(P-81).以该抗蚀剂90为掩模借助于3×1015cm-2左右注入处理向N-MOS用Si岛6中掺磷形成N+部分31(P-82)。N-部分32(P-83)。N沟部分26的部分覆盖起来(P-84)。(P-84).干法蚀刻P沟部分25的栅极金属层8形成P沟部分栅极电极33(P-85)。(P-85).借助于3×1015cm-2左右注入处理向P-MOS用Si岛7中掺硼形成P+部分34(P-86)。除去抗蚀剂90(P-87)。13和13'对准的对准部分35。C-MOS电路的高集成化。就可以构成有机EL显示装置。LDD构造,但是也可以在P型内形成。TFT,就可以高集成化。TFT的构成,但是并不限于p-Si。equal.7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,在上述P沟部分中,存在P+半导体区域和N-掺杂区域。region.8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,构成上述P沟部分的P+半导体区域的P+掺杂原子的浓度为1015cm-2左右,N-半导体区域的N-掺杂原子的浓度为1013cm-2左右。equal.17.根据权利要求12所述的显示装置,其特征在于,在上述P沟部分中存在P+半导体区域和N-掺杂区域。portion.18.根据权利要求17所述的显示装置,其特征在于,构成上述P沟部分的P+半导体区域的P+掺杂原子的浓度为1015cm-2左右,N-半导体区域的N-掺杂原子的浓度为1013cm-2左右。