100的键合设置键合层104。SOI层102且污染SOI层102。I原子%至10原子%的氢。RBS·及HFS测量时,作为浓度范围,其包含5原子%至30原子%的氧、20原子%至55原子%的氮、25原子%至35原子%的Si、10原子%至30原子%的氢。图2B表示在支撑衬底100上设置键合层104的结构。优选在支撑衬底100和键合层104之间设有阻挡层125。另外,SOI层102形成有氧化硅膜121。该氧化硅膜121与键合层104形成键合,从而在支撑衬底100上固定SOI层102。3A至3C和图4进行说明。该SOI层为5nm至500nm,优选为IOnm至200nm的厚度。H+、H2+、H3+离子。