運転中のプラズマCVD(LEPECVD)装置内部の写真。左側ではアルゴンのみのプラズマが見られ、右側ではシリコン膜を成長させるためにアルゴンに加えてシランが注入されている。deposition)は、さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつで、石英などで出来た反応管内で加熱した基板物質上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基板表面あるいは気相での化学反応により膜を堆積する方法である。常圧(大気圧)や加圧した状態での運転が可能な他、化学反応を活性化させる目的で、反応管内を減圧しプラズマなどを発生させる場合もある。切削工具の表面処理や半導体素子の製造工程において一般的に使用される。特徴[編集]高真空を必要としないため、製膜速度や処理面積に比して装置規模が大きくなりにくいメリットがある。製膜速度が速く、処理面積も大きくできる。このため大量生産に向く。PVD、MBEなどの真空蒸着と比較すると、凹凸のある表面でも満遍なく製膜できる。基板表面と供給する気相の化学種を選ぶことで、基板表面の特定の部位にだけ選択的に成長することが可能である。供給する化学種や求める特性などによって、様々なバリエーションが存在する[1]。基本的なのは、化学反応の制御に熱を用いる熱CVDである。高温のフィラメントを用いて原料ガスを分解させる方式。ホットワイヤー型CVD(HWCVD)とも呼ばれる[2]。プラズマを用いて原料ガスの原子や分子を励起・反応させる方式。原料に有機金属を用いるもの。(PVD)分子線エピタキシー法(MBE)真空装置この項目は、工学・技術に関連した書きかけの項目です。この項目を加筆・訂正などしてくださる協力者を求めています(Portal:技術と産業)。(日時は個人設定で未設定ならばUTC)。表示-継承ライセンスの下で利用可能です。追加の条件が適用される場合があります。詳細は利用規約を参照してください。Cookieに関する声明モバイルビュ。