走査トンネル顕微鏡(STM)を用いると、物質の表面形状を原子スケールの分解能で観察することができます。ナノスケールの空間分解能、あるいは分子単位で測定しようと言うものです。いくつもアプローチがありますが、特に重川研究室では、以下のようなテーマに取り組んでいます。ナノスケールで測定する手法です。同程度の空間分解能で知ることができます。SPVの空間分布(明暗の境がpn接合部・左(n型)右(p型))。図Aのp-n接合部を含む表面に沿った多くの場所でSPVを計測し、それぞれの場所でのSPVの大きさを明るさにして表したもの。詳細は省くが、少数電荷が注入されると暗状態でのバンドの湾曲が減少するためSPVは減少する。明るい部分が暗くなっていくのは、順方向バイアスを加えることにより、n型の領域にホールが注入されている様子を表している。マクロな方法で求めたp-n接合の特性。順方向バイアスの増加とともに電流が変化する。した小数キャリアーの伝導特性は、(1)バイアスが低いときは、まず接合部での再結合(η=1)、(2)バイアスが増加するとともに中性領域への拡散が進み、(3)さらに注入量が増加すると、p、n、両領域での電圧降下が影響する領域へと変化する。いったメカニズムにより説明されてきた。この関係は重要で、デバイスの解析に用いられてきたが、実際に、小数キャリアーの伝導を観察することはかなわなかった。図Bは、こうしたメカニズムを直接示した初めての結果である。reserved.https://dora.bk.tsukuba.ac.jp/。