1EDS5663Hを使用することで、最適な駆動を実現できます。これらの製品は、堅牢で高効率な高耐圧GaNスイッチ動作を行うと同時に、研究開発にかかる労力、および市場投入までの時間をも削減します。広範囲のスイッチング周波数とデューティサイクルにわたり、設定可能で一定したGaNスイッチングスルーレート。堅牢で高効率なSMPS設計および短期間で市場投入が可能。高消費電力向け表面冷却機能を備えたGaNトランジスタほぼ全てのコンバータおよびインバータアプリケーション向けのビルディング・ブロックとして、ユニバーサル・ハーフブリッジトポロジーのGaN評価プラットフォームを提供します。