窒化ガリウム(GaN)には、シリコンを凌ぐ基本的な利点があります。GaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性です。HEMTは、高速スイッチングに最適です。窒化ガリウム(GaN)には、シリコンを凌ぐ基本的な利点があります。HEMTは高速スイッチングに適しています。エンハンスモードのコンセプトは、チップまたはパッケージレベルでの統合への優れた方法を提供すると同時に、ターンオンおよびターンオフを高速化します。CoolGaNTMを使用すれば、ハーフブリッジトポロジをシンプルにすることができます。エンハンスモードは、マルチチップ統合に適しています。強化モードに基づくソリューションが成熟化するにつれて、使いやすさとソリューション・コストに優れたソリューションとなります。600Vシリーズは、GaNに特化した特定認定プロセスに従って実現されており、市場で最も堅牢で信頼性の高いソリューションです。CoolGaNTMの製品ラインナップは、高い性能を発揮するSMDパッケージをベースとした、GaNのメリットを最大限に活用した製品群となっています。主な特長はズバリ、600Vパワーデバイスで最高のFOMハード・スイッチング・トポロジーとソフトスイッチング・トポロジーに最適です。