17:17:09RC05GF472J��晶片受到沿y(即�C械�S)方向的��力Fy作用�r,在垂直于X�S表面上出�F�荷,�荷的�O性如�D9-31(c)(受�嚎s力)和�D9-31(d)(受拉伸��力)所示。17:58:39W24L011AJ-12�c火�器要求有�^高的�C械��度,��造��慰煽�,耐振��,耐高�睾湍透��,工作�勖��L;��C上�o���O各的干�_要小。20:40:51PBSS5350X,115在�和�A段:ig=umsinwt/R,rk=r′sc。w材料,例如砷化�等。17:30:19X5043-F�@然,只有��Ri>>Rs�r,才能使Rs�π盘�的衰�p作用大��p小。19:13:41HMC651器的常�_�|�c3�c�源是�嚅_的,此�r�谓Y晶�w管V1�于截止��B。