なんですか?入力中の回答があります。ページを離れますか?※ページを離れると、回答が消えてしまいますページを離れるA回答を続ける入力中のお礼があります。素子分離技術とはどういうものなのでしょうか?通報するこの質問への回答は締め切られました。通報するこの回答へのお礼どうもありがとうございました。自営業やフリーランスといった個人事業主の方、副業をされている方はこの時期になると確定申告のお悩みや疑問があるものです。今回は教えて!gooに寄せられた確定申告について質問の多かった代表的なQAをテーマごとにまとめてみました。自営業やフリーランスといった個人事業主の方、副業をされている方はこの時期になると確定申告のお悩みや疑問があるものです。今回は教えて!gooに寄せられた確定申告について質問の多かった代表的なQAをテーマごとにまとめてみました。半導体単結晶の成長技術についての質問です。回答数ランキングです。職業恋愛アドバイザー・婚活アドバイザーこの専門家の回答をチェック他の専門家の回答をチェックこのQ&Aを見た人が検索しているワード半導体STIこのQ&Aと関連する良く見られている質問QなぜSiプロセスではポリシリコンゲートを用いるのかSiプロセスに関しての質問です。現在のSi集積回路では、ゲートにポリシリコンを利用しているようですが、将来的にはメタルゲートが有望のようです。そこで質問なのですが、なぜポリシリコンをゲートに用いるのでしょうか?半導体の教科書でMIS構造を勉強するときには、当然ゲートはメタルです。Siプロセスでは、ポリシリコンが登場しているのでしょう。プロセスが大幅に簡単になる、コスト削減、といった理由でしょうか?ご教授いただけると幸いです。Aベストアンサーゲートを形成した後にも熱をかけたり酸化したりするプロセスがあるからです。ポリシリコンはこれらの後処理に対して金属と比較すると一般に安定なので、後処理に対する制約が少ないのです。ポリシリコンの弱点は比抵抗が高い事で、この弱点を克服するために高融点金属とのシリサイドが使われるようになりました。高融点金属をそのまま使う事ができれば抵抗は下がりますが、この場合は後工程の処理に特別な配慮が必要です。他の回答も見るQウエルの性質について全くの理科の事がわからず質問させていただきます。私は文型なのですが、少し半導体について興味があり本を購入しました。半導体の本の中で、Pウエル、Nウエルがありその中にP+、N+があるとかいていました。このP+とPウエルまたN+とNウエルの違いというのはどういったものなのでしょうか?また、僕の解釈ではP+、N+は導体、PウエルNウエルは絶縁体と解釈しているのですがあっているでしょうか?また、そういった物質の性質に詳しいHPがあれば教えていただきたいと思います。Aベストアンサーいろいろホームページを探したのですがなかなか無いですね。長くなりますが・・・まず、現在のCMOSはMOS-FETというトランジスタから構成されます。そのトランジスタはP型トランジスタ、N型トランジスタの2種類があり、これを直列または並列につなげることによって一つのゲートが作られます。ゲートというのはインバータやAND、OR回路です。P型トランジスタは、ゲート端子に0Vを印加するとP+とP+の間にP-chができて導通します。N型は5Vを印加するとN+とN+の間にN-chができて導通します。逆にN-chはP型である必要があります。現在のCMOSロジックLSIではP型トランジスタとN型トランジスタを組み合わせてゲートを作るため、Si基板を2つ用意しなければならないという状況に陥ってしまいます。現状、寄生ダイオードが出来てしまう関係で、P基板を使うのが主流となっています。P基板を使うとなると、P型トランジスタの形成が出来なくなります。ここで、N-Wellという溝を掘って、N基板があるように見せかけるのです。このようにしてP型、N型の両トランジスタを両立できるようにしてます。図があるとわかりやすいのですが、言葉であらわすとこんな感じです。P、P+、N、N+は、下の方の回答のように不純物の濃さを表します。P、Nが付けば、それは半導体です。P-Well、N-Wellは電気の流れから見ればダイオードの逆方向の向きになるよう作りこみますから、絶縁物と言っても良いかもしれません。ホームページを探したのですがなかなか無いですね。長くなりますが・・・まず、現在のCMOSはMOS-FETというトランジスタから構成されます。そのトランジスタはP型トランジスタ、N型トランジスタの2種類があり、これを直列または並列につなげることによって一つのゲートが作られます。ゲートというのはインバータやAND、OR回路です。P型トランジスタは、ゲート端子に0Vを印加するとP+とP+の間にP-chができて導通します。N型は5Vを印加するとN+とN+の間にN-chができて導通します。...続きを読む他の回答も見るQ半導体製造工程の酸化膜について半導体製造工程に用いられる保護膜で酸化膜(もちろんチッ化膜が主だと思いますが)があるとおもいますが、熱酸化で作られた酸化膜とCVDで作られた酸化膜とは膜自体の性能といいますか、特性といいますか、やはり違うのですか?違うとすれば、どう違うのですか?教えて下さい。前回答者と一部重複しておりますが、私の認識している範囲で。Siの中に酸素が拡散していくわけであり、良好なSiO2/Si界面をつくります(現在のMOSトランジスタの主流)。原子量比Si:O=1:2の理想的な酸化シリコンになりやすい。高温で形成されることから緻密。耐薬品性も良好(フッ酸によエッチング速度もCVDより遅い)。Si:O比は成膜条件に大きく依存。よって未結合の手も多数あり。その他の原子(反応ガスに含まれるH等)も多量に入る。したがってMOS用絶縁膜には向かない(でもTFT-LCDでは、その低温形成の特徴からMOSトランジスタに使われています)。耐圧も熱酸化より悪い。保護膜で用いられる場合はアルカリ金属のブロックの目的でリンを混ぜた酸化シリコン(PSG)を使うことが多いと思います。他の回答も見るQロードロックとはなんですか?論文を読んでいたら、装置の名前の一部に「ロードロック」というのがでてきました。インターネットで調べたのですが、どうも装置の名前の一部として当たり前のように使われており、ロードロック自体が何なのかよく分かりません。エッチング装置などに使われているロードロックとは何ですか?教えてください。Aベストアンサーその論文の詳細が分かりませんので、間違っていたらごめんなさいね。具体的にどうゆうものかは装置によると思ますが。真空蒸着をするとき、サンプルを入れ替えるのにいちいちチャンバー(ケース)を開けて真空を破っていたのでは効率が悪いので、サンプルを出し入れするためのチャンバーをもう1つ用意しておき、これと蒸着用チャンバーを太いパイプで繋げておきます。このパイプの中には外部から操作できる小さな気密開閉扉(ロードロック)があります。前のサンプル蒸着中に真空度を上げておきます。交換用チャンバーからサンプルを蒸着用チャンバーに移すといった具合です。マッチングBOXなどわからないものが盛りだくさんです。高周波電源、RF電源で検索にかけてもヒットするものはなく、図書館でもキーワード「高周波電源」では本が出てこないです。高周波電源の原理に関する文献などありましたら紹介してください。(装置のマニュアルにも原理はありませんでした)AベストアンサーNo.2のymmasayanです。「自励発振」という言葉と「高周波電源の原理」という言葉に惑わされて的外れの回答をしてしまったようです。発振方式には自励式と水晶式、PLL式などがあり、一方電源としては自励式と他励式があります。同じ自励式という言葉でも意味がぜんぜん違います。発振周波数13.56MHzということは水晶発振による自励式電源ですね。ここでいう自励式電源とは発振回路を内蔵している電源のことです。他励式というのは他の装置(発振回路)から信号をもらって増幅器だけを持つものをいいます。マッチング」で約120件ヒットします。マッチング」は無線機とケーブルとアンテナに関するものが詳しいと思います。No.2の参考URLで紹介した書籍にも第1章に載っています。マッチング」の話が載っています。参考URL:http://www.thp.co.jp/rf_pro/matching.htmNo.2のymmasayanです。「自励発振」という言葉と「高周波電源の原理」という言葉に惑わされて的外れの回答をしてしまったようです。発振方式には自励式と水晶式、PLL式などがあり、一方電源としては自励式と他励式があります。同じ自励式という言葉でも意味がぜんぜん違います。発振周波数13.56MHzということは水晶発振による自励式電源ですね。ここでいう自励式電源とは発振回路を内蔵している電源のことです。他励式というのは他の装置(発振回路)から信号をもらって増幅器だけを持つも...続きを読む他の回答も見るQ半導体のウェットエッチングでDHFとBHFを同じ槽で処理は可能?半導体のウェットエッチングで、DHFとBHF(BOE)を同じ槽で処理することは可能ですか?材質はPTFEです。液の交換では、純水で洗浄するぐらいですが・・・。量産だと規模にもよりますが、1)いちいち交換していられない、2)ライフを管理する必要がある(コスト!)ということで、可能か不可能化の前に最初から別槽を考えるべきですよ。単結晶シリコンウェハには(100)、(110)、(111)面の面方位のウェハがありますが、例えば(100)面のウェハの方向指数?<100>、<110>方向(原子から原子までの距離の違い?)がわかる方法というのはあるのでしょうか?また、(110)、(111)面のウェハでも方向指数がわかる方法はあるでしょうか?できれば、教えていただきたいです。参考になるサイトなどがあればURLでも結構です。AベストアンサーSi単結晶のX線回折測定といっても色々な種類があります。行いたい測定によって、必要とされる装置も異なってきます、メールからは読み取りにくいので一般論で書いてみます。1、単純に今お手持ちのウエハの面方位を知りたいのでしたら、通常のXRDでも測定可能です。管球がCuでしたら2θを、(100)でしたら69.2°(110)なら47.3°(111)なら28.5°に固定し、DSは出来るだけ細くして、RSとSSはOPENにして、θ単独スキャン測定を行います。測定角度は上記2θ角の半分±5°位で良いと思います(例えば(100)なら29.6°~39.6°等)設定した2θ角とサンプルの面方位が合っていればピークが得られますし、合ってなければピークは何も出ません。Siウエハには4°OFFという種類のウエハがあり、このタイプの場合サンプルを90°づつ回して測定しないと、ピークが得られない事があります。2、例えば(100)サンプルを使用して、(110)や(111)の反射を測定したいということになりますと、サンプルをあおり方向や回転方向に動かさないと、ピークが得られませんので(軸たてと言います)、前後あおり回転方向に移動制御可能な試料ステージが必要になります。3、(100)サンプルの(110)や(111)反射が、理論的にどの方向に出るかが判ればよろしいのでしたら、ステレオ投影図と言うものがあります、印刷されたものの他にフリーソフトなどもあるようです。4、ウエハの結晶性やエピ層の評価をしたいとなりますと、通常のXRDでは無理で、薄膜測定専用の装置が必要になってしまいます。5、Si半導体メーカーは、通常のXRDのような汎用機では無く、ラインのそれぞれの工程ごとに、専用のX線装置を何種類も持っていて、方位や角度ズレを測定をして管理しています。Si単結晶のX線回折測定といっても色々な種類があります。行いたい測定によって、必要とされる装置も異なってきます、メールからは読み取りにくいので一般論で書いてみます。1、単純に今お手持ちのウエハの面方位を知りたいのでしたら、通常のXRDでも測定可能です。管球がCuでしたら2θを、(100)でしたら69.2°(110)なら47.3°(111)なら28.5°に固定し、DSは出来るだけ細くして、RSとSSはOPENにして、θ単独スキャン測定を行います。半導体のウェットエッチングで...新規登録・ログインgooIDで新規登録・ログインログイン新規登録(無料)人気Q&Aランキングデイリーマンスリーモールス信号って素人でも調べ...警察の対処と画像解析の技術に...ウェブページの一部だけ更新す...4IT関連?5蒸気エンジンは自分で作ること...61アンペアは何ミリアンペアで...7素朴な疑問です。無知で...13単位につける括弧14なぜ、太陽系の天体は、全て同...15月の重力16川の内側と外側の流れの速さの違い17岡山理科大学の生物地球学部に...18北半球が冬、南半球が夏の時、...19タイムリープって成功率はどれ...20大砲の最大射程距離は何キロで...素人です。Inc.Q質問する(無料)Q&A検索goo検索gooIDで新規登録・ログイン新規登録する(無料)会員の方はこちら外部サービスのアカウントで新規登録・ログインYahoo!で新規登録・ログインGoogleで新規登録・ログインTwitterで新規登録・ログインFacebookで新規登録・ログインdアカウントで新規登録・ログイン※各種外部サービスのアカウントをお持ちの方はこちらから簡単に登録できます。お客様の許可なしに外部サービスに投稿することはございませんのでご安心ください。会員でない方、会員になるとあなたも質問や回答ができるようになります!!親切・丁寧な回答が集まる場30分以内に回答がもらえ回答数は平均3件!匿名(ニックネーム)での投稿なので。