前記熱酸発生剤は、通常50〜450°C、好ましくは200〜350°Cに加熱することにより酸を発生する化合物である。スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩等のオニウム塩が挙げられる。ヘキサフルオロアンチモネート等の置換ベンジルスルホニウム塩;等が挙げられる。ヘキサフルオロアンチモネート等のベンジルベンゾチアゾリウム塩が挙げられる。前記以外の熱酸発生剤として、2,4,4,6−テトラブロモシクロヘキサジエノンを挙げることもできる。ヘキサフルオロアンチモネート等が好ましく用いられる。SI−L85、同SI−L110、同SI−L145、同SI−L150、同SI−L160(三新化学工業(株)製)等が挙げられる。【0068】また、前記光酸発生剤は、通常1〜100mJ、好ましくは10〜50mJの紫外光照射により酸を発生する化合物である。これらの酸発生剤は単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。前記酸発生剤の含有量は、ポリシロキサン(A)の固形分100質量部に対して、0.1〜10質量部であることが好ましく、より好ましくは0.1〜5質量部である。塩基発生剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、トリフェニルスルホニウム化合物、トリフェニルメタノール;ベンジルカルバメート及びベンゾインカルバメート等の光活性なカルバメート;o−カルバモイルヒドロキシルアミド、o−カルバモイルオキシム、アロマティックスルホンアミド、アルファーラクタム及びN−(2−アリルエチニル)アミド等のアミド;オキシムエステル、α−アミノアセトフェノン、コバルト錯体等を挙げることができる。なかでも、下記一般式(f1)で表される光塩基発生剤(F1);2−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン、N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)ピロリジン、ビス[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキサン1,6−ジアミンから選ばれるカルバメート系の光塩基発生剤(F2);トリフェニルメタノール、o−カルバモイルヒドロキシルアミド、o−カルバモイルオキシム、4−(メチルチオベンゾイル)−1−メチル−1−モルホリノエタン、(4−モルホリノベンゾイル)−1−ベンジル−1−ジメチルアミノプロパン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン、ヘキサアンミンコバルト(III)トリス(トリフェニルメチルボレート)が好ましく用いられ、光塩基発生剤(F1)、光塩基発生剤(F2)がより好ましく用いられ、光塩基発生剤(F1)が特に好ましく用いられる。【0072】[式中、R41〜R43はそれぞれ独立してアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を示し;n1〜n3はそれぞれ独立して0〜3の整数である。一般式(f1)中、R41〜R43で示されるアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖又は分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基が特に好ましい。アルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖又は分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。ヨウ素原子等が挙げられ、なかでもフッ素原子が最も好ましい。一般式(f1)中、n1〜n3は、それぞれ独立して0〜3の整数であり、好ましくは、それぞれ独立して0〜1である。なかでも、n1〜n3のいずれもが0であるものが最も好ましい。光塩基発生剤(F1)の好適な具体例としては、下記式(f1−1)で表される化合物が挙げられる。【0076】また、光塩基発生剤(F2)のなかでも好適なものとしては、本発明の効果の点から、2−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメートが最も好ましい。これらの酸発生剤は単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。前記酸発生剤の含有量は、ポリシロキサン(A)の固形分100質量部に対して、0.1〜10質量部であることが好ましく、より好ましくは0.1〜5質量部である。以下、実施例を挙げて、本発明を更に具体的に説明する。本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。この実施例の記載における「部」及び「%」の記載は、特記しない限り質量基準である。合成例で得られるケイ素含有樹脂の重量平均分子量(Mw)の測定は、下記の方法により行った。【0078】<重量平均分子量(Mw)の測定>東ソー社製のGPCカラム(商品名「G2000HXL」2本、商品名「G3000HXL」1本、商品名「G4000HXL」1本)を使用し、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、カラム温度:40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)により測定した。窒素置換された石英製三口フラスコ内に、20%マレイン酸水溶液2.14g及び超純水139.6gを加えて65°Cに加熱した。テトラメトキシシラン25.7g(0.169モル)、メチルトリメトキシシラン206.7g(1.52モル)、及び3−エトキシ−2−プロパノール25.9gを混合した溶液を1時間かけて反応容器に滴下し、65°Cで4時間撹拌させた。この反応液を室温まで戻し、固形分濃度が25%となるまで減圧下で濃縮し、ケイ素含有樹脂溶液440gを得た。この樹脂溶液中における樹脂をケイ素含有樹脂とする(構成単位は下式参照)。前記ケイ素含有樹脂のMwは8600であった。実験例1(絶縁パターン形成材料1の調製)合成例1で得られた重合体1に固形分濃度が4%になるまで4−メチル−2−ペンタノールを添加し、3時間撹拌した後、孔径0.03μmのフィルターを使用して濾過することにより絶縁パターン形成材料1を調製した。【0082】[不溶化樹脂組成物の製造]出発原料としてp−ヒドロキシフェニルメタクリルアニリド92g、t−ブトキシスチレン46g、ヒドロキシブチルアクリレート13g、及びアゾビスイソブチロニトリル12.8gを使用し、これらの化合物をイソプロパノール600gに溶解し、還流条件(82°C)にて6時間重合反応を行なった。反応容器を流水にて冷却した後、イソプロパノール(IPA)150gを投入し、4500gのメタノール中に撹拌しながら投入し、再沈後、吸引ろ過を行った。この再沈操作(IPA投入〜吸引ろ過)を4回繰り返した後、50°Cで真空乾燥した。その結果、下記式で表される繰り返し単位を有し、p−ヒドロキシフェニルメタクリルアニリド/t−ブトキシスチレン/ヒドロキシブチルアクリレート=58/32/10(モル比)、Mwが5,400、及びMw/Mnが1.6である重合体121g(収率81%)得た。得られた重合体100部に対して、架橋剤として商品名「ニカラックMX−750」(日本カーバイド社製)を30部配合し、固形分濃度が5%になるまで1−ブタノールを加え、3時間撹拌した後、孔径0.03μmのフィルターを使用して濾過することにより不溶化樹脂組成物1を調製した。実験例2(絶縁パターンの形成)8インチシリコンウエハにレジスト組成物〔JSR(株)製、商品名「AR230JN」、以下同じ〕を塗布し、126°Cで90秒間乾燥した。この際得られたレジスト膜の膜厚は150nmに制御した。その後、ArFエキシマレーザ照射装置〔(株)ニコン製〕を用い、ArFエキシマレーザ(波長193nm)をドットパターンを有する石英製マスクを介して、前記レジスト膜が形成された基板に14mJ照射した。基板を126°Cで90秒間加熱した。その後、2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で40秒間現像処理を行い、水洗し、乾燥して、基板上にドット径0.100μmの1:2ドット・アンド・スペースパターン(以下、「レジストパターン1」ともいう)を得た。前記レジストパターン1上及びパターン間に、絶縁パターン形成材料1をスピンコーターによって塗布し、140°Cのホットプレートで1分間加熱することにより、膜厚200nmの絶縁材料層1を形成した。得られた絶縁材料層1に対して2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で20秒間現像処理を行い、水洗し、乾燥して、レジストパターン1の上表面を露出させた。基板を160°Cで90秒間加熱し、絶縁材料層1を乾燥させた。絶縁材料層1上に、レジスト組成物を膜厚150nmで塗布し、126°Cで90秒間乾燥後、前記ArFエキシマレーザ照射装置を用い、ArFエキシマレーザ(波長193nm)をラインパターンを有する石英製マスクを介して、前記レジスト膜が形成された基板に17mJ照射した。基板を126°Cで90秒間加熱した。その後、2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で40秒間現像処理を行い、水洗し、乾燥して、絶縁材料層1上にライン径0.100μmの1:2ライン・アンド・スペースパターン(1L2S)(以下、「レジストパターン2」ともいう)を得た。前記レジストパターン2上及びパターン間に、絶縁パターン形成材料1をスピンコーターによって塗布し、140°Cのホットプレートで1分間加熱することにより、膜厚200nmの絶縁材料層2を形成した。得られた絶縁材料層2に対して2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で20秒間現像処理を行い、水洗し、乾燥して、レジストパターン2の上表面を露出させた。前記ArFエキシマレーザ照射装置を用い、ArFエキシマレーザ(波長193nm)を基板全面に34mJ照射した後、基板を160°Cで90秒間加熱した。(株)axcelis社製〕を用い、酸素分圧0.01kPaのチャンバー内にて、ホットプレート上で400°Cで加熱しながら、紫外線を8分間照射することでデュアルダマシン構造を有する絶縁パターンを得た。用い、酸素分圧0.01kPaのチャンバー内にて、ホットプレート上で400°Cで加熱しながら、紫外線を8分間照射し、硬化膜を得た。得られた膜に、蒸着法によりアルミニウム電極パターンを形成し、比誘電率測定用サンプルを作成した。該サンプルについて、周波数100kHzの周波数で、アジデント社製、「HP16451B電極」及び「HP4284AプレシジョンLCRメーター」を用いてCV法により膜の比誘電率を測定したところ、室温(23°C)でのk値は2.7、200°Cでのk値は2.5であった。スピンコーターによって塗布し、膜厚200nmとなるように塗布した後、140°Cのホットプレートで1分間加熱した。その後、2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で60秒間現像処理を行い、水洗し、乾燥して、表面に不溶化膜が形成されたレジストパターン1を得た。実験例1と同様にして絶縁材料層1を形成し、レジストパターン1の上表面を露出させた。基板を160°Cで90秒間加熱し、絶縁材料層1を乾燥させた。絶縁材料層1上に、実験例1と同様にして、レジストパターン2を得た。実験例1と同様にして、絶縁材料層2を形成し、レジストパターン2の上表面を露出させた。Me」〕を用いてレジスト組成物を除去した。(株)axcelis社製〕を用い、酸素分圧0.01kPaのチャンバー内にて、ホットプレート上で400°Cで加熱しながら、紫外線を8分間照射することでデュアルダマシン構造を有する絶縁パターンを得た。実験例4実験例1と同様にしてレジストパターン1を得た後、当該レジストパターン1に対してArFエキシマレーザ照射装置を用いてArFエキシマレーザを34mJ照射し、基板を180°Cで2分間加熱して溶剤不溶化処理を行った。実験例1と同様にして絶縁材料層1を形成し、レジストパターン1の上表面を露出させた。基板を160°Cで90秒間加熱し、絶縁材料層1を乾燥させた。絶縁材料層1上に、実験例1と同様にして、レジストパターン2を得た。実験例1と同様にして、絶縁材料層2を形成し、レジストパターン2の上表面を露出させた。前記ArFエキシマレーザ照射装置を用い、ArFエキシマレーザ(波長193nm)を基板全面に34mJ照射した後、基板を160°Cで90秒間加熱した。(株)axcelis社製〕を用い、酸素分圧0.01kPaのチャンバー内にて、ホットプレート上で400°Cで加熱しながら、紫外線を8分間照射することでデュアルダマシン構造を有する絶縁パターンを得た。Reserved.1。