土木お知らせ動画の再生障害のお知らせ:動画の一部が再生できない事象が発生しています。Semiconductor(A&O)社は、広い面積のソース電極を裏面に設けた新型パッケージに封止した+40V耐圧のパワーMOSFET「AOE66410」を発売した(ニュースリリース)。今回の新型パッケージを採用することで、パッケージの抵抗とインダクタンスを低減できるという。Technology)」で製造した。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに1.0mΩ(最大値)、+4.5Vのときに1.5mΩ(最大値)といずれも低い。ソース電極の接続面積が大きいため、今回の製品を並列接続(パラレリング)しても、電力損失を低減でき、放熱対策が容易になるとしている。Rectification)回路や、ブラシレス直流(DC)モーター駆動のハーフブリッジ回路、バッテリーマネジメント回路などに向ける。大きなソース電極の新型パッケージに封止した40V耐圧MOSFET。Semiconductorのイメージ[画像のクリックで拡大表示]ゲート-ソース間電圧は±20V。最大ドレイン電流は、連続時に100A、パルス時に400Aである。全ゲート電荷量は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに113nC(標準値)、+4.5Vのときに50nC(標準値)。入力容量は9000pF(標準値)。出力容量は1600pF(標準値)。帰還容量は92pF(標準値)。ゲート抵抗は1.1Ω(標準値)である。ターンオン時の遅延時間は18ns(標準値)で、立ち上がり時間は8ns(標準値)。ターンオフ時の遅延時間は83ns(標準値)、立ち下がり時間は10ns(標準値)である。パッケージの外形は、実装面積が5mm×6mmの8端子DFNと同じ。量産出荷を始めている。1000個購入時の米国での参考単価は1.95米ドルである。Reserved.このページに掲載されている記事・写真・図表などの無断転載を禁じます。掲載している情報は、記事執筆時点のものです。