松下電器産業は,Si基板上に量子素子とMOS—FETを混載した量子メモリを試作した。量子メモリの動作電圧が+0.2V〜+0.5Vと低いため,消費電力を従来メモリの1/100に低減できるという。量子素子の負荷抵抗特性を利用し,低電圧動作の双安定回路を実現した。長期間の電池交換不要なメモリ・カードなどへ応用するかまえ。「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。