「ピンチオフ電圧」といいます。負の領域で使用するFETを「デプレッション形」といいます。正の領域で使用するFETを「エンハンスメント形」といいます。接合形FETについては、デプレッション形のみになります。絶縁ゲート形(MOS形)FETMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)形FETは、酸化膜を介して電極を取り付けた構造をしており、入力抵抗は接合形よりさらに大きくなっています。一般の半導体ではp形とn形の接合層を利用していますが、MOSは金属と半導体の間にけい素酸化物などの極めて薄い絶縁層を挟んでいます。MOS形はデプレッション形とエンハンスメント形に分類できます。トランジスタは、ベース領域内で少数キャリアと多数キャリアの相互作用でコレクタ電流を制御しているのに対し、FETでは単一に多数キャリアのみでドレイン電流を制御しています。このことから、トランジスタを「バイポーラトランジスタ」、FETを「ユニポーラトランジスタ」と呼びます。)チャネルFETを示す。上記の記述中の空白箇所(ア)、(イ)、(ウ)に記入する字句として、正しいものを組み合わせたのは次のうちどれか。)チャネルFETを示す。答え(1)2001年(平成13年)問6発光ダイオード(LED)に関する次の記述のうち、誤っているのはどれか。主として表示用光源及び光通信の送信部の光源として利用されている。表示用として利用される場合、表示用電球より消費電力が小さく長寿命である。ひ化ガリウム(GaAs)、りん化ガリウム(GaP)等を用いた半導体接合部を利用する。発光ダイオードの順方向の電圧降下は、一般に0.2[V]程度である。発光ダイオードの順方向の電圧降下は、一般に2[V]で、電流は10[mA]程度です。従って(5)の記述が誤りです。答え(5)2003年(平成15年)問10バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)に関する記述として、誤っているのは次のうちどれか。バイポーラトランジスタは、消費電力がFETより大きい。バイポーラトランジスタは電圧制御素子、FETは電流制御素子といわれる。バイポーラトランジスタの入力インピーダンスは、FETのそれよりも低い。バイポーラトランジスタのコレクタ電流は自由電子及び正孔の両方が関与し、FETのドレーン電流は自由電子又は正孔のどちらかが関与する。バイポーラトランジスタは、静電気に対してFETより破壊されにくい。過去問解説バイポーラトランジスタは電流制御素子で、FETは電圧制御素子です。従って(2)の記述が誤りです。答え(2)2004年(平成16年)問10電界効果トランジスタ(FET)に関する記述として、誤っているものは次のうちどれか。接合形とMOS形に分類することができる。ドレーンとソースとの間に電流の通路には、n形とp形がある。MOS形はデプレッション形とエンハンスメント形に分類できる。エンハンスメント形はゲート電圧に関係なくチャネルができる。ゲート電圧で自由電子又は正孔の移動を制限できる。過去問解説MOS形のエンハンスメント形は、ゲート電圧が加わっていなとチャネルが構成されません。従って(4)の記述が誤りです。答え(4)2005年(平成17年)問10半導体素子に関する記述として、誤っているのは次のうちどれか。サイリスタは、p形半導体とn形半導体の4層構造を基本とした素子である。可変容量ダイオードは、加えている逆方向電圧を変化させると静電容量が変化する。演算増幅器の出力インピーダンスは、極めて小さい。pチャネルMOSFETの電流は、ドレーンからソースに流れる。ホトダイオードは、光が照射されると、p側に正電圧、n側に負電圧が生じる素子である。オペアンプといわれ、入力インピーダンスは大きくても小さくても対応できるようになっています。出力インピーダンスは大きな負荷が接続できるように、小さなインピーダンスになっています。pチャネルMOSFETのチャネル内のキャリアは、ソースからドレーンに向けて移動します。ドレーンは負の電極を接続し正孔の吐き出し口として、ソースは正の電極を接続して正孔の供給口になります。電流の向きがドレーンからソースに向かう方向となります。従って(3)の記述が誤りです。答え(4)2007年(平成19年)問11次の文章は、それぞれのダイオードについて述べたものである。可変容量ダイオードは、通信機器の同調回路などに用いられる。)電圧を加えて使用するものである。)電圧を加え、その値を大きくしていくと、降伏現象が起きる。この降伏電圧付近では、流れる電流が変化しても接合両端の電圧はほぼ一定に保たれる。定電圧ダイオードは、この性質を利用して所定の定電圧を得るようにつくられたダイオードである。)電圧を加えて使用するものである。上記の記述中の空白箇所(ア)、(イ)及び(ウ)に当てはまる語句として、正しいものを組み合わせたのは次のうちどれか。ダイオードは、通信機器の同調回路などに用いられる。)電圧を加えて使用するものである。)電圧を加え、その値を大きくしていくと、降伏現象が起きる。この降伏電圧付近では、流れる電流が変化しても接合両端の電圧はほぼ一定に保たれる。定電圧ダイオードは、この性質を利用して所定の定電圧を得るようにつくられたダイオードである。)電圧を加えて使用するものである。答え(5)2011年(平成23年)問11次の文章は、電界効果トランジスタに関する記述である。図に示すMOS電界効果トランジスタ(MOSFET)は、p形基板表面にn形のソースとドレーン領域が形成されている。ゲート電極は、ソースとドレーン間のp形基板表面上に薄い酸化膜の絶縁層(ゲート酸化膜)を介して作られている。これによりソースSとドレーンDが接続される。)チャネルMOSFETと呼ばれている。図に示すMOS電界効果トランジスタ(MOSFET)は、p形基板表面にn形のソースとドレーン領域が形成されている。ゲート電極は、ソースとドレーン間のp形基板表面上に薄い酸化膜の絶縁層(ゲート酸化膜)を介して作られている。これによりソースSとドレーンDが接続される。)チャネルMOSFETと呼ばれている。答え(1)2012年(平成24年)問11半導体集積回路(IC)に関する記述として、誤っているものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。ICは、MOSFETを中心としてつくられたICである。ICを構造から分類すると、モノリシックICとハイブリッドICに分けられる。ICは、nチャネルMOSFETのみを用いて構成されるICである。アナログICには、演算増幅器やリニアICなどがある。ハイブリッドICでは、絶縁基板上に、ICチップや抵抗、コンデンサなどの回路素子が組み込まれている。過去問解説CMOSは相補形MOSのことで、P形とN形のMOSFETをディジタル回路の論理ゲート等で相補的に利用する回路方式やICです。MOSFETを相補的に用いることをいいます。従って(3)の記述が誤りです。答え(3)2014年(平成26年)問12半導体のpn接合を利用した素子に関する記述として、誤っているものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。ダイオードにp形が負、n形が正となる電圧を加えたとき、p形、n形それぞれの領域の少数キャリヤに対しては、順電圧と考えられるので、この少数キャリヤが移動することによって、極めてわずかな電流が流れる。pn接合をもつ半導体を用いた太陽電池では、そのpn接合部に光を照射すると、電子と正孔が発生し、それらがpn接合部で分けられ電子がn形、正孔がp形のそれぞれの電極に集まる。その結果、起電力が生じる。発光ダイオードのpn接合領域に順電圧を加えると、pn接合領域でキャリヤの再結合が起こる。再結合によって、そのエネルギーに相当する波長の光が接合部付近から放出される。定電圧ダイオード(ツェナーダイオード)はダイオードにみられる順電圧・電流特性の急激な降伏現象を利用したものである。空乏層の静電容量が、逆電圧によって変化する性質を利用したダイオードを可変容量ダイオード又はバラクタダイオードという。逆電圧の大きさを小さくしていくと、静電容量は大きくなる。定電圧ダイオード(ツェナーダイオード)はダイオードにみられる逆電圧・電流特性の急激な降伏現象を利用したものです。従って(4)の記述が誤りです。答え(4)2015年(平成27年)問11次の文章は、半導体レーザ(レーザダイオード)に関する記述である。レーザダイオードは、図のような3層構造を成している。)層といい、この層は上部のp形層及び下部のn形層とは性質の異なる材料で作られている。前後の面は半導体結晶による自然な反射鏡になっている。)層の自由電子が正孔と再結合して消滅するとき光を放出する。)放出が起き、同じ波長の光が多量に生じ、外部にその一部が出力される。)放出が誘起されるので、強い同位相のコヒーレントな光が得られる。)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。過去問解説レーザダイオードは、図のような3層構造を成している。)層といい、この層は上部のp形層及び下部のn形層とは性質の異なる材料で作られている。前後の面は半導体結晶による自然な反射鏡になっている。)層の自由電子が正孔と再結合して消滅するとき光を放出する。)放出が起き、同じ波長の光が多量に生じ、外部にその一部が出力される。)放出が誘起されるので、強い同位相のコヒーレントな光が得られる。ついて、初心者の方でも解りやすいように、基礎から解説しています。電験3種の試験で、実際に出題された過去問題も解説しています。電験三種の機械で出題される直流機の電機子反作用について、初心者の方でも解りやすいように、基礎から解説しています。電験三種の試験で、実際に出題された過去問も解説しています。電験三種の機械で出題される変圧器の原理と構造について、初心者の方でも解りやすいように、基礎から解説しています。電験三種の試験で、実際に出題された過去問も解説しています。電験三種の機械で出題される三相同期発電機の出力と並行運転について、初心者の方でも解りやすいように、基礎から解説しています。電験三種の試験で、実際に出題された過去問も解説しています。「電験三種の資格を取得しよう」と思ったことがある人は分かると思いますが、非常に難易度の高い資格です。「本当にそんなに難易度の高い資格なのでしょうか?」「どれだけ難しいのでしょうか?」といった疑問を持たれた方も多いと思います。電験三種の機械で出題される変圧器の電圧変動率について、初心者の方でも解りやすいように、基礎から解説しています。電験三種の試験で、実際に出題された過去問も解説しています。コメントをキャンセルメールアドレスが公開されることはありません。date*日本語が含まれない投稿は無視されますのでご注意ください。(2019/4/21時点)スポンサーリンク。