お問い合わせ会員登録/ログイン検索内容を選んでください。検索内容を選んでください。Transistor"の頭文字をとったもので、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとも言われます。IGBTはパワー半導体デバイスのトランジスタ分野に分類されます。パワー半導体デバイスの特長パワー半導体デバイス(トランジスタ分野)でIGBTのほかに代表されるものに、MOSFET、BIPOLARなどがあり、これらは主に半導体スイッチとしての用途に使用されます。それぞれ対応できるスイッチング速度から、中速ではBIPOLAR、高周波領域ではMOSFETが適しています。IGBTは入力部がMOSFET構造、出力部がBIPOLAR構造のデバイスで、これらが複合化されたことにより、電子と正孔の二種類のキャリアを使うバイポーラ素子でありながら、低い飽和電圧(パワーMOSFETの低オン抵抗に相当)と、比較的速いスイッチング特性を両立させたトランジスタとなっています。比較的速いスイッチング特性にはなっていますが、パワーMOSFETに比べれば見劣りすることがIGBTの弱点となります。Transistor(電界効果トランジスタ)をいいます。BIPOLARバイポーラ(双極性)素子を使用したもので、p型とn型と呼ばれる2種類の半導体を、n-p-nやp-n-pと構成した、電流動作型のトランジスタをいいます。reserved.ロームWebサイトはCookieを使用しております。引き続きロームWebサイトを閲覧・利用することで、Cookieの使用に同意したものとみなします。Cookieおよび個人情報の取扱いに関しての詳細は、プライバシーポリシーをご覧ください。