IGBT(絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ)デバイスのNGBTxxファミリを拡張しました。この新しいデバイスは全体的なシステム・スイッチング効率を改善し、消費電力を低減し、システムの信頼性を向上させます。オン・セミコンダクターの30を超える既存のIGBTファミリに加えて、最新のデバイスは提供可能な製品定格を最大40Aまで拡張します。これには、特に太陽光発電や無停電電源(UPS)の実装で高性能電力変換をターゲットとするデバイスが含まれます。Triceは、次のように語っています。「グローバルなエネルギー消費の大幅増加と、環境上および経済的影響が懸念されるため、より高性能のパワー・ディスクリート・コンポーネントに対する要望が強くなっています。」「この新世代のデバイスは、堅牢性を犠牲にすることなく、コスト効果の高い業界をリードする電力効率を実現します。」「オン・セミコンダクター独自のトレンチ・フィールド・ストップ技術により、電源システム・デザインの作成時に選択可能な幅広いオプションを提供できます。NGTB25N120FLWG、およびNGTB15N120FLWGです。これらの製品は、堅牢かつコスト効果の高いトレンチ技術構造を備えており、高周波スイッチング・アプリケーションで卓越した性能を提供します。低スイッチ損失と超高速リカバリ・ダイオードによって、高周波ソーラー、UPS、およびインバータ溶接機アプリケーションに最適です。これらのデバイスのIc定格はそれぞれ40A、25A、15Aです。kHzのスイッチング・アプリケーションに対して高度に最適化されており、低オン状態電圧(VCEsat)および低ゲート電荷(Qg)特性を提供し、超高速リカバリおよび最小スイッチング損失により消費電力を低く抑えます。すべて-55~+150°Cです。IGBTデバイスのポートフォリオを拡張します。kHz)ハード・スイッチング・アプリケーション向けに、高速リカバリ・ダイオードによる低Vcesatおよび堅固な短絡特性を提供します。kHz)で動作する他のソフト・スイッチング・アプリケーション向けのバランスがとれたスイッチングおよび導通損失を特徴としています。パッケージと価格NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG、NGTB20N120IHSWGはすべてコンパクトなPbフリーのTO−247パッケージで提供されます。Twitterで@onsemi_jpをフォローしてください。ON)は、お客様にグローバルな省エネルギーを実現していただけるよう、高効率エネルギーへのイノベーションをリードしてまいります。オン・セミコンダクターは半導体をベースにしたソリューションのリーディング・サプライヤーで、エネルギー効率の高い、電力管理、アナログ、センサ、ロジック、タイミング、コネクティビティ、ディスクリート、SoCおよびカスタム・デバイスの包括的なポートフォリオを提供しています。アプリケーションにおける特有な設計上の課題を解決します。デザイン・センターのネットワークを運営しています。クラスのサプライ・チェーンと品質保証プログラム、厳格な企業倫理とコンプライアンスを備え、お客様のご要望にお応えしていきます。詳細については、https://www.onsemi.jpをご覧ください。LLCの登録商標です。本ドキュメントに記載されている、それ以外のブランド名および製品名はすべて、各所有者の登録商標または商標です。オン・セミコンダクターは、本ニュースリリースで同社Webサイトを参照していますが、Webサイト上の情報はここには記載されていません。