在这里,用各个工艺中的C-MOS剖面进行表示。除去抗蚀剂90的图形的抗蚀剂(P-72)。90把N+部分27以外覆盖起来。接着,借助于3×1015cm-2左右注入处理向N-MOS用Si岛6中掺磷形成N+部分27(P-73)。除去抗蚀剂90(P-74)。90把N沟部分26以外覆盖起来。N-部分28(P-75)。除去抗蚀剂90(P-76)。90把P沟部分25以外覆盖起来。接着,借助于1015cm-2左右注入处理向P-MOS用Si岛7中掺硼形成P+部分29(P-77)。除去抗蚀剂90(P-78)。在这里,用各个工艺中的图9所示的C-C'线处的C-MOS剖面表示。LDD用的抗蚀剂90的图形(P-80)。