(当在模型I中的H+的个数为I的情况下,在模型5中的H3+的个数大约为14以上且15以下)。可以接受起因于H3+的多个优点。因此,可以提高SOI衬底的成品率。(H+离子、H2+离子、H3+离子)的总量,H3+离子的比率大约为80%。在300nm附近观察到来源于H3+离子的陡峭的峰。其中,在注入工序中所述H3+离子的比率比所述H+离子的比率高,并且其中,在注入工序中所述H3+离子的比率比所述H2+离子的比率高。其中,在注入工序中所述H3+离子的比率比所述H+离子的比率高,并且其中,在注入工序中所述H3+离子的比率比所述H2+离子的比率高。3)、以及三(二甲基氨基)硅烷(化学式SiH(N(CH3)2)3)中的一种。其中,在注入工序中所述H3+离子的比率比所述H+离子的比率高,并且其中,在注入工序中所述H3+离子的比率比所述H2+离子的比率高。(OMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、三乙氧基硅烷(化学式SiH(OC2H5)3)、三(二甲基氨基)硅烷(化学式SiH(N(CH3)2)3)中的一种。