【請求項6】前記トレンチの第1の側の前記拡散層がソース領域であり、前記トレンチの前記第1の側と反対の第2の側の前記拡散層がドレイン領域である、請求項5記載の素子。域を含み、前記分離領域により領域限定される活性領域とを含む、請求項6記載の素子。張部分の厚さが、前記トレンチの前記底部の一部の下側の前記拡散伸張部分の厚さより大きいか等しい、請求項1記載の素子。域およびドレイン領域の各々の一部となる拡散伸張部分を形成するステップとを含む、方法。接する基板部分、及び前記トレンチの前記底部の一部または前記段差領域に隣接する基板部分に生成するステップとを含む、請求項15記載の方法。h)前記誘電層により前記基板から分離された前記トレンチ内に、前記電界効果トランジスタのゲート電極として機能する導体を配置するステップとを含む、方法。【請求項19】前記拡散性ドーパント層が添加ガラスから成る、請求項18記載の方法。