酒井平祐先生にご講演いただきます。我々は有機トランジスタ構造をベースとしたメモリー素子を開発してきた。最近、リチウムイオン内包フラーレンを有機トランジスタの絶縁層へ電荷保持層として導入すると、素子にメモリー特性が発現することを発見した。これは金属を内包していないフラーレンを導入しても発現しない効果であることから、リチウムイオン内包フラーレンが素子のメモリー性の発現に寄与していることを示唆する結果である。本講演では、有機トランジスタの動作メカニズムについても触れながら、この素子の動作特性について紹介し、今後のリチウムイオン内包フラーレンの有機デバイスへの応用展開について展望したい。日時:2017年4月28日(金)16:00~17:30場所:理学研究科合同C棟2階、C201、青葉サイエンスホール(H-04)理学部キャンパスマップスマホでの閲覧に便利なアクティブマップ事前申込は不要でどなたでも参加いただけます。垠相TEL:022-795-6752E-mail:ekwon*m.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)カテゴリ過去の新着情報(アーカイブ)本文へサイトナビゲーションへこのページの先頭へお問い合わせ休業日サイトマップサイトポリシープライバシーポリシーソーシャルメディアポリシ。