近年、GaNを中心としたIII族窒化物材料が注目され、発光素子(青~紫外)や、パワーデバイスの開発が進められています。これらのデバイス特性は製膜される薄膜の結晶性と関連がありますが、この結晶性を評価する方法としてX線ロッキングカーブ法が挙げられます。今回は、サファイア基板上に製膜されたGaNにおいて、そのチルト(成長方位の結晶軸の傾き)分布・ツイスト(表面面内の結晶軸の回転)分布を、ロッキングカーブ法(入射角ωスキャン、面内回転角φスキャン)にて評価しました。