これによって、分離層として働く層が、投影飛程の深さの所に微小気泡層あるいは注入イオン種高濃度層による歪み層として形成された。range.【0233】そして、表面に酸化膜を形成した同径のシリコンウエハ(第2の基板)の貼り合わせ面を窒素プラズマ処理して、第1及び第2の基板を接触させて貼り合わせ、多層構造体を形成した。この多層構造体の側面にウオータージェットを吹き付けて側面側から中心に向かって第1の基板と第2の基板を分離した。structure.【0234】第2の基板上には単結晶半導体層が移設されていた。transferred.【0235】第2の基板上に移設されたエピタキシャル層の表面上の残留分離層を水素アニール処理して除去するとともに平滑化し、SOIウエハを得た。SOIウエハを用いて、完全空乏型薄膜トランジスタを作製した。transistor.【0236】一方、剥離された第1の基板には、エピタキシャル層とその表面上に分離層の残留部が存在していたので、水素アニールによりこれを除去しつつ、平滑化しバルクウエハを得た。このバルクウエハはその表面にエピタキシャル層を水素アニールした層を有しているので、エピタキシャルウエハ並みの性能をもつ。wafer.【0237】このバルクウエハを用いてCMOS論理回路を作製した。1016cm-2イオン注入した。これによって、分離層として働く層が、投影飛程の深さの所に微小気泡層あるいは注入イオン種高濃度層による歪み層として形成された。Si表面にCVD法により非晶質あるいは多結晶Siを0.30μm成長した。成長条件は以下の通りである。2層を200nm堆積した。surface.【0240】そして、自然酸化膜を除去した同径のシリコンウエハに接触させ、600°Cで熱処理を行って貼り合わせ、多層構造体を形成するとともに、第1の基板と第2の基板を分離した。.【0241】第2の基板上にはエピタキシャル成長による単結晶半導体層が移設されていた。transferred.【0242】第2の基板上に移設された単結晶半導体層の表面上の残留分離層を水素アニール処理して除去するとともに平滑化し、SOIウエハを得た。このSOIウエハを用いて、完全空乏型薄膜トランジスタを作製した。transistor.【0243】一方、剥離された第1の基板には、分離層の残留部が存在していたので、水素アニールによりこれを除去しつつ、平滑化しバルクウエハを得た。本発明においては、水素アニール前に研磨或いはエッチングにより残留部を一部或いは全部除去しておいてもよい。removed.【0244】このバルクウエハを用いてCMOS論理回路を作製した。(実施例8)比抵抗0.01〜0.02Ω・cmのP型の第1の単結晶Si基板を、HF溶液中において陽極化成を行った。solution.【0245】陽極化成条件は以下のとおりであった。この基板を酸素雰囲気中400°Cで1時間酸化した。この酸化により多孔質Siの孔の内壁は熱酸化膜で覆われた。film.【0246】ここで投影飛程が多孔質Si層中(或いは多孔質Si/基板界面でもよい)になるように、第1の基板表面からイオン注入した。これによって、分離層として働く層が、投影飛程の深さの所に微小気泡層あるいは注入イオン種高濃度層による歪み層として形成された。Siを0.3μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。ベーキング工程を行ってもよい。自然酸化膜を除去した同径のシリコンウエハに接触させ、熱処理を行って貼り合わせ、多層構造体を形成した。structure.【0248】多層構造体の側面にウオータージェット装置を用いて高圧力の水を吹き付けて、流体の楔のように水を多層構造体に浸入させて、多層構造体から第1の基板を剥離した。剥離後、第2の基板上にはエピタキシャル層が移設されていた。このSOIウエハを用いて、完全空乏型薄膜トランジスタを作製した。transistor.【0250】一方、剥離された第1の基板の剥離面にエピタキシャル成長を施してエピタキシャルウエハを得た。この場合残留多孔質層を一旦除去してからエピタキシャル成長を施してもよい。waferS論理回路を作製した。circuit.【0252】またこのエピウエハ上にDRAM等を形成して品質、イールド、信頼性の向上を確認できた。(実施例9)比抵抗0.01Ω・cmのP型の第1の単結晶Si基板を、HF溶液中において陽極化成を行った。solution.【0253】陽極化成条件は以下のとおりであった。この基板を酸素雰囲気中400°Cで1時間酸化した。この酸化により多孔質Siの孔の内壁は熱酸化膜で覆われた。Siμmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。ベーキング工程を行ってもよい。layer.【0254】ここで投影飛程がエピタキシャル層/多孔質Si界面(あるいは多孔質Si/基板界面あるいは多孔質Si層中でもよい)になるように、第1の基板表面からイオン注入した。これによって、分離層として働く層が、投影飛程の深さの所に微小気泡層あるいは注入イオン種高濃度層による歪み層として形成された。range.【0255】そして、自然酸化膜を除去した同径のシリコンウエハに接触させ、1000°Cの熱処理を行って貼り合わせ、多層構造体を形成するとともに、分離した。separated.剥離後、第2の基板上にはエピタキシャル層が移設されていた。transferred.【0256】エピタキシャル層上には多孔質層がほとんど残留していなかったので、ウエットエッチングは行わず、水素アニール処理のみしてSOIウエハを得た。このSOIウエハを用いて、完全空乏型薄膜トランジスタを作製した。transistor.【0257】一方、剥離された第1の基板の剥離面を研磨してバルクウエハを得た。このバルクウエハを用いてCMOS論理回路を作製した。wafer.【0258】これらの実施例の第2の基板を貼り合わせる代わりに、第1の基板の最表面上にCVD等の堆積法により200μm〜800μm程度の多結晶シリコンを形成してもよい。これらの実施例以外にも一体となった構造体を複数に分割し、それぞれを固有のウエハとして、転用ないし機能させてもよい。substrateD法によりエピタキシャル成長層を11μmの厚さで形成した。この時、ウエハの厚みは、634μmであった。layerとエタノールの混合溶液中において陽極化成を行った。ethanol.【0260】陽極化成条件は以下の通りであった。よる断面観察により確認された。Deposition)法により単結晶Siを0.3μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。ベーキング工程を行ってもよい。1180°C−5minでアニールしたところ、貼り合わせは強固になった。firm.【0263】貼り合わせウエハを分離させたところ、高多孔度層で分割された。tension,せん断、楔、等の外圧をかける方法、超音波を印加する方法、熱をかける方法、酸化により多孔質Siを周辺から膨張させ多孔質Si内に内圧をかける方法、パルス状に加熱し、熱応力をかける、あるいは軟化させる方法等がある。そのどの方法でも分離することは可能であった。way.【0264】引き続いて、支持基板側をHFと過酸化水素水の混合水溶液に漬けたところ、およそ60分で表面に残留する多孔質シリコン層が除去され、SOIウエハが形成された。formed.【0265】さらに水素雰囲気中、1100°C、4時間の熱処理を施した。0.2nmで通常市販されているSiウエハと同等であった。Si酸化膜上に低欠陥密度の単結晶Si層が形成できた。layer,第2の基板表面に形成しても、あるいは、その両者に形成しても同様の結果が得られた。して第1のP型単結晶Si基板上の1μmのエピタキシャル層を水素アニールし、不純物濃度を低下させ、該基板を用いてCMOS論理回路を作製した。substrate.【0268】またこのエピウエハ上にDRAM等を形成して品質、イールド、信頼性の向上を確認できた。substrateD法によりエピタキシャル成長層を3μmの厚さで形成した。3.33μm/minで行った。layerとエタノールの混合溶液中において陽極化成を行った。ethanol.【0271】陽極化成条件は以下の通りであった。よる断面観察により確認された。Deposition)法により単結晶Siを0.3μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。ベーキング工程を行ってもよい。1180°C-5minでアニールしたところ、貼り合わせは強固になった。firm.【0274】貼り合わせウエハを分離させたところ、高多孔度層で分割された。tension,せん断、楔、等の外圧をかける方法、超音波を印加する方法、熱をかける方法、酸化により多孔質Siを周辺から膨張させ多孔質Si内に内圧をかける方法、パルス状に加熱し、熱応力をかける、あるいは軟化させる方法等がある。そのどの方法でも分離することは可能であった。way.【0275】引き続いて、支持基板側をHFと過酸化水素水の混合水溶液に漬けたところ、およそ60分で表面に残留する多孔質シリコン層が除去され、SOIウエハが形成された。formed.【0276】さらに水素雰囲気中、1100°C、4時間の熱処理を施した。0.2nmで通常市販されているSiウエハと同等であった。2.【0277】すなわち、Si酸化膜上に低欠陥密度の単結晶Si層が形成できた。layer,第2の基板表面に形成しても、あるいは、その両者に形成しても同様の結果が得られた。その後、第1のP型単結晶Si基板よりもボロン濃度の低いエピタキシャル層を成長させ、エピウエハとし、該エピウエハにCMOS論理回路を作製した。wafer.【0280】またこのエピウエハ上にDRAM等を形成して品質、イールド、信頼性の向上を確認できた。(実施例12)第1の単結晶Si基板上にCVDにより単結晶Siを1μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。