【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置用パッケージに関し、特にメタルボールグリッドアレイパッケージ(以下、MBGAPと記す)に関する。薄膜が張られている3層導体基板を使用する。導体基板の材料構成は、両面の導体は原則的に同じ材料を用い一般的には銅が用いられている。絶縁フィルムはポリイミドが一般的であるがエポキシ樹脂を用いることもある。露光・エッチング技術を用いてパターン形成、ビア形成しビアを埋めるためのめっき技術を用いてMBGAPを形成する。そのパッケージ製造手順について説明する。造体基板の金属薄膜側に70μmのビア1を形成するためのパターンニングとエッチングをする。次に、銅薄膜をマスクとしてビア1部分のポリイミド8を強アルカリで除去する。続いて、銅配線2を上記方法でつくる。線と繋がるランド3の中にビア1が形成され、この後メタル基板4をめっき電極としてビア1を銅めっきをして埋め込み各配線パターンとメタル基板4を接続する。次に、メタル基板4に電極5形成するために同様の方法で環状溝6を形成する。この後に無電解のニッケル3〜5μm、金0.5μmのめっきをして従来のメタルベースのMBGAPの基板が完成する。子電極(図示せず)と銅配線2とを接続する。導体素子9ポリイミド8上のビア1をエポキシ樹脂による樹脂封止12又は金属キャップによるキャップ封止13を行うことによって従来のMBGAPが完成する。熱板兼平坦性を確保することができることが特徴である。線ができず多ピン化が難かしいという欠点があった。極の互換のものが設計も製造も可能な半導体装置用パッケージを提供することにある。線基板に前記半田バンプを露出させる半田バンプ穴を有し、放熱用半田ボール接着部を残して全面に封止樹脂が被覆された前記メタル基板とを接着したことを特徴とする。【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。【0010】図1は本発明の第1の実施の形態のMBGAPの一部切欠き斜視図、図2は図1の底面図、図3は図1の断面図である。素子9が接着され、金属細線11で素子電極(図示せず)とボンディングステッチ14間が接続されている。このメタル基板4上のポリイミド8上の半導体素子9は周囲全体を樹脂封止12または金属キャップ封止13で覆われている。田ボール7が形成されている。続用電極5に対応して半田ボール7が接続されている。半導体素子9の下には放熱用半田ボール16が取り付けられている。この放熱用半田ボール16は、メタル基板4に直接接続されている。銅箔ポリイミドフィルム配線基板17は、表面と裏面の両面を配線に使用しビア1で両面の接続を行っているので、ボンディングステッチ14からビア1を介して表面と裏面が交差する配線でも配線が可能になるという特徴がある。板の接着状態を示す斜視図である。本発明の第1の実施の形態のMBGAPの製造方法は、まず、図4に示すように、20〜50μm厚のポリイミドフィルムの両面に35〜50μm厚の銅箔を積層した3層銅箔ポリイミドフィルム配線基板17を形成する。面側(下側)に半田バンプ接続用電極(図示せず)を設ける。その方法として、まず、銅箔とポリイミドからなる3層銅箔ポリイミドフィルム配線基板17の銅薄膜に直径70μmのビア1を形成するためのパターンニングとエッチングをする。次に、銅薄膜をマスクとしてビア1の部分のポリイミド8を強アルカリで除去する。次に、表面と裏面の銅配線をフォトレジスト・露光・エッチング技術を用いてパターン形成をする。裏の銅配線を接続する。この方法によって、ボンディングステッチ14と半田バンプ接続用電極5が平面的には交差するものが両面を使用するためにその交差を回避することができる効果がある。加工した3層銅ポリイミドフィルム17の裏面の半田バンプ接続用電極5の位置に対応する半田バンプ穴15をパターンニングしエッチングした状態である。板の表裏面と半田バンプ穴15の全表面に液状エポキシ樹脂20を薄く塗布し図4で製作した3層銅箔ポリイミドフィルム17を張り合わせ加熱硬化して接着剤18で接着する。この様にして本発明のMBGAPが完成する。【0013】図7は本発明の第2の実施の形態のMBGAPの一部切欠き斜視図、図8は図7の底面図、図9は図7の断面図である。続用電極5が半導体素子9の真下にまで存在し、メタル基板4の半田バンプ穴15が同様に半導体素子9の真下にも存在するように構成されていることである。このように構成することにより、多ピン化が可能となる。【発明の効果】以上のように3層銅箔ポリイミドフィルム配線基板の両面をビア介をして接続して配線領域としているので1層平面配線である場合のボンディングステッチと電極が交差する場合も回避でき、従来のMBGAPと同等の性能で多ピン化が容易に実現可能となる特徴を有している。【図2】図1の底面図である。【図3】図1の断面図である。【図4】図3の3層銅箔ポリイミドフィルム配線基板の斜視図である。【図5】図3のメタル基板の斜視図である。【図6】3層銅箔ポリイミドフィルム配線基板とメタル基板の接着状態を示す斜視図である。【図8】図7の底面図である。【図9】図7の断面図である。【図10】従来のMBGAPの一部切欠き斜視図である。【図11】図10の底面図である。【図12】図10の断面図である。着したことを特徴とする半導体装置用パッケージ。徴とする請求項1記載の半導体装置用パッケージ。