首先,在玻璃基板1上形成由氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)叠层构成的绝缘层2,形成无定形硅(a-Si)层3。3多晶硅(p-Si)化(工艺P-1,以下简记为P-1)。P-1).在涂敷抗蚀剂,并用光工艺形成了Si岛的抗蚀剂图形后,进行干法蚀刻形成Si岛4。接着,除去残留抗蚀剂。抗蚀剂未画出来(P-2)。以下,有时候也把'蚀刻处理'简称为'蚀刻'。'etching'.在Si岛4的上层上,用CVD法形成由氧化硅(SiO)构成的栅极绝缘层5。接着,为了进行N型的阈值控制,借助于进行第1次的离子注入(E注入1处理)掺入磷(P)形成N-MOS用Si岛6(P-3)。另外,以下有时候把'离子注入'简称为'注入'。2次离子注入(E注入2处理)向P-MOS用Si岛7部分内掺硼形成P-MOS用Si岛7(P-4)。N-MOS用Si岛6和P-MOS用Si岛7结晶化(P-5)。(P-5).用溅射法使由钼20wt%钨合金(Mo-20%W)构成的栅极金属层8成膜。9、9'的图形(P-6)。