よってON/OFFするスイッチと見立てることができます。制御を行うことができます。スイッチング作用FET(電界効果トランジスタ)トランジスタはベースに流す電流の変化によってコレクタ電流を制御しますが、FET(電界効果トランジスタ)は、加える電圧の変化によって電流の流れを制御するトランジスタです。FETは内部の構造によって接合形と絶縁ゲート形(MOS形)に大別することができます。pチャネルとnチャネルに分けることができます。接合形FET接合形FETは、n形けい素単結晶に置いたp形ゲートに加える制御電圧の大きさを変えることにより、空乏層を広げたり狭めたりして電流を制御することができます。次の図は、接合形nチャネルFETに電圧を加えた例を示します。加わっているので、これによりpn接合面に空乏層が発生しています。n形半導体中を通過しますが、空乏層領域には流れません。制御できることになります。よって流れるゲートーソース間の電流は、ダイオードの逆方向と同様に極めて小さいため、FETは非常に大きな入力抵抗を持つと考えることができます。