の平坦化工程後の前記半導体基体を、モニターウエハとして使用する半導体ウエハの使用方法。平坦化された前記半導体基体にエピタキシャル層を形成する工程を有する請求項1又は請求項2に記載の半導体ウエハの製造方法。エッジ検査の内少なくとも1種類の検査工程を行なう請求項1又は請求項2に記載の半導体ウエハの製造方法。48に記載の半導体ウエハの製造方法。前記P型半導体基体とは、高濃度P型シリコンウエハである請求項3、4、5、7、8のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。-3である請求項50に記載の半導体ウエハの製造方法。前記高濃度P型半導体ウエハの比抵抗が0.001〜0.5Ω・cmである請求項50に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第1の半導体ウエハを形成する工程は、前記第1の部材と前記第2の部材とを前記半導体層が内側に位置するように貼り合わせて多層構造体を形成する貼り合わせ工程と、該多層構造体を分離する分離工程とを含む請求項3〜8のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。前記貼り合わせ工程は、絶縁層を介して行われる請求項53に記載の半導体ウエハの製造方法。前記半導体層表面に絶縁層を形成した後、前記貼り合わせ工程を行なう請求項53に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第2の部材の表面に絶縁層を形成した後、前記貼り合わせ工程を行なう請求項53に記載の半導体ウエハの製造方法。前記分離工程は、前記多層構造体を加熱処理する方法、あるいは分離層及び/又はその近傍を側面から酸化する方法により行われる請求項53に記載の半導体ウエハの製造方法。C.°Cの範囲で行われる請求項57に記載の半導体ウエハの製造方法。しくは前記分離層側面に流体を吹き付ける方法、前記分離層に引張り力、圧縮力、若しくは剪断力を加える方法、前記分離層にてスライスする方法、前記分離層に超音波振動を与える方法の少なくとも一つの方法により行われる請求項53に記載の半導体ウエハの製造方法。前記流体は、水、アルコール、エッチング液、空気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガスから選ばれる請求項59に記載の半導体ウエハの製造方法。前記低濃度P型半導体層とは、比抵抗が0.02Ω・cmから10000Ω・cmである請求項3〜6のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。-3のエピタキシャルシリコン層である請求項3〜6のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。エッジ検査の内少なくとも1種類の検査工程を行なう請求項3〜8のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。前記エピタキシャル成長は、CVD法により形成される請求項3〜6のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。P型シリコンウエハである請求項6に記載の半導体ウエハの製造方法。-3である請求項65に記載の半導体ウエハの製造方法。前記高濃度P型シリコンウエハの比抵抗が0.001〜0.5Ω・cmである請求項65に記載の半導体ウエハの製造方法。-型エピタキシャルシリコン層である請求項7又は請求項8に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第1の半導体層は複数の層から形成される請求項7又は請求項8に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第2の半導体層は、前記第1の半導体層よりもP型導電性を規定する不純物濃度が高い請求項7に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは、P型導電性を規定する不純物濃度が同一である請求項7に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第2の半導体層及び分離層は、前記第1の半導体層に水素、窒素、希ガスから選ばれる少なくとも一種類のガスをイオン注入することにより形成される請求項7に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第3の半導体層は、エピタキシャル単結晶シリコン層である請求項8に記載の半導体ウエハの製造方法。2の半導体層を形成することにより得られる請求項7に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第2の半導体層の形成に先だって、前記分離層である多孔質層の孔壁に保護膜を形成する工程を含む請求項74に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第2の半導体層の形成に先だって、前記分離層である多孔質層を水素を含む還元雰囲気で熱処理する工程を含む請求項74に記載の半導体ウエハの製造方法。rate4に記載の半導体ウエハの製造方法。熱処理する工程を含む請求項74に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第1の部材は、多孔質化された前記第2の半導体層上に前記第3の半導体層を形成することにより得られる請求項8に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第3の半導体層の形成に先だって、多孔質化された前記第2の半導体層である多孔質層の孔壁に保護膜を形成する工程を含む請求項79に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第3の半導体層の形成に先だって、多孔質化された前記第2の半導体層である多孔質層を水素を含む還元性雰囲気で熱処理する工程を含む請求項79に記載の半導体ウエハの製造方法。rate9に記載の半導体ウエハの製造方法。熱処理する工程を含む請求項79に記載の半導体ウエハの製造方法。前記低濃度P型半導体層のエピタキシャル成長前に高濃度P型半導体基体の表面を平坦化する請求項3〜6のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。分離された前記P型半導体基体上の前記第1の半導体層の表面を平坦化して前記第2の半導体ウエハを形成する請求項7又は請求項8に記載の半導体ウエハの製造方法。エッチング、熱処理の少なくとも一つを施すことにより行われる請求項85に記載の半導体ウエハの製造方法。前記熱処理は、水素を含む雰囲気中での熱処理である請求項86に記載の半導体ウエハの製造方法。前記水素を含む雰囲気中で熱処理の温度が800°C以上、前記P型半導体基体の構成材料の融点以下である請求項87に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第2の半導体層を前記第2の部材に移設した後、前記第2の半導体層上に残留する前記分離層を除去する請求項7に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第3の半導体層を前記第2の部材に移設した後、前記第2の半導体層上に残留する前記分離層を除去する請求項8に記載の半導体ウエハの製造方法。hydrogenに記載の半導体ウエハの製造方法。前記分離層による分離は、分離層の内部、又は分離層の上側あるいは下側界面で分離する請求項2、4、5、6、7のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第2の部材上への前記第3の半導体層の移設が、多孔質化された前記第1の半導体層内部、又は多孔質化された前記第1の半導体層の上側あるいは下側界面で分離することにより行われる請求項8に記載の半導体ウエハの製造方法。前記半導体層と前記低濃度P型半導体層が同一のCVD装置により形成される請求項3〜6のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。前記第2の半導体ウエハが前記第1及び第2の部材以外の用途に用いられる請求項3〜8のいずれかの請求項に記載の半導体ウエハの製造方法。前記酸化性雰囲気での熱処理により前記P型シリコン基板裏面に10nm以上、10μm以下の酸化膜を形成する請求項6に記載の半導体ウエハの製造方法。貼り合わせSOI基板の作製に用いられるシードウエハを用意し、前記シードウエハの少なくとも一方の表面を平坦化処理した後、半導体ウエハとして販売することを特徴とする半導体ウエハの利用方法。region,前記分離層の内部及び/又は界面で分離する工程を含む請求項97に記載の半導体ウエハの利用方法。/又は前記第2の部材上に形成された絶縁層を介して貼り合わせる工程である請求項98に記載の半導体ウエハの利用方法。nitrogen,希ガスの中から選ばれる少なくとも1種類の元素のイオン注入により形成される微小気泡層である請求項98に記載の半導体ウエハの利用方法。前記平坦化処理が鏡面研磨工程を含む請求項97に記載の半導体ウエハの利用方法。前記シードウエハの両方の表面を平坦化処理する請求項97に記載の半導体ウエハの利用方法。前記シードウエハの両面を鏡面研磨した後、前記半導体ウエハとして販売する請求項97に記載の半導体ウエハの利用方法。前記平坦化処理は、水素アニールを含む工程である請求項97に記載の半導体ウエハの利用方法。前記シードウエハ上にエピタキシャル半導体層を形成する工程を含む請求項97に記載の半導体ウエハの利用方法。