-界面付近に微小気泡層あるいは注入イオン種高濃度層による歪み層として形成された。interface.【0283】そして、表面に同径のシリコンウエハ(第2の基板)の貼り合わせ面を窒素プラズマ処理して、第1及び第2の基板を接触させて貼り合わせ、多層構造体を形成した。ここで、200°C程度の熱処理を行ってもよい。C..【0284】そしてこの多層構造体の側面にウオータージェットを吹き付けて側面側から中心に向かって第1の基板と第2の基板を分離した。structure.【0285】分離方法は、他に、500°Cの熱処理によっても、結晶再配列作用および微小気泡内の圧力作用により分離した。-単結晶半導体層が移設されていた。transferred.【0287】第2の基板上に移設されたエピタキシャル層の表面上の残留分離層を水素アニール処理して除去するとともに平滑化し、SOIウエハを得た。水素アニールの代わりに、表面研磨(タッチポリッシュ)によっても同様なSOIウエハを作製できた。このSOIウエハを用いて、完全空乏型薄膜トランジスタを作製した。-エピタキシャル層とその表面上に分離層の残留部が存在していたので、水素アニールによりこれを除去しつつ、平滑化しエピウエハを得た。水素アニールの代わりに、表面研磨(タッチポリッシュ)によっても同様なエピウエハを作製できた。このバルクウエハはその表面にエピタキシャル層を水素アニールした層を有しているので、エピタキシャルウエハ並みの性能をもつ。+ウエハとして最も広く用いられているエピウエハとなる。このエピウエハを用いてCMOS論理回路を作製した。epi-wafer.【0289】またこのエピウエハ上にDRAM等を形成して品質、イールド、信頼性の向上を確認できた。-の単結晶Siを1μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。