N-部分14'(P-11)。灰化除去抗蚀剂(P-12)。P-MOS用Si岛7以外覆盖起来(P-13)。P-MOS.借助于1015cm-2左右逆注入处理向P-MOS用Si岛7中掺硼(Br)。借助于该处理,使P沟区域的N-部分14'改质为P+部分15(P-14)。3×1013cm-2左右的磷。(P-15).借助于以上的注入,P沟部分25,就成为存在着P+多晶硅半导体层和N-部分的构造。P+杂质原子的浓度为1015cm-2左右,N-部分中的N-杂质原子的浓度为1013cm-2左右。1013cm-2.用CVD法使由SiO构成的层间绝缘膜16成膜(P-16)。5烧结,使N-MOS用Si岛6和P-MOS用Si岛7激活化。