300ミルファミリは、UL1577認証に必要な絶縁を実現し、絶縁試験電圧はVISO=2500V(rms)(1分)です。150ミルおよび300ミルファミリがご利用可能です。ワイドボディパッケージのオプションを提供し、8mm沿面距離の延長、熱的挙動の改善、ピンアウトの最適化を実現しています。このようにガルバニック絶縁されたドライバは、コアレス変圧器(CT)技術に基づいており、100kV/μsの世界クラスの同相過渡電圧耐性(CMTI)を実現しています。誘導加熱機器、サーバーおよび通信システム用の電源など、IGBTベースのアプリケーションに適しています。Compactファミリは、3つのサブファミリにそれぞれ9種類のバリエーションがあります。1EDx05I12AH/AF、1EDx20I12AH/AF、1EDx40I12AH/AF、および1EDx60I12AH/AFは、別々のソース/シンク出力ピンに0.9Aから10Aまでのゲートドライバの駆動強度を持ち、標準伝搬遅延は300nsです。MOSFET用途に最適です。内蔵アクティブミラークランプにより、1EDx10I12MH、1EDx20I12MH、1EDx30I12MHの出力電流は、1.7Aから5.2Aまでで、1EDI10I12MF、1EDI20I12MF、1EDI30I12MFは2.2Aから6.2Aです。1EDCファミリは、UL1577認証を取得しており、絶縁試験電圧はVISO=2500V(rms)(1分)です最適化されたピンにより、低インピーダンス電源用のPCB設計が容易になります。すべてのドライバは、ハロゲンフリーとRoHS対応のワイドボディパッケージで提供されており、沿面距離は8mmです。150milおよび300milパッケージでご提供しております。MOSFET、IGBT、CoolSiCTMなどのシリコンカーバイド(SiC)MOSFET、IGBTモジュールと組み合わせることで、お客様の設計目標を達成します。推奨ドキュメント技術資料他ボードソフトウエア&ツールシミュレーションビデオ1:41高度保護機能を搭載したガルバニック絶縁ゲートドライバガルバニック絶縁ゲートドライバEiceDRIVERTMは、独自のコアレストランスフォーマ(CT)技術で、ガルバニック絶縁をまたぎ信号を伝送します。100kV/μs、アクティブミラークランプ、ソフトターンオフなどの機能を提供しています。