1所示的B-B'线处的C-MOS剖面。借助于3×1015cm-2左右注入处理向N-MOS用Si岛6掺磷形成N+部分11(P-62)。如上所述,将产生差异。(图2所示的ΔS相等)。line-symmetric.进行干法蚀刻形成P沟部分栅极电极13和N沟部分栅极电极13'(P-64)。在P沟部分栅极电极13和N沟部分栅极电极13'的宽度尺寸上,就会产生差异(参看图2)。之后,N沟的N-部分14和P沟的N-部分14'的形成(P-65)以后,与说明实施例1的用图4的(P-11)到图5的(P-23)所说明的方法,是同样的。